报道指出，受到今年新冠肺炎疫情的影响，今年上半年的智能手机出货量出现了比较大幅度的下滑，并且到了今年下半年也不会出现太大幅度的回升。这个情况一定程度上影响了存储芯片的出货，存储芯片制造商的业绩已经出现了明显的下滑，比如说南亚科技8月份营收同比、环比均出现不同程度的下滑。

除了以智能手机为代表的消费级市场之外，数据中心对于存储芯片的需求同样出现了下滑，两大需求疲软导致了存储芯片的库存积压，存储产品市场将会面临价格崩盘。

不过，像固态硬盘、内存的价格降下来之后，各位DIY玩家或者游戏玩家就可以把成本更多地安排到显卡上，毕竟老黄上周也从自家厨房里面拿出了RTX 3070、3080以及3090三张新显卡，性能相较于上代产品有着非常大的提升，看起来是非常值得升级的一代产品。另外，像AMD Zen 3 Ryzen处理器和Big Navi图形卡等新品，看起来也会很快就推出的样子。

在昨天开幕的2019中国广州国际投资年会，紫光集团联席总裁于英涛发表了演讲，他宣布紫光集团将在广州打造紫光集团南方总部，建立5G研究院及创新基础设施生产基地，结合广州的区域优势和生态环境优势，助力广州数字经济发展。

在5G之外，紫光集团宣布的另外一项重要合作就是广州存储芯片基地，紫光与广州高新区、黄浦区正式签署了紫光广州存储系列项目合作框架协议。据报道，这个协议中紫光未来将在广州投资1000亿元，建造2座晶圆厂生产存储芯片。

从报道来看，紫光在广州的存储芯片布局还是协议性的，目前并没有实际投资，工厂建设也无从谈起。此外，紫光的一系列资本操作也让人很迷惑，因为2017年底紫光宣布华南总部落户东莞，拟在东莞投资1000亿元，建设紫光集团芯云产业城项目暨“紫光集团华南区总部项目”。

但那次的投资也是协议性的，如今紫光宣布华南总部落户广州，意味着东莞的投资协议已经黄了，至少华南总部投资是没了。

紫光何时落实广州的投资还不确定，不过随着这次投资协议的公布，紫光布局第四个存储芯片基地的传闻已经证实了。在广州之前，紫光已经在武汉、成都、南京三地巨额投资了存储芯片基地。

在武汉，紫光收购了新芯科技，打造了长江存储公司，项目总投资240亿美元，一期工程已经建成，去年投资17.8亿美元的二期工程也正式启动了，这两期工程主要生产3D NAND闪存。

在成都，去年10月份紫光成都存储器制造基地项目也开工了，占地面积约1200亩，总投资达240亿美元，将建设12寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售，旨在打造世界一流的半导体产业基地。

在南京，几乎是成都项目开工的同一时间，“紫光南京集成电路基地项目（一期）”也在南京举行开工典礼，投资额105亿美元，项目建成后月产能约为10万片晶圆，而项目总投资预期高达300亿美元。

广州这边的存储基地还是计划性的，总投资及产能还是未知数。

在存储芯片领域，紫光有个千亿美元的庞大投资计划，去年紫光董事长赵伟国表态紫光将在未来10年投资1000亿美元建设芯片制造基地，目前已经筹集了1800亿元。

这两天中国贸易谈判团队赴美进行新一轮谈判，之前的谈判中有爆料称双方已经达成了一项备忘录，同意解决双方存在的一些问题。英国金融时报日前援引消息人士的话称中美谈判代表也就半导体领域存在的美光与晋华长期存在的争端做了沟通，有意将此问题纳入双方的贸易协议中，这也是双方建立互信的的措施之一。

美光与晋华之间的纠纷最终能否解决、怎么解决还是个悬念，不过专利纠纷这样的事通常都是双方和解，然后达成专利授权，最可能的情况还是晋华方面出钱获得美光的技术授权，而美光及美国方面也不会再用政策阻碍晋华发展内存芯片。

当然，晋华及联电方面此前一直否认侵犯了美光的内存专利权，如果有足够支持让晋华、联电不用花钱就能了结专利纠纷，这自然是最好的结果了。

从美国总统最新的推文来看，他在中美科技竞争中的态度已经发生了变化，强调美国公司要通过竞争取胜，而不能通过封锁的手段取胜，这个变化也被视为中美贸易谈判重要进展的一个信号。

