近日,美光(Micron)发布了其创新内存技术Hybrid Memory Cube(混合内存立方体,以下简称HMC),并声称这是内存领域的重要技术突破,其单颗HMC内存芯片的性能将是普通DDR3内存芯片的20倍。
图片来源:Penlau
HMC技术采用的是堆叠封装技术,将多层DRAM和一层逻辑电路共同封装,并采用TSV硅穿孔技术进行互联。其中逻辑电路层其重要作用,其将扮演内存控制器的角色,以超高带宽总线与CPU连接。
根据美光内存业务副总裁Brian M.Shirley表示,如今内存已经成为了电脑系统瓶颈之一,但归根到底是内存与CPU之间的总线带宽不足,内存芯片的数据无法即使传送至CPU进行处理。HMC技术将为电脑系统带来超高的内存总线带宽,这方面的系统瓶颈将不再存在。
据称,HMC内存芯片的性能将是DDR3内存芯片20倍以上,同时功耗和体积仅现有DRAM内存芯片的十分之一。HMC技术将首先应用于超级计算机等高性能领域,预计在2015-2016年进入消费级市场。
超能网友学前班 2011-02-15 21:17 | 加入黑名单
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游客 2011-02-14 16:36
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游客 2011-02-14 13:58
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游客 2011-02-14 12:10
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超能网友初中生 2011-02-14 12:03 | 加入黑名单
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