三星的V-NAND随着850 Pro的发布开始正式进入消费级市场，目前的V-NAND是第二代，最大32层堆叠，NAND基础还是40nm工艺的MLC闪存，刚刚测试得出的P/E次数达到了6000次，可靠性还不错。但是，以三星的鸟性，TLC闪存怎么可能放过V-NAND，三星有计划把TLC闪存也做成V-NAND那样的3D堆叠，或许不久之后我们就能见到850 Evo固态硬盘了。

用不了多久，我们就可以看到TLC闪存的850 EVO取代840 EVO了

在前不久三星的SSD全球会议上，Techreport得知三星有计划推出3bit V-NAND，只不过三星在透露消息方面一贯很小气，就是不肯说具体细节，不过TR表示在第二代V-NAND发布会上三星提到了今年底会推出容量密度更高的硬盘，或许指的就是这个TLC版的V-NAND闪存。具体命名也不确定，不过惯例可能会用850或者850 EVO这样的名字。

虽然TLC名声不是很好，但是TLC闪存对提高容量密度、降低成本大有裨益，而性能、可靠性上的问题可以通过其他方式弥补，比如三星的840 EVO就使用了SLC缓存的方式改善了写入速度，所以只要技术成熟，NAND厂商们还是会上TLC闪存的，三星起了头，美光很快也会跟进。

此外，V-NAND技术在某种程度上也能改善TLC闪存的缺点，立体多层堆叠的封装使得TLC闪存对制程的要求没有这么高了，还可以减少干扰，这也有助于改善写入性能。

总之，不管某些用户是否接受TLC闪存，三星力推的态度是改不了的，特别是有了V-NAND技术的辅助之后，TLC闪存的一些缺点更有了明显改善，三星迟早会推TLC版的V-NAND闪存，快的话今年底就能见到850 EVO这样的产品了。

可以预想，一旦TLC闪存的V-NAND硬盘上市，届时又免不了引起很多争议。TLC闪存理论上寿命会少很多，不过新技术的进度也不可阻挡，对TLC闪存唯一的质疑应该是：如果它的成本比MLC更低，为何市面上的TLC硬盘相对MLC硬盘并没有价格优势呢？三星解决了这个问题才更有利于TLC闪存为人广泛接受。