无论半导体领域的纠纷能不能解决，国内发展半导体芯片，特别是存储芯片的决心是改不了的，2017年中国进口半导体芯片2700多亿美元，其中存储芯片占了886亿美元，高价值的DRAM内存芯片又占了多数部分，2018年中国进口的半导体芯片价值3121亿美元，存储芯片预计会过千亿美元，而国产存储芯片占比几乎是0，这部分差不多是完全依赖进口。

路透社称，SK Hynix公司本周四宣布将投资1070亿美元建设四家晶圆厂，在韩国首尔以南450万平方米的场地上，2022年会开始建设两座新的存储芯片晶圆厂，与现有的两座工厂比邻而居，未来十年投资高达55万亿韩元，约合490亿美元。

路透社称SK Hynix大手笔建厂试图在中国努力成为先进芯片制造国的过程中保持其竞争优势。

尽管这两年全球智能手机销售不振导致芯片热炒放缓，但SK Hynix正在为5G及AI人工智能等技术带来的需求激增做准备。“虽然目前自动驾驶汽车对芯片的需求不足，但我相信未来10年里，最早在2023-2024年自动驾驶汽车对芯片的需求就会更多。”，Mirae Asset的分析师Kim Young-gun表示这将为SK Hynix创造更多芯片需求，未来几年的5G市场也会如此。

CNBC称SK Hynix的这项计划加剧了全球最大的存储芯片出口国韩国与中国之间的竞争，中国一直在积极鼓励投资芯片制造业，以减少与美国贸易争端中的进口依赖。

中国是世界上最大的芯片进口国，2017年进口价值2700多亿美元的芯片，超过了原油进口总额。

SK Hynix表示投资计划需要经过当地部门批准，未来将有超过50家国内外供应商进入距离韩国首都40公里外的龙仁工厂。

这家芯片制造商在中国无锡还有第三家工厂，该公司表示尚未确定产能增加。（注：SK Hynix在中国无锡除了有一期晶圆厂之外，还投资了36亿美元建设二期工厂，并且一期工厂也在扩增产能中）

该发言人Olivia Lee告诉路透社，“这确实是一项长期投资，我们的策略可能会根据市场情况改变。”

今年10月份SK Hynix才刚刚建成最新的M15晶圆厂，这是2015年全球最大的存储芯片工厂M14落成时SK Hynix宣布的46万亿韩元投资计划中的一部分，M15工厂位于韩国忠清南道的清州市，投资额高达15万亿韩元，主要生产3D NAND闪存，初期将生产现在的72层堆栈3D NAND，不过明年初就会转向96层堆栈的3D NAND闪存。

M15工厂之后就是现在的M16工厂了，本周三也就是19日正式举行开工典礼，预计2020年正式建成，总投资额还没确定，不过也不会低于15万亿韩元，其中基础设施建设就要3.5万亿韩元，战地面积30英亩。这座工厂最终会生产DRAM内存还是NAND闪存都没确定，SK Hynix表示这要看落成时的市场需求以及工厂的技术水平来决定。

不过有一点可以肯定的，M16工厂将会用上最先进的EUV光刻工艺——存储芯片跟逻辑芯片不同，虽然对EUV光刻工艺的需求没那么高，不过三星、SK Hynix依然计划在未来使用EUV工艺生产存储芯片，而美光对EUV的态度就比较保守，未来两代的内存芯片依然不会用到EUV光刻工艺。

在韩国之外，SK Hynix在中国无锡也有DRAM芯片晶圆厂，目前的一期工程产能在10-12万片晶圆/月，是全球重要的DRAM芯片基地之一。今年早些时候SK Hynix还宣布投资86亿美元在无锡建设第二座内存工厂，预计完成后内存产能将达到20万片晶圆/月。

韩国Pulsenews日前援引DRAMeXchange的数据称截至今年9月份，韩国公司在全球DRAM内存芯片市场上的份额已经高达74.6%，其中三星公司占据了45.5%的份额，SK Hynix的份额为29.1%，市场上第三大公司美国美光份额为21.1%。

韩国公司在全球DRAM市场上只有这么高的份额，以致于中国市场都非常依赖韩国DRAM芯片供应，早前韩国的韩联社援引韩国国际贸易协会及韩国贸易投资振兴公社（KOTRA）公布的数据称，2017年中国总共进口了886亿美元的存储芯片，同比增长了38.8%，其中进口于韩国的比例为52.2%，来自台湾地区的也占了22.2%，日本地区的进口存储芯片也占了6.5%。

