以下为集邦科技原文：

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查指出，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季各类NAND Flash产品合约价综合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。

展望第二季，DRAMeXchange分析师叶茂盛表示，历经第一季的需求低谷之后，智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供应商纷纷透过抑制资本支出、减缓新制程产出比重，甚至透过减产压抑产出，虽无法立即扭转供过于求的态势，但对于市场环境确实有正面的帮助。综上所述，第二季eMMC/UFS、SSD、Wafer等产品合约价仍将继续下跌，但跌幅相较第一季则是有所收敛，落在10~15%的水位。以第二季的渠道市场而言，随着256Gb TLC Wafer自2017年11月走跌以来，产品价格已大跌逾70%，每GB单价跌破0.08美元，属各类产品当中跌幅之最。随着价格逐渐逼近成本线使得下跌空间有限，加上原厂良率提升，市场流通的次品数量减少，反应在终端产品（如记忆卡及随身碟等）价格方面可能出现一至二波的调升，因此在价格调升的刺激下，带动模组厂备货力道有所增加，合约价跌幅则逐渐趋缓，预期第二季合约价将呈缓跌走势。叶茂盛指出，除了渠道市场以外，供应商将眼光转向高容量的UFS及SSD产品，除希望透过降价刺激需求增长，也争相以优惠价格竞逐市占；在移动领域部分，包含西数、三星在内的供应商纷纷推出高容量的UFS 3.0产品吸引客户采用，目标借由效能提升以及价格诱因刺激下半年需求成长，同时供应商也完善UMCP产品线，除刺激中高端机种往256GB转移以外，也让32GB机种逐渐往64GB转移。在Client SSD方面，供应商为刺激搭载容量提升，加大512GB/1TB产品的跌价力道，追求CP值的Value PCIe SSD(Gen 3.0×2)产品出货比重同时逐渐提升，使得均价跌幅扩大，有助于SSD于笔记本电脑搭载率成长增速。而在enterprise SSD方面，server/data center作为2019年唯一增长的主要需求，加上产品毛利高于其他类型，已成为兵家必争之地，各厂商皆投放目光在更有成长空间的PCIe产品领域，竞争态势激烈，合约价亦将持续走跌。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发布了2019年DRAM内存市场研究报告，以下是集邦科技的报告正文：

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，2018年第四季DRAM合约价格较前一季大幅修正约10%后，2019年由于PC、服务器与智能手机等终端产品需求疲软，因此DRAM主要供应商纷纷放缓新增产能的脚步，以期减缓价格跌势。DRAMeXchange指出，与实际位元生产量最相关的指标为各供应商的资本支出计划，而2019年DRAM产业用于生产的资本支出总金额约为180亿美元，年减约10%，为近年来最保守的投资水位。

其中，两家韩系厂商最先宣布将放缓2019年投资计划。市占最大的三星半导体2019年DRAM投资总金额约在80亿美元，主要用在先进制程(1Ynm)的持续转进以及新产品的开发。投片计划是三星近年来最保守的一次，目前决议终止平泽厂(Line18)扩产计划，将使2019年位元成长达到历年新低，约在20%水位。

市占第二名的SK海力士2019年DRAM投资金额也降低到约55亿美元，主要用以持续转进新制程与提升良率为主。但由于中国无锡新厂才刚落成，因此该厂全年仍有约30-40K产能提升，根据DRAMeXchange计算，SK海力士2019年位元成长约21%，稍微高过三星。

而市占第三的美光半导体，近日才宣布下修2019年资本支出至约30亿美元，并且将2019年的生产位元成长目标由原先的近20%下修至15%水位，以期改善库存持续升高的状况。而美光半导体目前不论是在瑞晶(台湾美光存储器)、华亚科(台湾美光晶圆科技)、原Elpida广岛厂等都没有扩产计划，2019年投片水平维持在每个月350K的水平，而位元成长将仅来自1Ynm的持续转进。DRAMeXchange认为，美光因为成本结构与两大韩系厂相较偏弱，因此对于承受价格持续下跌的空间较小，才会有较大动作的反应。在连续两年供给位元成长都仅有15%的情况下，美光市占持续被压缩。

供应商放缓新增产能、避免削价竞争，以维持获利空间

从三大厂商下修2019年资本支出的营运方向可以看出，在寡占市场中由于没有新进竞争者的威胁，各供应商选择透过调整产出，来避免削价竞争。从获利表现来看，三星与SK海力士生产DRAM的毛利仍有近8成，美光也有6成以上的水平，因此各厂在获利仍丰厚的情况下，选择保守看待2019年的生产展望，也是较为合理的作法。

至于需求端，2019年第一季受到连假以及淡季效应的影响，将会是最为疲弱的季度，而且目前也没有迹象显示第二季之后需求会有所改善。在中美贸易摩擦持续延烧的大前提下，市场仍充满不确定性，基于上述供需预测，DRAM价格仍将逐季修正，2019年第一季价格下修幅度约为15%，第二季预期将收敛至10%以内，而下半年除非需求明显改善，否则价格仍将维持约5%的季度下修。

对于iPhone销量好还是不好的问题，之前有读者也说一会报道好一会报道不好，到底是哪样？这个问题确实如此，但是说销量好还是不好这事要看是谁说的，苹果官方自然是说销量大好，苹果产品市场副总裁Greg Joswiak之前在采访中表示，iPhone XR自发售以来，是他们最受欢迎的iPhone，已经成为目前最热销的iPhone，不过苹果官方并没有给出明确的数据来支撑他们的结论。

