在全球DRAM内存芯片市场上，SK Hynix目前的市场份额达到了29%，仅次于三星的45%，位列全球第二，领先于美光。在DRAM技术上，今年三星及美光都宣布了新一代1Ynm工艺的DRAM内存芯片，SK Hynix日前也宣布开发出1Ynm工艺的8Gb DDR4内存，频率3200Mbps，同时生产效率提升20%，功耗降低了15%。

8Gb DDR4-3200内存颗粒本身并不新鲜，三星/SK Hynix/美光两年前就有类似的产品了，不过这次的8Gb DDR4内存芯片是1Ynm工艺，这是1Xnm工艺之后第二代10nm级DRAM工艺，三星、美光之前已经宣布过类似的产品，现在是SK Hynix试产新工艺了。

在20nm节点之后，DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确，所以有了1Xnm、1Ynm及1Znm之分，简单来说1Xnm工艺相当于16-19nm，1Y工艺相当于14-16nm，1Znm工艺大概是12-14nm级别，现在三星、美光及SK Hynix是进行到了第二代10nm级工艺，不过三家量产的产品不同，三星、美光都是选择LPDDR4X内存首发1Ynm工艺，SK Hynix选择的是1Ynm工艺的DDR4-3200内存。

除了工艺升级，SK Hynix还表示他们的1Ynm工艺8Gb DDR4芯片在生产效率上提升了20%，性能也是目前最快的。此外，通过Sense Amp.Control技术，1Ynm工艺的DDR4芯片能耗降低了15%，

根据SK Hynix的规划，1Ynm工艺的DDR4内存预计会从明年Q1季度开始出货，首先面向服务器及PC产品，接下来还会有针对移动设备等产品的1Ynm工艺内存芯片。