业内观察人士表示中国目前还会严重依赖三星电子、SK Hynix等韩国存储芯片公司，因为他们在技术及产能上继续领先中国公司。

中国公司目前正在使用的技术是韩国公司几年前使用的，比如福建晋华集成电路有限公司研发的芯片工艺还是22nm，三星在2011年到2015年就已经使用该工艺了。

KOTRA表示“中国对存储芯片的需求急剧上升，但由于产能限制，预计韩国还会是最大的供应商。”，不过KOTRA补充说随着北京努力培育本国芯片制造商，包括大规模投资建设，中国公司有可能缩小与三星、SK Hynix的差距。

本周一美国商务部宣布制裁中国福建晋华集团，理由是涉嫌危害美国国家安全，晋华被列入出口管制实体清单之后将无法获得美国公司的半导体设备、技术及软件等。

周四美国司法部也宣布起诉联电及晋华公司，还有三名前美光公司员工，理由是这两家公司涉嫌窃取美国芯片厂商美光的知识产权及商业机密，该市场价值1000亿美元，给美光造成的损失将近90亿美元。

此事之后，美光方面也发表了声明，美光科技高级副总裁、法律总顾问兼董事会秘书Joel Poppen表示“我们对美国司法部决定就窃取我们知识产权的刑事犯罪行为提起诉讼表示欣慰。”

联电公司周五也发布了官方声明，指出美国检察官办公室发提起的诉讼与美光之前在加州发起的诉讼内容相同。联电对美国检察官办公室在没有事先通知并给与联电机会讨论此事的情况下就发起诉讼一事表示遗憾。

联电表示，联电是一家行业领先的台湾半导体公司，过去四十年来一直致力于开发先进集成电路及其他技术，投入了大量资源研究及开发新技术，并拥有数千项有效技术专利组合。联电将严肃对待任何可能违反法律的的指控，并全力以赴回应这次的指控。

昨晚涉事的另一方中国福建晋华集成电路有限公司也发表了声明，具体如下：

福建省晋华集成电路有限公司声明：

晋华公司始终坚定走自主研发路线，不断加大投入，开展内存存储器关联产品的研发、制造，取得了一批专利成果。晋华公司始终重视知识产权保护工作，不存在窃取其他公司技术的行为。

美光公司把晋华的发展视为威胁，采取各种手段阻止、破坏晋华的发展。美方将晋华列入美出口管制“实体清单”，并采取司法措施。对此，晋华公司坚决维护企业的合法权益，要求对方立即停止错误做法，便利和促进双方企业开展正常的贸易与合作。  

上周发布财报的西数就已经表露出NAND闪存降价对他们的巨大影响了，当季度西数营收、盈利同比下滑，虽然NAND闪存位容量出货增长了28%，但是NAND闪存的加价跌了16%，导致西数毛利率大幅下滑，增收不增利，而HDD硬盘业务那部分就不用说了，同比下滑了810万部，出货量只剩下3410万部。

NAND闪存的降价同样也会影响美光、SK Hynix、三星、东芝等公司的财报数据，只不过三星、美光、SK Hynix这些公司有DRAM内存的高价支撑，财报数据不会像西数这么惨。

根据之前的数据，2018年NAND闪存价格至少下跌了50%，而这个趋势还会持续下去，市场预期2019年NAND闪存价格还会再跌50%。为了减缓NAND价格下跌对公司的影响，从西数到美光都在减少NAND闪存产能投资，以便减少NAND供应，缓解市场对降价的预期。

不过NAND闪存降价这事恐怕很难阻止，就好像当年涨价不受控制一样，因为2019年三星、东芝、西数、美光、英特尔、SK Hynix公司都会加速量产96层堆栈的3D NAND闪存，而且内存也会从TLC向QLC闪存转向，在解决初期的良率问题之后，NAND闪存的供应势必还会增加，降价是跑不了的。

值得注意的是，明年还有一件事可能会对NAND市场格局产生变化，那就是中国的长江存储公司也会加入战场，今年内他们小规模生产了32层堆栈的64Gb闪存，但主力还是明年量产的64层堆栈3D闪存，尽管技术上还会落后其他厂商，但是长江存储显然会用价格做武器去抢占入门级NAND市场。

来自可中新网的消息，紫光成都存储器制造基地项目开工动员活动昨天在成都双流举行，成都市委书记、市长等政府高官以及紫光集团董事长、CEO赵伟国出席了这次开工活动，并发表了主题演讲。

