下一代非易失性存储技术争霸战中，MRAM（磁阻随机存取存储器）得到了最多关注，包括Intel、高通、三星在内的业界大腕也都在研究这一技术，另一个竞争者就是PCM（相变存储器），代表人物则是美光，日前他们宣布已经成功大规模量产PCM，这将为PCM进入市场提供更多可能。

　　MaximumPC报道称，美光使用45nm工艺成功量产1Gb PCM闪存，工作电压为标准的1.8V，实际上这个内存是由1Gb容量的PCM闪存和512Mb的低功耗DDR2闪存组成，二者使用相同的传输界面。

　　美光公司希望初期的产品用于功能手机中，因为目前制造出的PCM容量还比较低，未来的PCM产品有望用于智能手机和平板中。

　　PCM闪存是以bit为单位进行单元擦除，这与NAND闪存以block区块为单位擦除有明显不同，因此擦除速度更快，这意味着其写入性能更高，美光的F&Q页面上表示PCM随机读取速度有400MB/s，这还只是第一代产品的性能。此外，美光表示PCM闪存的启动速度更快。

　　与NAND闪存一样，PCM也存在写入次数限制，不过PCM的特性就是每个cell单元都可以存储多位bit，因此PCM的可靠性理论上高于NAND，美光生产的PCM闪存写入次数高达10万次，堪比SLC闪存。