2012显卡横评800至1000元组，各产元件用料概览

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七彩虹iGame650烈焰战神X显卡采用了自行设计的PCB，配置有2+1相供电。

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七彩虹iGame650烈焰战神X显卡PCB背面设计比较简单。

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七彩虹iGame650烈焰战神X显卡采用了2相核心供电和1相显存供电设计，其中输入输出滤波电容均为日科能高的FP固态电容；MosFET则为“一上二下”设计，均来自台湾力祥UBIQ，上桥为M3004D，下桥为M3006D，均为TO-252封装；电感则采用了全封闭式设计，其中显存供电配置的是1R0，核心供电则是R47。

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微星GTX 650 Power Edition显卡采用了自行设计的PCB，配置有3+1相供电。

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微星GTX 650 Power Edition显卡背面一颗松下的铝聚合物电容，位于GPU背面。

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微星GTX 650 Power Edition显卡采用了3相核心供电和1相显存供电设计，按照微星提供的资料显示，这款显卡采用了“第三代军规元件”设计，其中核心/显存供电MosFET均为NIKOS出品，上桥为1颗P0903BK，下桥为1颗P0403BK，电容为日化固态电容，统一使用定制的SFC超级亚铁盐电感。

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映众GTX 650冰龙版显卡采用了自行设计的PCB，配置有4+1相供电。

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映众GTX 650冰龙版显卡背面配置有3颗铝聚合物电容，一颗位于核心供电输出部分，另外两颗在GPU背面。

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映众GTX 650冰龙版显卡采用了4相核心供电和1相显存供电设计，统一采用了日课高能的FP固态电容，核心供电部分采用了Suntek R22铁素体电感，显存供电则是封闭式1R0电感；GPU供电MosFET采用了“一上二下”设计，元件均来自安森美，上桥为4927N，下桥为4936N，显存供电MosFET则是一上一下设计，分别是台湾力祥UBIQ的M3014D和M3016D。

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镭风HD 7750毒蜥版显卡采用自行设计的PCB，配置有4+1相供电。

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镭风HD 7750毒蜥版显卡的核心背面配置有大量的陶瓷电容，密度较高。

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镭风HD 7750毒蜥版显卡采用4相核心供电和1相显存设计，均使用了日科能高FP固态电容以及1上2下MOSFET，上桥为M3004D，下桥为两颗M3006D，台湾力祥UBIQ出品，电感则为贴片式的1R0和R30。此外输出滤波电容统一为松下铝聚合物电容，性能与钽电容接近，好于一般的固态电容。

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技嘉GV-N650OC-2GI显卡采用短PCB设计，配置有2+1相供电。

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技嘉GV-N650OC-2GI显卡配置有2GB GDDR5显存，因此在背面还有4颗显存，此外GPU背面还配置有两颗钽电容。

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技嘉GV-N650OC-2GI显卡拥有2相核心供电和1相显存供电，核心供电部分使用的是合金电感，“一上二下”的MosFET设计，上桥为KO387，下桥为KO393；显存使用的是封闭式R80电感，MosFET为“一上一下”，同样采用了KO387和KO393,；电容部分则统一为蓝宝石LF固态电容。

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索泰GTX 650毁灭者TSI显卡采用了自行设计的PCB方案，3+1相供电设计。

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索泰GTX 650毁灭者TSI显卡拥有3相核心供电和1相显存供电，其中核心供电部分使用了定制自富士通的FP固态电容、“一上二下”的MosFET设计及定制的R60电感，上桥MOSFET为4966N，下桥为4936NN，均为SO-8封装。显存供电的用料与核心供电相同，但MosFET配置改为“一上一下”。

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耕昇GTX 650关羽版显卡采用了3+1相供电设计，配置有2GB GDDR5显存。

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耕昇GTX 650关羽版显卡背面有4颗显存芯片，GPU背面还配置有两颗铝聚合物电容。

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耕昇GTX 650关羽版显卡拥有3相核心供电和1相显存供电，核心供电MosFET为“一上二下”设计，上桥为MDU1516，下桥为MDU1514，安森美出品，配置全封闭式STC电感，显存供电用料与核心供电相同，但MosFET改为了“一上一下”设计，电容则统一为定制的固态电容。

