三星在立体堆栈3D V-NAND闪存的研发与生产商一直处于领先位置，其第一代24层堆栈以及第二代32层堆栈的3D V-NAND已经应用在多款产品上，例如三星850 EVO固态硬盘等。而日前三星又再宣布，3D V-NAND将步入第三代，采用48层堆栈设计的3D V-NAND闪存开始进入量产阶段。

据三星表示，第三代3D V-NAND采用48层堆栈技术打造，属于3bit MLC产品，单核心容量可达256Gb即32GB。与上一代的单核心128Gb容量的产品相比，第三代3D V-NAND不仅容量翻倍，功耗也有30%下降，而且还可以在现有生产线的基础上进行生产，生产效率提升40%。

第三代3D V-NAND共计包含853亿个存储单元，每个单元可以存储3bit数据，通过48层堆栈和18个数据通道孔打造而成，是三星接下来新一代3D V-NAND产品的主力。在2015年接下来的时间中，三星将逐步调整生产线，全力量产第三代3D V-NAND产品，力求把固态硬盘的容量相TB级推进。