据称，MT8195的CPU为八核心设计，分别是四个用于计算密集型应用的Arm Cortex-A78大核心，和四个能够同时处理后台任务并最大限度延长电池寿命的高能效Arm Cortex-A55小核心，集成的显卡是五核Arm-Mali G57 GPU，此外它还具有联发科的AI处理单元（APU），MT8195的AI处理单元是联发科的APU 3.0，具有4 TOPs 的性能。MT8195支持四通道2133MHz LPDDR4X内存，并且支持多达三台显示屏同时显示。

MT8192则是采用台积电7nm工艺，同样具有8核心的CPU，分别是四个Arm Cortex-A76核心和四个Arm Cortex-A55核心，集成的显卡也是五核Arm-Mali G57 GPU，MT8192的AI处理单元是联发科的APU 2.0，具有2.4 TOPs 的性能。MT8192同样支持2133MHz LPDDR4X内存，并且支持UFS 2.1 存储。MT8192支持2560*1440分辨率且刷新率为60FPS的显示屏，或者1920*1080分辨率的120FPS显示屏，也可以支持两台1920*1080分辨率60FPS显示屏同时显示。

除此之外，两款芯片组都有一个专用的音频数字信号处理器（DSP），可以为语音助手功能实现超低功耗语音唤醒（VoW），并且都支持4K HDR视频解码功能。此外, MT8192 和 MT8195 芯片组还支持 PCI-Express Gen 3 和 USB 3.2 Gen 1。

据称，搭载 MT8192 的 Chromebook 将于 2021 年第二季度上市。而 MT8195 将出现在高端 Chromebook、智能显示屏、平板电脑和其他智能设备中，这些产品也将在稍后的时间面世。

除了台积电之外，爆料者指出，英特尔曾经在数月之前和三星进行过芯片代工的洽谈。不过从目前三星5nm EUV制程工艺的情况来看，这个合作应该是黄了，已经下单三星5nm的高通，目前应该挺慌的。如果三星5nm工艺制程不能快速解决良率的问题，那么高通的骁龙875处理器的发布和生产将会受到影响。

根据“手机晶片达人”的爆料消息，英特尔已与台积电达成协议，并预订了台积电明年18万片6奈米产能。其实，在自家制程工艺一直在牙膏都几乎没有挤的情况下，英特尔委托第三方代工厂生产自家的芯片的消息早已有之。

三星的V1工厂位于韩国本土，始建于2018年2月份，并已经在去年下半年开启了晶圆生产的测试，官方称该工厂将于本季度将第一批产品交付给客户。

V1工厂将会专注于使用7nm以下的制程工艺生产晶圆，目前它正在生产使用7nm和6nm节点的移动芯片，并将会逐渐进化，直到达到3nm节点。在三星的工艺路线图中，7nm节点将会逐渐演进到4nm，而3nm节点则将会使用全新的工艺技术，所以预计到时会有新的生产线接手3nm的生产。

到2020年末，三星预计将在V1工厂上累计投入约60亿美元，在大额投资的推动下，三星的7nm及以下制程产能相比2019年将扩增3倍。

目前三星共有6个半导体晶圆生产厂，覆盖了从180~7nm的不同制程工艺，其中专注于10nm以下的S3工厂将会和V1工厂一起撑起三星高端工艺产能。

目前三星可能已经接到不少使用EUV工艺的订单了，比如NVIDIA的新芯片和高通的SoC、基带等产品都有部分将交给三星使用新制程工艺进行代工，V1工厂也将是三星反击台积电的有利武器。

SEMI于20日公告北美半导体设备11月出货金额达21.21亿美元，月增1.9％、年增9.1％。SEMI全球总裁Ajit Manocha指出，11月出货金额表现强劲态势，可望一路延续到年底。

供应链指出，原先市场预期半导体产业市场于2019年恐受到美中贸易的冲击，影响产业界投资意愿，不过进入下半年之后，存储芯片需求明显升温，因此投资力道纷纷回笼。

举例来说，外媒先前报导指出，三星计划对位于我国西安的存储芯片生产工厂启动增资计划，以加速当地NAND Flash产能，投资金额将高达80亿美元，为的就是看好2020年及未来的NAND Flash需求。