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双敏GTX 650 Ti小妖G显卡采用了短PCB设计，拥有2+1相供电。

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双敏GTX 650 Ti小妖G显卡PCB背面设计比较简单。

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双敏GTX 650 Ti小妖G显卡拥有2相核心供电和1相显存供电，前者使用了R33封闭式电感，后者为1R0电感，统一使用固态电容，核心供电MosFET为“一上二下”设计，上桥为MDU1514，下桥为MDU1517；显存供电MosFET则为“一上一下”设计，来自台湾力祥UBIQ，分别为M3004D和M3006D。

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迪兰HD 7770酷能+显卡采用了3+1+1相供电设计，虽然PCB长度达到20.9cm，但是尾端空出了一大片，未能合理利用。

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迪兰HD 7770酷能+显卡配置有2GB GDDR5显存，因此背面还有4颗显存芯片，此外PCB尾端与正面一样空出了一大片。

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迪兰HD 7770酷能+显卡拥有3相核心供电和1相显存供电，统一使用了全封闭式电感和日化固态电容，核心供电为“一上二下”，上桥MOSFET为4927N，下桥为4925NN，均为SO-8封装，显存供电用料基本相同，不过MosFET设计改为“一上一下”，还更换电感为2R2电感。

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讯景R7770双酷魂上尉版显卡采用自行设计的PCB方案，3+1相供电设计。

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讯景R7770双酷魂上尉版显卡背面有较多的陶瓷电容。

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讯景R7770双酷魂上尉版显卡采用了2相核心、1相显存供电和1相I/O供电设计，统一配置立隆固态电容、全封闭式电感和台湾力祥UBIQ出品的MosFET，其中核心供电为“两上两下”的强化式供电，上桥为M3004D，下桥为M3006D，均为TO-252封装。显存供电和I/O供电用料与核心供电基本一致，但MosFET设计改为“一上一下”。

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　　蓝宝HD 7770黑钻OC版显卡采用有3+1+1相供电设计，拥有独立的I/O辅助供电。

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蓝宝HD 7770黑钻OC版显卡背面以陶瓷电容为主。

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蓝宝HD 7770黑钻OC版显卡拥有3相核心供电和1相显存供电，统一配置了固态电容和定制的铁素体电感，核心供电采用“一上二下”设计，上桥MOSFET为4921N，下桥为4935N，均为SO-8封装。显存供电MosFET配置为“一上一下”，分别是Nikos的P0703BK和P0303BKA，同为SO-8封装。

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微星R7770 Power Edition显卡采用4+1+1相供电设计，有独立的I/O辅助供电。

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微星R7770 Power Edition显卡背面以陶瓷电容为主。

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微星R7770 Power Edition显卡采用了4相核心供电和1相显存供电设计，按照微星提供的资料显示，这款显卡采用了“第三代军规元件”设计，其中核心/显存供电MosFET均为NIKOS出品，上桥为1颗P0903BK，下桥为2颗P0403BK（显存部分只有1颗），电容为日化固态电容，统一使用定制的SFC超级亚铁盐电感。

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HIS HD 7770 IceQX显卡采用有3+1+1相供电设计，拥有独立的I/O辅助供电。

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HIS HD 7770 IceQX显卡显卡背面以陶瓷电容为主。

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HIS HD 7770 IceQX显卡拥有3相核心供电和1相显存供电，统一配置了万裕ULR系列固态电容、封闭式铁素体电感，核心供电采用“一上二下”设计，上桥MOSFET为4921N，下桥为4935N，均为SO-8封装。显存供电MosFET配置为“一上一下”，分别是Nikos的P0703BK和P0303BKA，同为SO-8封装。

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盈通R7770游戏高手版显卡采用自行设计的PCB方案，拥有4+1+1相供电。

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盈通R7770游戏高手版显卡背面以陶瓷电容为主。

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盈通R7770游戏高手版显卡拥有4相核心供电、1相显存供电和1相I/O辅助供电，统一采用封闭式电感和日科能高的FP固态电容。核心供电的MosFET为“一上二下”设计，均来自台湾力祥UBIQ，上桥为M3014M，下桥为M3016M。显存供电和I/O供电用料与核心供电相同，但MosFET改为“一上一下”设计。