成都市长罗强在致辞中表示，成都是国家重要的电子信息产业发展基地，正积极实施“一芯一屏”发展计划，紧紧围绕关键核心部件研发制造，全力推动电子信息产业转型升级。我们坚信，在国家部委和省委省政府大力支持下，通过紫光集团全体员工创新创造和辛勤付出，项目建成后必将巩固紫光集团在全球集成电路产业的重要地位，助推成都、助推四川跻身世界芯片制造版图。成都将继续为紫光集团在蓉项目建设运营提供优质高效服务，锻造好、维护好、利用好核心技术的“国之重器”，共同谱写中国电子信息技术产业更加美好的未来。

赵伟国表示，成都紫光集成电路制造基地项目建设标志着紫光集团在芯片制造领域布局又迈出坚实一步，也是中国集成电路崛起征程中建立的又一个桥头堡。此次项目瞄准我国高端集成电路产品设计制造等薄弱环节，汇聚全球高端科技产业实力，致力于打造世界一流半导体产业基地，对我国实现高端集成电路创新突破具有重大意义，相信它的建成必将助推四川和成都成为全球重要的电子信息产业基地，为四川、成都经济高质量发展贡献力量。

据介绍，紫光成都存储器制造基地项目占地面积约1200亩，总投资达240亿美元，将建设12寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售，旨在打造世界一流的半导体产业基地。

PS：随着成都存储器制造基地的开工，紫光集团在存储芯片上的布局已经有武汉、南京及成都三处了，武汉的项目是收购了武汉新芯科技之后重组成了长江存储科技，项目投资240亿美元。就在成都项目动工的同一时间，“紫光南京集成电路基地项目（一期）”也在南京举行开工典礼，投资额105亿美元，项目建成后月产能约为10万片晶圆。

从早前公布的计划来看，紫光集团在武汉、成都、南京三地的存储芯片布局投资高达700亿美元，不过这些投资并非一次性投入的，每个基地至少是两期到三期工程，投资周期跨度5-10年。

Digitimes援引业内人士的消息称三星、SK Hynix都打算推迟产能扩容计划，因为客户需求放缓导致DRAM内存及NAND闪存价格在2019年上半年下滑。

消息人士称全球NAND闪存在今年Q3季度中依然处于供过于求的状态，尽管这是传统旺季。供应商持续增加64层及72层堆栈的3D NAND闪存产能，再加上已经饱和的笔记本、智能手机市场导致的需求增长有限，这些都是NAND降价的原因。

此外，消息人士还提到市场上还充斥着不合格的NAND闪存芯片，这对闪存芯片价格进一步产生负面影响。Q3季度中NAND闪存价格可能会下跌10-15%，Q4季度中价格还会再降15%。

内存方面，DRAM合约价也出现了下跌迹象，消息人士称随着供过于求，预计Q4季度内存芯片价格也会开始下跌。

NAND闪存及DRAM内存价格将在2019年上半年遇到下行压力。

消息人士称，行业领导者三星之前主要为自家的SSD及其他产品供应3D NAND闪存，今年Q3季度开始对外提供存储芯片。消息人士称三星也在放慢3D NAND闪存产能扩张的计划，新产能不可能在2019年上半年上线。

此外，三星还被曝暂停在了韩国华城和平泽工厂为1ynm工艺的DRAM芯片增加新的产能的计划，原本三星计划在Q3季度增加每月3万片晶圆的产能。

消息人士称SK Hynix也计划放慢新的3D NAND芯片产能扩张的计划的步伐。

韩国的韩联社援引韩国国际贸易协会及韩国贸易投资振兴公社（KOTRA）公布的数据称，2017年中国总共进口了886亿美元的存储芯片，同比增长了38.8%，其中进口于韩国的比例为52.2%，来自台湾地区的也占了22.2%，日本地区的进口存储芯片也占了6.5%。

业内观察人士表示中国目前还会严重依赖三星电子、SK Hynix等韩国存储芯片公司，因为他们在技术及产能上继续领先中国公司。

中国公司目前正在使用的技术是韩国公司几年前使用的，比如福建晋华集成电路有限公司研发的芯片工艺还是22nm，三星在2011年到2015年就已经使用该工艺了。

“虽然智能手机及数据中心使用的DRAM内存芯片发展迅速，但是中国企业在这方面依然落后”，业内观察人士声称这种技术差距使得北京依然要依赖进口产品。

KOTRA表示“中国对存储芯片的需求急剧上升，但由于产能限制，预计韩国还会是最大的供应商。”，不过KOTRA补充说随着北京努力培育本国芯片制造商，包括大规模投资建设，中国公司有可能缩小与三星、SK Hynix的差距。

