◆ NAND可靠性测试:令人惊讶的1000次P/E
对新一代工艺的NAND来说,可靠性是大家必不可少的关注点,虽然对日常使用来说SSD的可靠性并不是问题,但是这个问题太引人关注了,Anandtech也不得不破例做了一次关于可靠性的SSD评测。
Intel 335系列SSD的P/E次数依然是25nm MLC闪存的3000次,如果用常规的数据写入方式来验证那么需要几周甚至数月的时间才能得出一点结果,还好Intel表示NAND闪存的总写入次数可以通过Toolbox软件从SSD的SMART信息中读取出来,具体来说需要关注的是E9和F9两项,分别代表媒体磨损指示(MWI)以及总的NAND写入次数。
上面这张图是他们做完所有测试之后的截图,令人惊讶的是MWI已经达到了92,而他们测试的总的数据写入量不过1.2TB而已。MWI是从100开始往下降,最低到1为止。不过就算降到了1,SSD依然可以继续写入,因为在MLC闪存的特性在面对最差的情况下也有较好的表现。
Anandtech表示他们从来没有收到过MWI起始值这么低的测试样品,要么是软件bug,要么就是送测之前这个SSD已经在Intel内部做过大量测试了。
验证可靠性测试时,他们首先使用不可压缩数据填充硬盘,然后用QD32队列的不可压缩4KB随机数据来持续写入SSD,之所以用不可压缩数据,是因为SF主控支持数据压缩,使用可压缩数据时主控会自动压缩并去重处理,影响测试。
这个过程重复了10个小时,下面是11个小时之后SSD的信息。
这个过程中的数据写入量大约是3.8TB,不过MWI只是从92降低到了91,在之前的330身上,写入7.6TB数据之后MWI依然是100,而且那还是一款60GB型号的,这款335是240GB型号的,拥有更高的数据写入寿命。
Intel的92数值有可能正处在92到91的过渡边缘,因此前面的数据不算太准,进一步做了105小时的测试,结果如下:
数据写入量为37.8TB,MWI从92降到了79,P/E擦写次数用尽了13%,基于这些数据来看结果并不太好,MWI降到0的话数据写入量只需要250TB而已,P/E次数只有1000。
这个结果令人非常震惊,虽然Intel说20nm MLC闪存的P/E次数达到了3000,但是实测的结果与之差距甚远,Intel已经重新寄送了SSD样品看看能否重复这个过程。
升级制程之后P/E次数下降是可以理解的,而且公布的P/E次数只是可使用的最低值,330的测试中标称的3000次实测可以达到6000次左右。虽然330和335的标称P/E次数都是3000次,但是实际结果却不一样。
单从这一个测试样品的结果来做结论还有点过早,或许我们的测试还有缺陷,也可能是固件bug导致的,以后我们拿到新的测试样品之后还会继续测试。
PS:anandtech,你不觉得这样做会让大家更担心20nm NAND的使用寿命吗?万一下一个也有这样的问题,20nm工艺的NAND肯定会让人揪心的。
游客 2014-05-30 09:37
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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9#
游客 2014-05-30 09:33
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游客 2014-05-22 10:01
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游客 2014-05-05 10:40
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6#
游客 2012-11-02 02:02
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超能网友小学生 2012-10-30 22:32 | 加入黑名单
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游客 2012-10-30 12:46
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游客 2012-10-30 12:37
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游客 2012-10-30 12:34
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