说起中芯长电与高通之间的合作，就不得不提下中国半导体的领军企业中芯国际，它最初成立于2000年，并于2014年临危受命于中国政府，获得了高达300亿的半导体产业基金支持，试图用钱砸出拥有中国自己技术产权的半导体工艺技术，不过由于前期技术积累太少，技术要落后于台积电等国际一流企业。

为了快速缩短技术差距，中芯国际找到了当时被中国判处垄断罚金9.75亿美元的高通，而高通为了不放弃中国市场，便积极与中芯国际合作，最后中芯国际派出旗下与长电科技合作的中芯长电达成合作协议，组建了合资企业。这可是当时的大新闻，国家主席还出席了现场观礼。

中芯长电开启了生产代工晶圆之路，是全球首家采用集成电路前段芯片制造体系和标准，采用独立专业代工模式服务全球客户的中段硅片制造企业。以先进的12英寸凸块和再布线加工起步，主要提供中段硅片制造和测试服务，并进一步发展先进的三维系统集成芯片业务。

10nm工艺我们就听得到多了，就是从晶圆上刻画出电路的时使用的光刻光源波长，而这个10nm晶圆凸块封装技术又是什么呢？原来晶圆从晶圆厂中刻画好电路后，变成了一个个Die，这些Die还需要进一步加工，利用薄膜、光刻、电镀及蚀刻工序在Die上制作引脚，这种工艺技术称之为Bumping（凸块），一般常见于BGA封装IC上，此技术可大幅缩小IC的体积，并具有密度大、低感应、低成本、散热能力佳等优点。

在制程越来越小的情况下，Bumping的技术难度随之大幅提升，技术成本也高得多，封装厂很多的技术和设备也必须进行升级或者更新，在此情形下，加工成本也会随之上升。而中芯长电就是从14nm凸块生产过程中积累起经验后，于今年下半年正式研发出10nm晶圆凸块的封装技术。

Qualcomm Technologies QCT 全球运营高级副总裁陈若文博士表示：“我们祝贺中芯长电在28纳米和14纳米矽片凸块加工大规模量産方面取得突出成绩。此次10纳米超高密度凸块加工开始认证，表明中芯长电在中段凸块加工领域取得突破性进展，工艺技术水平达到了世界一流。中芯长电是最近几年来 Qualcomm Technologies 唯一新引入的中段矽片凸块加工制造供应商，我和团队非常高兴双方的合作能够不断取得突破。未来，10纳米凸块加工将进一步强化我们在中国半导体供应链産业的布局，体现了我们支持中国本土集成电路制造産业升级的承诺，也必将有助于我们更好地服务中国客户。”