KOTRA协会研究员Moon Byung-ki表示“中国正在专注于通过国家主导的项目（支持芯片制造商），他们还招募海外专家来加强他们在芯片产业上的能力。”

“正如在家用电器及智能手机上的例子显示的那样，（中国公司与韩国之间的）差距可以缩小。”Moon Byung-ki研究员也提醒韩国公司要开发非存储产品技术以提高综合竞争力。

在重庆的国际智能产业博览会上，紫光集团董事长介绍了紫光的一些业绩，预计今年在云网业务上营收将达到600亿元，其中集成电路业务上营收200亿，网络、计算业务上营收400亿元。

在芯片行业，赵伟国提到紫光公司去年共出货34亿颗芯片，其中手机芯片从数量上来看已经是全球第三，仅次于高通、联发科。在手机芯片业务上，紫光集团主要是子公司紫光展锐，更确切地说就是展讯公司，根据展讯之前公布的数据，2016年他们出货了手机芯片6.7亿套，占全球份额的27%。

除了手机芯片，紫光展锐还是国内最大的智能卡（身份证、社保卡等）芯片供应商，每年出货六七亿套智能卡芯片，份额是第一位的。

在存储芯片方面，紫光旗下还有收购了武汉新芯科技之后重组的长江存储，赵伟国透露今年底将会量产32层64Gb核心的3D NAND闪存，明年会量产64层堆栈128Gb核心容量的闪存，同时还在研发128层堆栈的256Gb核心3D NAND闪存。

本月初的FMS 2018国际闪存会议上，长江存储也首次出席并发表了Xtacking堆栈结构的3D NAND新技术，I/O接口速度可达1.4Gbps，P/E寿命可达3000次。

2016年12月，以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设，其中包括3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，核心厂区占地面积约1717亩，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，2023年年产值达1000亿人民币。

赵伟国表示中国的集成电路已经初步摆脱了抄人家、学人家的状态。

IC Insights日前发布了《The McClean Report》，该报告中分析、预测了2018年全球IC芯片产业的情况，预计全年产值将达到4280亿美元，而DRAM内存将蝉联今年的冠军，产值将达到1016亿美元，使得它成为首个突破千亿美元的IC产品，占据24%的份额。

在DRAM内存之外，NAND闪存全年的产值也将达到626亿美元，位列第二，第三位的则是标准PC、服务器微处理器，市场价值为507.8亿美元，剩下的计算、无线通讯芯片产值分别是276、260亿美元。

DRAM内存及NAND闪存产值创新高，韩国两家厂商获利显然是最明显的，三星是全球第一大NAND闪存、DRAM内存厂商，份额分别占全球37%、45%，SK Hynix是第二大DRAM厂商，份额占全球28%左右，NAND份额大概占10%左右，两家合计占据全球DRAM市场份额的73%、47%，全球1600多亿的存储芯片市场上，这两家就能占到大约1000亿美元的份额，这一点上韩国两家公司的实力实在是太强大了。

MRAM磁阻式随机存储芯片是下一代存储芯片的候选人之一，兼具非易失、高速度、高密度、低耗等各种优良特性，可说是集各种记忆体优点于一体的产品，因此被认为是电子设备中的理想存储器。只不过这些指标还是理论上的，MRAM芯片离取代内存、闪存的日子还早着呢，但在物联网、工业、汽车电子行业应用前景很广泛。

美国公司Avalanche主要研发ST- MRAM (自旋矩磁阻RAM)技术，日前他们宣布与UMC联电达成合作协议，共同研发MRAM芯片，同时联电也将透过Avalanche的授权提供技术给其他公司，并透过授权提供客户具有成本效益的28 奈米嵌入式非挥发性MRAM技术。

在28nm工艺之外，两家公司还考虑将合作范围扩展到28nm以下的工艺中去。

在联电之前，台积电也宣布使用28nm工艺生产eMRAM及eRRAM芯片，预计2018年底试产。三星早前宣布4nm工艺时也提到了会针对物联网市场推出28nm FD-SOI工艺，也会生产eMRAM存储芯片。Globalfoundries之前公布的22FDX工艺也同样针对低功耗的物联网市场，也会推进eMRAM芯片研发生产。

国内的中芯国际也针对下一代存储芯片布局了，去年初他们宣布已经出样40nm工艺的ReRAM芯片，这种芯片密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片（200mm2左右）即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。