最近一段时间来美光、英特尔、东芝、西数先后宣布了QLC闪存出样以及96层堆栈3D闪存上市的消息，作为全球第一大NAND供应商的三星在这方面倒是很低调，但是三星的行动一点也不慢，前几天宣布量产第五代V-NAND闪存，今年将推出32TB容量的TLC闪存硬盘，1Tb核心容量的QLC闪存硬盘今年内也会问世。

三星公司日前在日本东京举行了“三星SSD论坛2018东京”会议，宣布了该公司在NAND闪存及SSD上的一些进展，日本PCWatch网站做了详尽报道，这里我们节选了部分内容报道，主要涉及超大容量32TB硬盘及QLC闪存的。

首先是三星在NAND闪存上的一些优势，2002年首发了1Gb核心的NAND闪存，2013年首发了128Gb核心的NAND闪存，现在这是首发了1Tb核心容量的V-NAND闪存。目前三星的主力是64层堆栈的第四代V-NAND闪存，前不久三星宣布量产第五代V-NAND闪存，堆栈层数提升到了90层以上（很多报道中说是96层，不过三星官方说法是90层以上）。

三星将基于最新的3D闪存推出32TB容量的硬盘，不过这个硬盘看起来像是M.2规格，实际上两者不太一样，M.2是22mm宽，80-110mm长，三星用的是NGSFF（NF1）规格，长110mm，宽30.5mm，也就是说比M.2硬盘更宽一些，好处是可以并排放下两组NAND闪存，有助于提高SSD容量，32TB硬盘就是这么来的。

不过它使用的是SAS界面，主打企业级市场，除了容量增大之外，第四代V-NAND闪存的随机性能也是前代的2.5倍之多。

三星这个32TB容量的SSD硬盘使用的还是TLC闪存，三星在QLC闪存方面也没有放松，已经有1Tb核心容量的QLC闪存，三星也有32核心堆栈的QLC硬盘了，预计2018年上市。

三星的QLC硬盘是用于企业级市场，目的是取代现在的10K、15K转HDD硬盘，与他们相比，QLC闪存硬盘的TCO总成本下降了66%。

除了数据中心、服务器等市场，三星还会推出客户端级QLC硬盘，也就是消费级市场也会有QLC闪存硬盘，三星PPT中提到的是SATA接口，与TLC闪存的硬盘相比，QLC硬盘一样可以实现540、520MB/s的读取、写入速度，性能上没差距。

现在除了SK Hynix没有具体公布他们的96层堆栈闪存及QLC闪存进度之外，其他三大阵营的NAND供应商都公布了QLC硬盘的进度了，数据中心市场是QLC硬盘的重点，但目标不是取代TLC硬盘而是取代HDD硬盘，主要是那些关键任务所用的10K、15K高性能HDD硬盘。

至于消费级市场，QLC硬盘预计在下半年问世，虽然理论上1Tb核心的QLC闪存可以轻松做到5TB甚至10TB以上的容量，不过真正上市的话首发容量不会这么大，毕竟还是要考虑到消费者的承受力，但是照这个趋势下去，明年有可能普及256-512GB的SSD硬盘了。