三星2013年宣布在中国西安市投资70亿美元建设存储芯片工厂，2015年底工厂完工，主要生产NAND闪存，包括最新的3D NAND闪存，今年三星还会从32层堆栈转向更高的64层堆栈，西安工厂也会是主要产地之一，该工厂每月产能高达12万片晶圆，比三星目前在韩国本土的Line 16/17产线产能都要高得多。

即便如此，NAND闪存涨价、缺货的大环境下，西安的产能也满足不了市场需求了，韩国投资者报刊文称三星正在跟当地政府谈判扩产西安工厂，投资高达10万亿韩元，约合89.3亿美元。目前双方的谈判已经接近完成，预计会在9月份动工。

西安的新工厂预计在2019年完成，届时总产能将达到20万片晶圆/月。三星前不久宣布韩国平泽市的NAND晶圆厂将在上半年完工，预计会在6月份开始运转，产能也高达20万片晶圆/月，不过之前的消息显示今年内产能可能只有7-8万片晶圆/月，一两年之后才能全速运转。

值得注意的是，三星大举扩建NAND晶圆厂的同时，中国国产的NAND工厂也在快马加鞭，清华紫光旗下的长江存储科技在武汉的总投资高达240亿美元，一期工程就是针对NAND闪存而来的，长江存储早前表示将在2018年量产32层堆栈的3D NAND闪存，想要了解更多国产NAND闪存进展可以加小超哥（id：9501417）微信咨询。

但是三星今年就要过渡到64层堆栈了，到2018或者2019年时3D NADN闪存有可能堆栈到96层甚至更高，依然要领先国产NAND闪存一两代的技术水平。

不论如何，国产NAND闪存都要进行下去，这里面既有国家意志的作用，也有现实的考虑，中国智能手机、电脑等行业需要的NAND闪存几乎全部依赖国外厂商，别人的技术、产能都是领先的，追赶起来不易，但不去追赶就永远没机会了。

2013年三星宣布在中国西安市投资70亿美元新建晶圆厂，主要生产的就是3D NAND，去年9月份的三星SSD全球峰会上三星表示经过两年的建设，西安的NAND工厂已经开始规模量产V-NAND闪存了，分析指该厂生产的NAND主要是第三代V-NAND闪存，48层堆栈，将是三星在韩国本土之外最重要的NAND基地，月产能高达10万片晶圆。

这次西安变电站事故就影响了三星NAND工厂，三星晶圆厂出现了电源闪断，机器大面积宕机，损失还在统计中。此外，西安市其他工厂如美光、立成也出现了电源闪断，部分设备受损。（晶圆厂是不能断电的，设备重新运行没这么容易）

问题是这个影响会有多大，目前消息看起来还好，三星表示受损的产能约为1-2%，属于可控范围，未来对供货不会有任何影响。

不过小编周末看到这个新闻的时候也发现有些媒体、股市分析师闻风而动了，三星所受影响不大，但难保有些人会借机炒作。

晶圆厂受起火（或者其他意外原因）导致产能受损进而影响市场价格的前车之鉴就是2013年SK Hynix无锡工厂着火，那次火灾影响很大，而无锡工厂的DRAM产能占到全球的13%，以致于内存价格在此之后不断上涨，过了一年多才恢复正常。