Intel如何在移动处理器市场立足？他们最大的筹码还是自己的半导体工艺技术，更先进的工艺可以带来更强的性能、更低的功耗。此前Intel表示他们的制程工艺领先对手三年半，虽然没有指名道姓，但是谁都知道Intel所说的竞争对手其实是指TSMC台积电。如今TSMC也要反击了，指Intel之前所用的TSMC工艺数据图是过时的数据，TSMC的工艺并不比Intel差多少。

在日前的一次会议上，TSMC创始人兼董事长张忠谋表示，通常他们不会评论其他公司的技术，但是Intel之前的宣传有误，因此他不得不让TSMC副总Mark Liu作出解释。如上图所示，横坐标是工艺节点，靠前的数字如32nm、22nm、14nmFF是Intel的制程工艺，而28、20、16FF是TSMC的制程工艺，纵坐标则是逻辑电路的核心面积，其中蓝色曲线是Intel制程工艺与面积的走势图，灰色的是Intel之前PPT上的TSMC的走势，但是Intel引用的资料是错误的，已经过时了，红色曲线才是TSMC真正的走势图，Intel的资料夸大了二者之间的差距。

按照规划，TSMC今年会量产20nm工艺，但是20nm不会持续很久，一年后的2015年TSMC就会上马16nm FinFET工艺，因为16nm与20nm工艺是后端兼容的，而FinFET鳍式晶体管（Intel的说法是3D晶体管）可以大幅改善电路性能，核心面积也能缩小15%。Mark Liu表示他们的16nm工艺是晶体管密度最大的制程工艺。

TSMC也不得不承认的是在16nm FF工艺之前，Intel确实有工艺优势，不过差距在缩小，16nm FF工艺只落后Intel一点，而到了10nm节点TSMC会启用第三代FinFET工艺，该技术能带来业界领先的性能与晶体管密度。