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      三星电子日前宣布成功开发世界首款45nm工艺的eFlash嵌入式闪存,主要面向各种安全芯片应用,而此前的eFlash工艺主要是80nm,三星的45nm eFlash不仅速度更快,而且P/E擦写次数可达100万次。

      三星电子系统集成电路业务副总金泰勋(Taehoon Kim)表示,三星的45nm eFlash可以广泛应用于各种安全解决方案及移动设备中,包括智能卡IC、NFC IC、eSE嵌入式安全设备及TPM可信赖模块,测试芯片反映出的极高性能将巩固三星在安全IC市场上的领先地位。

      通过在闪存cell架构及操作层级的改进,三星的45nm eFlash相比之前的80nm eFlash的随机速度提高了50%,能耗减少25%。更重要的是,45nm eFlash的可靠性更高,此前业界最好的水平是50万次擦写次数,三星的45nm eFlash的擦写次数可达100万次。

      三星预计在2014年下半年开始基于45nm eFlash闪存的产品商业化进程。

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    已有 2 条评论,共 2 人参与。
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    • 我匿名了  2013-05-18 12:10

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 我匿名了  2013-05-18 10:35

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      1#

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