存储芯片是近年来国内半导体产业的重点，紫光旗下的长江存储今年底将量产国内的3D NAND闪存，而在SSD主控芯片上，国产厂商就更多了，而且不只是中低端产品，北京忆芯科技去年底发布了STAR1000系列高性能NVMe SSD主控，这几天的FMS会议上他们又推出了升级版的STAR1000R主控芯片，读取速度3.5GB/s，写入速度3GB/s，随机读写更是可以达到600K IOPS，随机性能几乎翻倍。

有关忆芯科技的STAR1000 NVMe主控，我们去年参加发布会后写过详细的报道，这家公司背后也有国内大基金的支持，产品主打定位是入门机企业级及高性能消费级SSD主控，支持PCIe 3.0 x4通道及NVMe规范。

简单来说，STAR10000主控的连续读取速度可达3.0GB/s，写入速度可达2.0GB/s，随机读取350K IOPS，随机写入300K IOPS，使用的是台积电的28nm工艺生产，它的规格在在PCIe主控中是拔尖的，这个主控也在建兴的T10 Plus硬盘上首发了。

在昨天的FMS闪存会议上，忆芯科技又发布了新一代的STAR1000P主控，命名及规格跟现在的STAR1000主控差不多，但是性能要高得多，连续读取速度提升到了3.5GB/s，连续写入从2GB/s提升到3GB/s，随机读取、写入性能是600OK IOPS，几乎是之前的两倍。

其他规格方面，STAR1000P主控支持NVMe 1.3规范，支持PCIe 3.0 x4通道，支持ONFi 4.0及Toggle 3.0规范，IO速率800Mbps，支持2D/3D SLC/MLC/TLC/QLC闪存，支持DDR3/DDR3L/DDR4/LPDDR3缓存。

在安全性方面，STAR1000P主控除了支持TCG-Opal 2.0加密之外，还支持硬件SHA256加密，同时还支持国内的SM2/SM3/SM4国密标准。

忆芯科技没提到STAR1000P主控硬盘何时上市，不过表态已经在跟国内多家厂商联合开发基于STAR1000P主控的SSD硬盘，主要面向企业级、客户端市场。