刁石京原本是国家工信部电子信息司司长，今年5月份转任紫光集团联席总裁，负责紫光集团旗下的芯片业务，除了长江存储等芯片制造业务之外，还有紫光展锐等半导体芯片设计等业务。上周末他在武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司表态称今年Q4季度紫光将量产32层堆栈的3D NAND闪存。

根据紫光公司之前的资料，长江存储的32层堆栈3D NAND闪存是该公司集合了1000多名员工、耗资10亿美元、历时2年研发成功的，这是国内存储芯片中水平最接近世界一流水平的了。但是从之前的公开资料来看，紫光的32层3D NAND闪存核心容量还是64Gb的，这跟目前256-512Gb核心容量的水平还有点距离，另外QLC闪存的核心容量已经走向1Tb以上了。

此外，刁石京还提到紫光目前正在研发64层堆栈的3D NAND闪存，预计明年量产。

对国内的存储芯片公司来说，技术积累还需要长期投入，前不久长江存储宣布了新型3D堆栈结构Xtacking，号称I/O接口速度达到了DDR4内存的水平，同时具有业界领先的存储密度，该技术将在今年8月7日的国际闪存会议FMS上公开。

我们也从长江存储方面了解到，这个Xtacking堆栈技术主要用于长江存储64层3D NAND闪存上面，不过具体的I/O接口速度做到多少将取决于市场需求。

三星去年底就开始量产64层V-NAND闪存了，除了韩国本土的工厂，中国西安市的NAND晶圆厂也是三星最重要的产地之一。今年1月份三星开始正式出货64层堆栈闪存的SSD硬盘，2017年上半年产能还在继续提升，三星现在宣布大规模量产64层V-NAND闪存跟三星位于韩国的平泽工厂正式完工有关，这是三星2015年144亿美元半导体投资的一部分，号称全球最大的半导体工厂，今年7月份正式量产，未来将占据三星NAND产能的10-20%。

与西数、东芝宣布的64层堆栈BiCS TLC类型闪存核心容量达到512Gb不同，三星现在的64层V-NAND闪存TLC（3 bit）类型闪存容量还是256Gb的，不过接口速率达到了1Gbps，比早前曝光的800Mbs还要高。三星官方称64层V-NAND闪存的性能比三星之前48层堆栈的256Gb TLC闪存快了50%。

除了性能之外，64层V-NAND闪存能效也有所提升，输入电压从48层V-NAND的3.3V降至2.5V，能效提升了30%，此外可靠性也提升了20%。此外，64层V-NAND闪存的生产效率也提升了30%。

在64层V-NAND闪存的基础上，三星还在开发更先进的3D闪存，下一步目标是堆栈90层以上，早前传闻说是96层堆栈。

东芝早前展示的64层堆栈3D NAND闪存核心容量达到了512Gb（64GB），比目前的NAND闪存密度提高了65%，是容量最高的3D NAND闪存之一，可以轻松制造出1TB的SSD硬盘。这次发布的XG5就是这样的产品，M.2 2280规格，容量分别是256GB、512GB和1024GB，单面布局即可实现1TB M.2硬盘。

除了体积小巧的优势之外，XG5硬盘的性能也不错，使用了PCI-E 3.0 x4及SLC缓存，连续读取速度可达3GB/s，写入速度也有2.1GB/s，而且功耗比现有产品更低，东芝称待机功耗减少了50%，不足3mW。

在常规型号之外，SED自加密版还支持TCG Opal 2.01安全规范，这个更适合商业市场。

东芝的XG5系列M.2硬盘已经开始小批量向OEM厂商出样，消费级产品的上市时间、价格还未知，大家可以先关注小超哥（id：9501417）微信，因为东芝也会参加这次的台北电脑展，大家可以让小超哥去东芝展台了解更多详情。

在3D NAND闪存方面，三星是最早量产也是产能最大的供应商，进度遥遥领先东芝、美光、SK Hynix、Intel等公司。不过东芝作为NAND技术的发明人，在技术路线上也有独到之处，他们跟闪迪联合开发了BiCS技术的3D NAND闪存，目前已经发展了三代，不过第一代HiCS跟三星初代V-NAND闪存一样并没有量产，目前生产的是第二代48层堆栈的BiCS 3D闪存，下一代就是64堆栈的3D NAND闪存。