说iPhone XR销量不佳的主要来自分析师及供应链，早前看好iPhone XR的多家投行、证券也下调了iPhone XR销量预期，郭明錤前不久将iPhone XR寿命周期内的销量从1亿砍到了7000万部。来自供应链的消息也显示iPhone XR订单并不好，最新的一个例子是JDI公司的LCD产能情况，他们负责供应iPhone XR的LCD面板。

根据日经新闻的消息，JDI公司10月及11月的产能还是满载状态，但是12月份产能预计比满载时减少了30%左右，报道称JDI公司将逐步减少产能，今年底明年初的时候还会停工10天之多。

此前JDI公司财报会议上也下调了2018年4月到明年3月份财年的营收预期，从之前预计增长10-20%降至增长5-15%，利润率也从2-3%降至1-2%，而且明年1-3月份的生产预估情况还没有定论，未来情况难料。

与NAND闪存今年开始大降价不同，DRAM内存芯片在Q1、Q2季度依然在上涨，尽管涨幅与去年相比已经收窄，合约价涨幅在5%左右，而业界预期今年内存价格就会到顶，也就是说明年又会进入内存降价的周期，而降价对上游厂商来说肯定不是好消息。

在这样的时期，前几天传出三星18nm工艺的服务器芯片出现了良率问题，美国及中国的供应商已经要求韩国内存供应商暂停出货，直到他们解决了18nm DRAM芯片的良率问题。消息人士称这个过程可能需要1-2个月甚至更长时间才能提高产量。

三星的18nm芯片量产已经快2年时间了，现在还在传良率有问题，再加上最近中国调查内存涨价等敏感事件，这时候说三星要减产1-2个月甚至更长时间，实在有点微妙。

瑞银分析师Timothy Arcuri前几天还下调了美光的股票评级，但是现在他改变了看法，将美光股票从“售出”升至“中立”，目标股价从42美元提升到60美元，而促使他改变看法的就是认为内存芯片今年两年的降价幅度要比预期中的低。

此前他估计内存从高峰到低谷的降价幅度超过50%，比2014到2016年见的降价更惨，但是现在他认为未来6个季度内存高峰到低估的降价幅度不超过45%。

针对近期爆出的三星18nm芯片良率导致减产问题，Timothy Arcuri认为评估三星的行为有多方面猜测，三星可能是遇到了技术问题，也可能只是暂停生产以控制产品供应量。

他指出三星在内存价格下跌之前就延迟增产，这个举动不寻常，他认为三星此举是贯彻了过去几年中该公司“利润第一”的管理方式。

　　美光CEO Mark Durcan表示，“目前（DRAM）市场的供应生态链看起来正在健康发展。我们相信2013年及2104年的DRAM晶圆产能都会继续下降，而且制程工艺升级也会很有压力，与历史趋势相比，厂商们还会继续减少晶圆供应。”

　　美光谈到的其实是DRAM内存类的产品，厂商之所以不愿意增产内存产品还有一个因素作祟，NAND产品的需求正在扩大，特别是随着中国市场上的廉价平板的热销，厂商们更愿意生产这类产品。

　　3月中期，4GB DDR3-1600内存的平均价格达到了23美元，比2月份的价格上涨了15%，比去年11月份上涨了46%之多。2GB DDR2内存的价格也涨到了13.75美元，比几周前上涨了25%，比去年11月份上涨了53%。

　　去年DRAM市场供过于求，导致相关产品的价格从2012年的高位水平上下降了25%，因此厂商开始认为减产调节市场价格，目前的价格一定程度上都是厂商限产的后果。

　　有来自DigiTimes的消息称，尽管目前很多产品都要用到NAND闪存，例如USB闪存盘、各式储存卡、固态硬盘以及智能手机、平板电脑等等，但是NAND闪存的库存压力还是非常严重，大量的芯片无法消化。因此为了让市场的供求关系重返平衡，三星和SK海力士决定跟随东芝走上减产的道路。

　　从目前情况来看，虽然没有明确消息，不过美光很可能是下一个宣布减产的NAND芯片制造商，毕竟他们面临的市场是一致的。而这些厂商减产后，NAND闪存及对应产品的降价可能会暂时停止。至于何时才会恢复原有产能，目前暂无明确消息指出，不过我们认为，那个时候也该是20nm/19nm工艺产品正式登场了。

　　东芝称，目前NAND闪存在市场上已经处于严重的供过于求状态，因此产品价格一直在下跌，因此他们在6月起就开始减少相应生产线的开工率，希望通过下调产量的方式减少市场上的NAND闪存库存，让供求趋向平衡。

　　实际上，NAND闪存的需求量在总体上来说是不断增加的，特别是平板电脑、智能手机以及各种闪存式存储装置的发展对NAND闪存起到了很大的带动作用。只是NAND闪存的总产能依然远高于市场需求量，供过于求的现象依然存在，为此东芝才决定下调NAND闪存的产量，以恢复供求平衡。

　　不过这对消费者来说并不是一件好事，毕竟随着闪存库存的减少，对应产品的价格是有可能回升的。因此，不仅是东芝，其它NAND闪存厂商也要密切关注市场动态并及时调整生产，以确保市场不会陷入混乱状态。

　　到目前为止，减产的DRAM厂家已包括力晶、尔必达（Elpida）以及海力士三家。粗略估计这三家DRAM厂减产量约占全球产量的6%左右，估计以后陆续还会有更多的DRAM厂加入减产行列。

[消息来源：digitimes]