• 紫光成都存储器制造基地开工:投资240亿美元,生产3D闪存

    孟宪瑞 发布于2天之前 / 关键字: 紫光, 成都, 存储芯片, 3D NAND, 闪存

    中国的存储芯片几乎100%依赖进口,2017年进口的存储芯片价值高达886亿美元,提高存储芯片国产化已经是国家重点支持的发展项目之一。国内目前有紫光、合肥长鑫/兆易创新及福建晋华三大项目,其中紫光集团主要攻关3D NAND闪存,位于武汉的长江存储公司的生产基地一期工程已经落成,今年底明年初就会量产。10月12日紫光集团又在成都举行了存储器制造基地开工仪式,未来将在成都投资240亿美元建设新的闪存工厂,主要生产3D NAND闪存。

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  • 为应对内存、闪存降价,三星、SK Hynix公司推迟产能扩张

    孟宪瑞 发布于2018-09-07 11:30 / 关键字: 三星, SK Hynix, 内存, 闪存, 存储芯片

    韩联社昨天报道称中国依然要依赖韩国公司的内存、闪存芯片供应,去年886亿美元的存储芯片进口中韩国公司就占了52.2%,遥遥领先其他公司。在过去的两年中,三星、SK Hynix、美光、东芝等公司因为存储芯片大涨价获益良多,不过存储芯片涨价今年已经到头了,NAND闪存价格不断下降,DRAM内存价格预期Q4季度也会降价。为了应对客户需求放缓导致的2019年上半年内存、闪存芯片降价,三星、SK Hynix两家韩国公司打算推迟产能扩张,暂停新工厂扩产计划。

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  • 韩联社:中国依然依赖韩国存储芯片,52%进口来自韩国公司

    孟宪瑞 发布于2018-09-06 17:51 / 关键字: 韩国, 存储芯片, 三星, 中国, 进口

    在国内的半导体产业发展中,存储芯片是占据最重要地位的,不论是紫光旗下的长江存储还是合肥的长鑫/兆易创新,或者是福建晋华,三大阵营的厂商都在投资数百亿人民币发展存储芯片,包括NAND闪存及DRAM内存。不过国产存储芯片取代进口还有很长的路要走,韩联社报道称中国2017年进口了886亿美元的存储芯片,同比增长38.8%,其中来自韩国的比例有52.2%,中国依然依赖韩国三星、SK Hynix公司的存储芯片。

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  • 紫光赵伟国:手机芯片全球第三,研发128层堆栈3D NAND闪存

    孟宪瑞 发布于2018-08-25 14:56 / 关键字: 紫光, 赵伟国, 手机芯片, 存储芯片, 3D NAND闪存

    前两天在重庆的国际智能产业博览会上,紫光集团董事长赵伟国对高通等海外芯片公司开炮,建议这些公司在中国市场上要有远见一些,给中国企业一口饭吃。同样在这次的会议上,赵伟国还谈到了紫光集团这几年的成绩,尤其是芯片产业上,紫光集团去年出货芯片34亿颗,手机芯片做到了全行业第三,而存储芯片上明年将量产64层堆栈的128Gb核心3D NAND闪存,还在研发128层堆栈的256Gb核心3D NAND闪存。

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  • 2018年DRAM内存产值将突破一千亿美元,韩国公司赚大了

    孟宪瑞 发布于2018-08-10 17:07 / 关键字: DRAM, NAND, 闪存, 内存, 存储芯片

    2017年的时候英特尔丢失了保持25年之久的全球第一大半导体公司,这不是因为英特尔下滑了,而是三星靠着DRAM内存、NAND闪存市场涨价而业绩大涨,这一年多来坐稳了全球第一大半导体公司。今年以来NAND闪存倒是降价了,但是市场还在增长,而DRAM内存市场更夸张,涨价止不住,预计今年DRAM产值将首次突破1000亿美元,NAND闪存也有626亿美元,两者都远高于全球PC及服务器处理器市场。

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  • 28nm工艺不落伍,联电与Avalanche合作开发28nm MRAM存储芯片

    孟宪瑞 发布于2018-08-07 09:01 / 关键字: UMC, 联电, MRAM, Avalanche, 存储芯片

    虽然台积电、三星以及Globalfoundries公司都会在今年底或者明年初量产更先进的7nm工艺,不过其他技术的工艺并不意味着就会淘汰,在半导体工艺节点上将会存在一些很长寿的制程,28nm工艺就是其中的一个,即便是台积电,28nm工艺带来的营收依然是大头,营收比例超过其他先进工艺。UMC台联电也给自家的28nm找到了新的领域,他们宣布与美国Avalanche公司合作研发28nm工艺的MRAM存储芯片。

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  • 内存价格、出货量双双涨,SK Hynix Q2季度净利大涨75%

    孟宪瑞 发布于2018-07-26 10:59 / 关键字: SK Hynix, 内存, 闪存, 财报, 存储芯片

    存储芯片市场上,NAND闪存价格已经大幅下跌了,不过出货量还在增长,而DRAM内存则是出货量、价格同步涨,今年以来价格已经涨了20%,所以存储行业的厂商的好日子还在继续。SK Hynix公司发布了今年Q2季度财报,当季营收10.37万亿韩元,同比大涨55%,净利润4.3万亿韩元,同比大涨75%。

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  • 内存芯片价格依然凶猛,韩国半导体出口连涨21个月

