昨天和大家介绍了Intel未来桌面市场的主流产品Skylake-S，今天就来说说旗舰产品Broadwell-E，这款产品大家可以将其看作现在的Haswell-E的制程升级版，生产工艺从22nm升级到14nm，至于其他的好像并没有太大的变化。

根据VR-Zone中文版的报道，Broadwell-E会继续使用LGA2011-v3接口，主板依然是X99，有8核和6核版本，全部都不锁倍频，最大可以提供40条PCI-E通道，TDP依然是140W，Broadwell-E与Haswell-E规格最大的区别应该就是DDR4内存频率提高到了2400MHz了，不过这个升了和没升差不多。

至于它的发布时间嘛，明年是不可能的，明年第二季度才会送出Broadwell-E的Pre-ES样品，第36周会放出ES样品，47周最后QS，量产要等到2016年第一季度，旗舰平台完全没有竞争对手，Intel才不会着急呢（AMD：怪我咯╮(╯▽╰)╭）。