• 国产19nm DRAM内存下半年试产,未来可占全球产能8%

    孟宪瑞 发布于2018-05-21 12:03 / 关键字: 内存, DRAM, 合肥长鑫, 兆易创新, 19nm

    长江存储主导的国产3D NAND闪存已经开始安装光刻机等生产设备,预计今年下半年就要开始量产。相比之下,DRAM内存芯片因为难度更高,国内投入研发内存芯片的主要是合肥长鑫、兆易创新以及福建晋江/联电。最新消息显示兆易创新、合肥长鑫的国产DRAM将使用19nm工艺,预计下半年试产,项目建成之后产能可达全球DRAM产能的8%。

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  • Marvell主控搭配19nm闪存,威刚推出SX920系列SSD

    Blade 发布于2013-06-05 16:55 / 关键字: 威刚, SX920, Marvell, 19nm, SSD, computex 2013

      威刚在ComputeX 2013大会上推出了新的消费级SSD固态硬盘,新品属于SX920系列,有128GB、256GB和512GB三个型号,统一采用Marvell提供的主控(具体型号未确定)以及19nm制程的MLC NAND闪存芯片。 图片来源:TechPowerUp

      性能方面,威刚SX920系列固态硬盘拥有最高530MB/s的连续读取速度和480MB/s的连续写入速度,4K随机写入最高可达80000 IOPS,TRIM、NCQ、SMART等现有多数SSD均支持的功能自然也不会落下。

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  • 首款19nm闪存SSD,东芝推出HG5系列固态硬盘

    Strike 发布于2012-06-12 16:51 / 关键字: 东芝, HG5, 19nm

      就像Intel、镁光和三星一样,东芝除了卖NAND闪存之外其实还有做自家的SSD产品,不过现在东芝在卖的HG3系列SSD还停留在SATA 3Gbps时代,现在东芝准备用自家最新的19nm NAND打造下一代的HG5系列SSD产品。

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  • 19nm对决20nm,下一代SSD性能实测

    bolvar 发布于2012-06-09 13:46 / 关键字: NAND, 20nm, 19nm, SF-2281

      主流的NAND闪存工艺是25nm,东芝则为24nm,下一代工艺就是ONFI阵营的20nm以及东芝Toggle DDR阵营的19nm了,ComputeX展会上东芝正式发布了19nm工艺的SSD新品,而IMFT的20nm工艺SSD也有展出,之前我们也做过一个20nm工艺SSD的全球首测。   Tweaktown现场测试了这两款SSD,包括东芝19nm工艺和IMFT 20nm工艺的,使用的主控都是SF-2281,他们是发了两篇新闻的,这里整合到一起,但是还是两页来显示。

      测试系统由LSI提供,Tt强调与他们日常测试的优化机器配置不同,而且开了C-State节能,性能有可能偏低一些。

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  • 新一代MacBook Air或将板载19nm制程固态硬盘

    Blade 发布于2011-07-05 09:35 / 关键字: 苹果, MacBook Air, 固态硬盘, 19nm, Toggle DDR 2.0

      据日本科技博客网站Macotokara的消息称,苹果将在新一代MacBook Air笔记本电脑中采用由19nm制程工艺NAND闪存芯片组成的固态硬盘。新NAND闪存芯片基于Toggle DDR 2.0标准,接口带宽达400Mbps,速度更快功耗更低。

      据称,新一代MacBook Air将不再使用现有的特制固态硬盘“Blade X-gale”,而是直接板载于主板上,至于能否继续扩展暂时是一个未知之数。另外,目前主推Toggle DDR 2.0标准NAND闪存芯片的厂商主要是东芝和三星,其中东芝的产品已经达到了19nm制程,而三星的则为20nm级别,因此新一代MacBook Air的固态硬盘很可能由东芝提供。

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  • 体积最小密度最大,东芝19nm工艺NAND闪存芯片诞生

    Blade 发布于2011-04-21 17:29 / 关键字: 东芝, NAND, 19nm, 64Gb

      不久前,东芝宣布推出24nm工艺NAND闪存芯片。而半个月后的今天,东芝再次宣布,正式推出19nm工艺的NAND闪存芯片,单芯片容量达8GB,是目前密度最高的8GB NAND闪存芯片。

    24nm工艺已成过去?

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