2018年3D TLC闪存已经成为市场的主流，现有堆栈层数达到了64层，下一代则是96层堆栈，而且美光、英特尔、东芝、西数都推出了QLC闪存，未来一两年内就会爆发。在台北电脑展上，Marvell公司也宣布了新一代NVMe SSD主控——88SS1100及88SS1084，面向未来两年的96层堆栈3D闪存，支持LPDDR4缓存及QLC闪存，速度可达3.6GB/s。

QLC闪存将成为未来两年的重点

Marvell针对高性能PCI-E硬盘市场的主控88SS1092/1093系列发布有段时间了，也是时候升级新主控了，这次推出的88SS1100及88SS1084就是新一代NVMe主控芯片，集成了4个ARM R5处理器核心，新增了LPDDR4缓存支持，缓存频率提升到了32bit位宽1200MHz，也就是等效DDR4-2400，容量最高4GB。

其他方面，88SS1100主控是8通道，88SS1084是4通道设计，都支持NVMe 1.3规范，支持Marvel第四代LDPC纠错，支持AES硬件加等。

Anandtech网站做的规格表更为详细

具体到性能上，88SS1100主控度连续读取、写入速度可达3.6GB/s、3.0GB/s，随机性能可达780K IOPS、650K IOPS，88SS1084主控的连续读写性能也有3.0GB/s、2.6GB/s，随机性能450K、400K IOPS，性能遥遥领先现在的88SS1093主控。

在闪存支持上，除了现有的MLC/3D MLC/3D TLC之外，88SS1100及88SS1084主控最重要的就是支持未来的96层堆栈的TLC及QLC闪存。

另外，Marvell官方没有提及88SS1100及88SS1084主控的制程工艺，功耗方面的问题也没有提及。

88SS1100及88SS1084主控现在已经上市，相关产品预计在今年下半年上市。