东芝及合作伙伴西数（闪迪被西数收购了）早前已经宣布过了64层BiCS技术的3D NAND闪存了，TLC类型，核心容量达到了512Gb（64GB），比目前的NAND闪存密度提高了65%，可以轻松制造出TB级别SSD硬盘。

东芝预计展示的产品会是XG系列NVMe硬盘，跟OCZ之前推出的消费级RD400系列很相似，不过东芝的XG系列主要面向OEM市场，他们也没有公布二者之间到底有什么区别。

东芝已经在4月份出样了64层堆栈的3D NAND闪存，预计下半年就会大规模量产。有了这种超大容量的3D NAND，SSD容量可以轻松达到1TB、2TB甚至4TB，智能手机达到512GB甚至1TB也有希望了。大家猜一下哪款手机会首先用上512GB闪存？下半年的iPhone 8会不会来个太上皇版的512GB型号？对于这个问题，大家可以加小超哥（ID：9501417）微信，告诉他你们的猜测，我们来验证下下半年的iPhone 8会不会有这个奇迹。

2015年三星宣布了15.6万亿韩元（约合144亿美元）的半导体投资计划，将在韩国平泽市建设全球最大的NAND晶圆厂，预计在2017年上半年完工。平泽工厂将在三星的NAND业务中扮演关键角色，未来将与三星在京畿道器兴市的系统半导体工厂、华城市的DRAM内存工厂形成铁三角。

平泽工厂预计会在7月份正式投产，虽然号称是全球最大的半导体工厂，不过产能提升也是有个过程的，今年内产能可能只有7-8万片晶圆/月，一两年之后才能全速运转。三星平面及3D闪存工厂加起来每月产能大约是45万片晶圆，平泽工厂将占据10-20%的份额。

既然是费尽心血建设的新一代工厂，平泽工厂生产的产品自然也会是最新的3D NAND闪存，三星之前已经发布了堆栈层数分别是24、32、48层的三代3D NAND，平泽工厂下半年预计会生产堆栈层数达到64层的第四代3D NAND闪存。

根据三星之前公布的资料，64层堆栈的3D NAND核心容量提高到512Gb，IO接口速度800Mbps。

在平泽工厂之前，三星在中国西安投资70亿美元建设了NAND工厂，主力产品就是目前的48层堆栈3D NAND，未来西安工厂也会投产64层3D NAND闪存。

三星平泽工厂在未来两三年内可能还是最大的半导体工厂，不过这个最大工厂的名头很有可能被中国的长江存储科技取代——该公司在武汉、南京建设的晶圆厂规模更大，2020年时每个晶圆厂月产能可达30万片晶圆（还是12英寸的），真要投产了这两个工厂的产能就足以比肩三星全部NAND工厂产能，而武汉基地规划的产能最终是在2030年达到每月100万片晶圆。

昨天的新闻中紫光高层还表态不会打价格战，不过未来中国自己生产的3D NAND闪存问世了，如此庞大的产能之下怎么可能没有价格战，不过往好的方面看，国产厂商加入战局也有可能带动3D NAND从大幅涨价回归理性。

在3D闪存方面，三星的V-NAND闪存量产时间最早，领先SK Hynix、东芝、美光、Intel至少两年时间，现在已经发展到了第三代，堆栈层数48层，而美光、Intel、SK Hynix等公司的3D闪存不过24、36层堆栈，东芝闪迪系的BiCS闪存起点很高，直接上48层堆栈，但量产时间要等到明年。

今年8月份三星就曝光了64层堆栈的V-NAND闪存了，TLC类型，核心容量提高到512Gb，IO接口速度800Mbps。

根据三星最新的规划，64层V-NAND闪存预计会在今年底量产，韩国京畿道声的华城市工厂已经开始准备生产了。此外，三星在中国西安的晶圆厂也会量产64层V-NAND闪存，去年发布950 Pro时三星就提到西安工厂是最早量产48层堆栈3D闪存的工厂，这次64层堆栈闪存量产计划中，西安工厂也会是主产地之一。

三星还在韩国平泽市建设新的工厂，今年12月份将完成主体建筑施工，最快明年4月份就能生产，这比预期的时间提前了三个月。