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    从去年下半年开始的NAND闪存缺货、涨价已经持续一整年了,今晚的超能分享会也会关注NAND闪存发展及降价问题,大家别错过。2017年也是3D NAND闪存超越2D NAND成为主流的关键,堆栈层数也从去年的32层、48层提升到了64层、72层。三星是最早量产64层堆栈3D NAND闪存的,现在官方又宣布64层256Gbi容量的V-NAND闪存正在加速量产,性能比前代48层V-NAND提升50%,能耗也降低了30%,生产率也提升了30%。

    三星去年底就开始量产64层V-NAND闪存了,除了韩国本土的工厂,中国西安市的NAND晶圆厂也是三星最重要的产地之一。今年1月份三星开始正式出货64层堆栈闪存的SSD硬盘,2017年上半年产能还在继续提升,三星现在宣布大规模量产64层V-NAND闪存跟三星位于韩国的平泽工厂正式完工有关,这是三星2015年144亿美元半导体投资的一部分,号称全球最大的半导体工厂,今年7月份正式量产,未来将占据三星NAND产能的10-20%。

    与西数、东芝宣布的64层堆栈BiCS TLC类型闪存核心容量达到512Gb不同,三星现在的64层V-NAND闪存TLC(3 bit)类型闪存容量还是256Gb的,不过接口速率达到了1Gbps,比早前曝光的800Mbs还要高。三星官方称64层V-NAND闪存的性能比三星之前48层堆栈的256Gb TLC闪存快了50%。

    除了性能之外,64层V-NAND闪存能效也有所提升,输入电压从48层V-NAND的3.3V降至2.5V,能效提升了30%,此外可靠性也提升了20%。此外,64层V-NAND闪存的生产效率也提升了30%。

    在64层V-NAND闪存的基础上,三星还在开发更先进的3D闪存,下一步目标是堆栈90层以上,早前传闻说是96层堆栈。


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    • 游客  2017-06-18 20:56

      游客

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
      2017-06-16 14:25
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      14#

    • 游客  2017-06-17 20:49

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      13#

    • 游客  2017-06-16 14:25

      超能网友 大学生

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      2017-06-16 00:02
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      12#

    • 游客  2017-06-16 00:08

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    • 超能网友大学生 2017-06-16 00:02    |  加入黑名单

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    • 游客  2017-06-15 21:20

      游客

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      2017-06-15 16:47
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    • 游客  2017-06-15 19:37

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    • 游客  2017-06-15 17:58

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    • 游客  2017-06-15 16:47

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    • 超能网友研究生 2017-06-15 15:24    |  加入黑名单

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    • 超能网友一代宗师 2017-06-15 15:08    |  加入黑名单

      游客

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      2017-06-15 14:34 已有1次举报
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      3#

    • 游客  2017-06-15 14:34

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      2#

    • 游客  2017-06-15 14:28

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