据说三星因Galaxy S4销量未达预期而打算在明年1月份提早发布Galaxy S5。要是之前的传闻成真，S5的卖点、看点可比S4多得多，三星将抛弃万年大塑料而改用金属机身，摄像头支持OIS光学防抖，还可能升级1600万像素。S5所用的芯片应该是Exynos 6，明年也会升级到64位架构，韩国媒体进一步爆料称Exynos 6将越过20nm工艺，直接上马最新的14nm 3D晶体管工艺。

　　目前移动处理器的主流工艺是28nm，三星和TSMC的主力都是，下一代工艺则是20nm，现在正在准备量产的过程中，TSMC明年初会正式量产。正常规划下三星也会在明年进入20nm工艺，不过三星打算给TSMC更多压力，所以Exynos 6会越过20nm工艺阶段，直接上马14nm FinFET（鳍式晶体管，跟Intel的3D晶体管工艺原理一样）工艺。

　　根据业内消息的说法，今年今年底会拿出14nm FinFET工艺的ES工程样品（Engineering Sample），明年初则会推出BS商业样品（Business Sample），这么看14nm FinFET的进度已经非常快了。

　　明年的Exynos 6理应升级到64位ARMv8指令集，三星已经获得了Cortex-A57/A53的授权，目前的Exynos 5使用的是big.LITTLE架构，使用了4个Cotrex-A15和4个Cortex-A7核心，Exynos 6应该使用4个A57和4个A53核心。