我们之前报道过，英特尔在全球多个地区有晶圆制造及封测基地，其中美国本土有俄勒冈、亚利桑那、新墨西哥三处，2017年英特尔宣布投资70亿美元升级亚利桑那州的Fab 42晶圆厂，主要针对未来的7nm及更先进的工艺。

在俄勒冈州的D1X晶圆厂中，英特尔2010年以来已经建设了两期工程，占地面积超过220万平方英尺，而最近这次宣布的工厂扩建计划会再建设一座同样规模的晶圆厂，面积为110万平方英尺，这是未来四年英特尔长期建设计划中的一部分。

目前英特尔官方还没有公布具体的信息，投资金额也没有明确，但是建设现代化12英寸晶圆厂的资金高达数十亿美元，而D1X三期工程是用于7nm EUV工艺的，投资规模应该不会低于亚利桑那州的Fab 42晶圆厂扩建计划。

虽然英特尔现在10nm工艺还没量产，要到今年底才能首先出货移动版10nm冰湖处理器，2020年才有可能大规模量产桌面版、服务器版，但是下下代7nm EUV工艺会吸取10nm工艺上的教训，不会盲目追求高指标，量产进度会比10nm更顺利（希望如此），而工厂建设、设备安装调试需要两三年的时间，英特尔的7nm EUV工艺量产要到2021-2022年才有可能了。

AMD CTO首席技术官Mark Papermaster日前接受了CRN网站的专访，在采访中他提到了AMD在7nm节点上的努力，“我们知道7nm节点是个巨大的挑战，所以我们押注7nm工艺，将资源转移到新节点上，”Mark Papermaster表示“我们不是简单地试水，我们将全力以赴。”

根据他的消息，AMD原定是在2019年初才推出7nm工艺的Vega显卡芯片的，但是因为AMD“非常专注”，所以产品能够提前发布，AMD将在今年晚些时候推出Radeon Vega Instinct显卡，该显卡已经在今年6月份的台北电脑展上公开，配备了32GB HBM 2显存。

除了7nm工艺的Vega芯片之外，AMD还展示了7nm工艺的Zen 2处理器，首先用于EPYC服务器产品线上，7nm工艺的Ryzen锐龙处理器随后推出。

Mark Papermaster表示“我认为我们确实比预期的更强大，不过我们最初的计划也是非常强大的，竞争对手的任何延迟都会简单地增加AMD的市场价值。”

对AMD来说，全力投入7nm工艺意味着需要调整设计团队、代工厂以及公司的EDA合作伙伴，Mark Papermaster表示这是一项艰巨的任务，这个过程甚至改变了把复杂任务综合在一起的自动化工具。

根据Mark Papermaster所说，他们的7nm工艺芯片将在性能及能效方面双双取得进步，相比现在的14nm FinFET工艺，7nm工艺将提供两倍的每瓦性能比。

英特尔美国渠道及合作伙伴经理Jason Kimrey在CRN的采访中回应了该公司10nm工艺延期的问题，他表示“英特尔公司多年来提供了始终如一的性能、性价比优势，并将继续这样做。我们已经谈到了未来几年的处理器路线图，我认为我们将继续创新并满足客户的要求。”

上海新昇半导体科技有限公司是2014年上海新阳、上海硅产业投资有限公司等联合创立的一家半导体材料公司，此前中芯国际创始人张汝京还担任过总经理，该公司主要研发、生产集成电路所用的硅晶圆，承担了国家02专项核心工程之一的“40-28纳米集成电路制造用300毫米硅片”项目，项目总投资约68亿元，其中一期总投资约23亿元，完成后预计300mm硅晶圆月产能为15万片，最终将达成300mm硅晶月60万片/月的产能，年产值达到60亿元。

上海新昇300mm大硅片项目从2017年第二季度已开始向中芯国际等芯片代工企业提供正片进行认证，2017年实现了挡片、陪片、测试片等产品的销售，硅片的认证工作一切顺利。根据上海新昇公司最新消息，他们的300mm晶圆（12英寸晶圆）已经通过了上海华力微电子公司的认证，不过台积电公司的认证工作还没有完成。

此外，上海新昇预计今年底硅晶圆的产能将达到10万片/月。

据SEI全球半导体协会统计，2016至2017年间确定新建的晶圆厂就有19座，其中大陆就占了10座，而2017年到2020年的四年间，还会有26座新晶圆厂投产，成为全球新建晶圆厂最积极的地区，但是硅晶圆的缺口也在加大，目前全球硅晶圆产能在550万片/月，国内12英寸晶圆的需求在50万片/月左右，2018年就会增长到110-130万片/月，增幅超过100%，对全球晶圆供应是个考验，上海新昇公司的硅晶圆项目量产对改善国内先进晶圆供应很重要。

内存跟CPU等芯片虽然都是集成电路，生产制造过程有相似之处，不过工艺并不相同，CPU逻辑工艺今年进入到了7nm节点，但内存主流的还是20nm、18nm工艺，其中18nm就属于1X nm节点（16-19nm之间），后面的1Y nm则是14-16nm之间，1Z大概是12到14nm。再之后，美光提出的是1α及1β工艺，具体对应xx nm就不明了。

三星是第一家量产18nm工艺，也就是第一个进入1X nm节点的，遥遥领先其他公司，美光现在也开始向1X nm工艺转进，下一代的1Y nm工艺已经进入客户验证阶段了，今年下半年问世，1Z nm工艺节点在处于工艺优化阶段，1α及1β工艺则是在不同研发阶段。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在参加伯恩斯坦年度战略决策会上回答了有关的工艺问题，在EUV光刻工艺上，他认为EUV光刻机在DRAM芯片制造上不是必须的，直到1α及1β工艺上都也不会用到它。

ASML早前分享过内存进入EUV工艺的进度表

在内存工艺上，美光认为1α及1β工艺上依然都不需要EUV光刻工艺，不过早前ASML两年前提到过内存在进入1Y nm节点时就需要考虑EUV工艺了，实际上并没有，包括三星在内的三大DRAM巨头都没有很快进入EUV节点的打算。