    孟宪瑞 发布于2018-07-02 17:16 / 关键字: 韩国, 存储芯片, 进出口, 中国, 三星, SK Hynix, 内存

    内存价格涨了整整两年了,对下游产业链及消费者来说,内存价格居高不下导致他们的成本增加,不过对上游产业来说这是扩大营收的好机会,三星、SK Hynix及美光这两年中业绩简直坐了火箭一样。韩国两家公司占了全球70%以上的内存芯片份额,韩国5月份出口额也连续四次超过500亿美元,半导体芯片出口额更是连涨了21个月,内存高涨的价格功不可没。

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  • Q1季度全球半导体产值1158亿美元,存储、显卡公司增速惊人

    孟宪瑞 发布于2018-06-27 17:47 / 关键字: 半导体, Q1营收, 三星, 英特尔, NVIDIA, 显卡, 存储芯片

    2017年由于NAND、DRAM存储芯片涨价,三星超越了英特尔成为全球半导体市场新老大,打破了英特尔公司保持25年之久的记录。今年Q1季度中,全球半导体市场上营收达到了1158亿美元,同比增长21.6%,环比下降3.4%,三星以16.1%的份额继续保持第一,英特尔第二,SK Hynix位列第三。

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  • 美光发布2018 Q3财报:营收大涨40%,净利大涨132%

    孟宪瑞 发布于2018-06-21 17:12 / 关键字: 美光, 财报, NAND, DRAM, 存储芯片

    这一年了但凡有三星、SK Hynix及美光发财报,业绩一定是大涨,涨幅还会让其他科技公司羡慕不已——今天美光公司又发布了2018财年Q3季度财报,当季营收77.8亿美元,同比大涨40%,而净利达到了38.2亿美元,是去年同期16.5亿美元的2.3倍多。

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  • 韩国担心中国加入竞争:2022韩国内存、闪存销售或减少78亿美元 ...

    孟宪瑞 发布于2018-05-10 12:02 / 关键字: 韩国, 存储芯片, 中国公司

    不论DRAM内存芯片还是NAND闪存芯片,中国在此领域基本上是100%依赖进口,发展需求也是最迫切的,目前紫光旗下的长江存储在武汉建设NAND闪存工厂,下半年为量产,而在安徽合肥、福建晋江有团队在搞DRAM内存,未来几年中国公司就会进入存储芯片市场。对于这一点,韩国公司也在担忧中国竞争对手的加入,他们测算在2022年因为中国竞争的影响,韩国公司预计会减少78亿美元的存储芯片销售额。

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  • TSMC进军存储芯片:不搞NAND、DRAM,要玩eMRAM/eRRAM

    bolvar 发布于2017-06-05 11:17 / 关键字: TSMC, eMRAM, eRRAM, 存储芯片, 三星

    在半导体业界,Intel、三星及TSMC三足鼎立,虽然他们在先进的制程工艺上竞争激烈,但实际上三方的直接竞争并不多,Intel的处理器基本是自产自销,三星跟TSMC在代工上有竞争,但是TSMC一家占据全球60%的代工份额,三星半导体更重要的是NAND、DRAM闪存。早前TSMC表态不会进入NAND、DRAM等标准型存储芯片市场,但不代表他们不做存储芯片,最近他们公开了研发多年的eMRAM及eRRAM存储芯片,最近今年底就开始试产,未来一两年量产。

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  • 台湾南亚科技:大陆投资DRAM工厂可能破坏全球市场

    bolvar 发布于2017-05-27 11:48 / 关键字: DRAM, 南亚, 紫光, 合肥, 存储芯片

    最近一段时间来中国公司兴建存储芯片工厂的消息很多,除了国家队的清华紫光/长江存储斥资240亿美元在武汉、南京等地建厂之外,福建晋华投资集团在福建晋江投资370亿元建设存储工厂,日前合肥市投资494亿元的DRAM工厂开始运转了。中国大陆这边动辄投资上百亿乃至上千亿进入存储芯片市场,原有的市场玩家就有点担心了,昨天全球第三大DRAM公司台湾南亚科技就表示大陆投资DRAM工厂有可能破坏全球市场。

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  • 每日新闻早报:国产存储基地开工,男子出售裸条视频被拘

    bolvar 发布于2017-01-03 08:49 / 关键字: 每日新闻早报, 紫光, 武汉, 存储芯片, 裸条

    1、国家存储器基地项目在武汉开工 总投资240亿美元

    总投资240亿美元的国家存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工。2020年全面建成后,年产值将超过100亿美元,实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。

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  • IBM TLC型PCM挑战3D XPoint闪存:1000万次写入寿命

    bolvar 发布于2016-05-18 11:05 / 关键字: IBM, PCM, 存储芯片, TLC, 3D XPoint

    蓝色巨人IBM与消费级产品越来越远,但IBM从来没有远离高科技行业,不论是7nm半导体工艺还是新一代AI智能或者别的尖端科学,IBM都是要肩负人类希望的(网友语“I人希”)。在下一代存储芯片上,Intel美光的3D XPoint已经迈出了革命性一步,不过点满黑科技天赋的IBM日前拿出了同样具备极强竞争力的PCM存储芯片——他们首次实现PCM芯片每单元存储3位数据,你可以把它理解成NAND闪存从1bit/cell的SLC闪存到3bit/cell的TLC闪存的改变。

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