另外，DRAM部分，各大厂正在朝向1y／1z纳米DRAM制程推进，且市场普遍看好，2020年服务器DRAM、显示卡DRAM需求可望大幅成长，推动DRAM报价节节攀升。

SEMI放出的最新报告指出，原估计2019年全球晶圆厂设备投资将较2018年衰退18％，不过下半年除了在逻辑芯片之外，存储芯片投资力道也开始升温，因此全年晶圆厂设备投资金额仅年减7％，减幅大为缩小。

至于在逻辑芯片市场，目前又以台积电动向最受市场瞩目，预期2020年先进制程研究方面将从现今的极紫外光（EUV）的7+纳米制程推进到5纳米，且2020年底就会出现6纳米制程接棒投产，未来将持续朝向3纳米发展，在台积电不断朝向先进制程发展下，不论是新厂建置或是设备需求都将同步增长。

台积电昨日宣布，导入EUV微影技术的7nm+制程奠基于台积电成功的7nm制程之上，并且为6nm以及更先进的制程奠定了良好的基础。7nm+的量产速度为史上量产速度最快的制程之一，它与2019年第二季度开始量产，在7nm制程已经量产超过一年时间的情况下，7nm+的良品率已经达到和7nm相当接近的程度。

7nm+制程还提供了整体效能的提升，7nm+制程的逻辑密度比7nm提高了15%到20%，并同时降低了功耗，使其成为业界下一波产品中更受欢迎的制程选择。台积电亦快速部建产能以满足多个客户对于7nm+的需求。

EUV微影技术使台积电能够持续推动晶片微缩，因为EUV的较短波长能够更完美的解析先进制程的设计。台积电的EUV设备已经达到成熟生产的实力，EUV设备机台也已经达到大量生产的目标。

台积电业务开发副总经理张晓强表示：“AI和5G的应用为晶片设计开启了更多的可能，使其得以许多新的方式改善人类生活，我们的客户充满了创新及领先的设计理念，需要台积电的技术和制造能力使其实现，我们在EUV微影技术上的成功，是台积电能够具体落实客户领先设计的绝佳证明。”

7nm+的成功经验是未来先进制程技术的基石。台积电的6nm制程技术将于2020年第一季度进入试产，并于年底前进入量产。随着EUV微影技术的进一步应用，6nm的逻辑密度将比7nm提高18%，而6nm凭借着与7nm完全相容的设计法则，也将大幅缩短客户产品上市的时间。

PCGamesN的报道中指出，如果AMD使用台积电的5nm工艺的话，晶体管密度会比现在的7nm工艺提升80%，整体性能会提升15%，虽然台积电说明年上半年就能投产5nm，但是AMD已经确定使用7nm+ EUV工艺生产明年的Zen 3架构处理器了，7nm+工艺可以让晶体管密度提升20%而性能提升10%。

至于Zen 4是否会用台积电5nm工艺，如果在2021年AMD就选用5nm的话，在对抗Intel的时候AMD就会有很大的制程优势，毕竟根据Intel的线路图届时他们才开始全面转向10nm，但是5nm工艺是一个全新的节点，这意味着它不遵循7nm节点的设计规则，需要大量时间去设计芯片并进行实验。

但如果从7nm转向6nm工艺就简单得多了，虽然6nm和5nm听起来差很小，但是6nm只是7nm的工艺改进，设计方法与7nm工艺完全兼容，晶体管密度提升18%，和7nm+差不了多少（听起来像7nm++）。

实际上AMD现在应该6nm和5nm的产品都在设计中，5nm的进度良好的话倒是就直接发5nm的，而6nm的是后补备用的方案。

台积电的6nm工艺有点类似16nm到12nm工艺的改进，实际上是基于7nm工艺改进的，台积电表示他们利用了7nm（N7）到7nm EUV（N7+）工艺的经验及技术，使得N6工艺的逻辑密度提升了18%，但设计方法与7nm工艺又是完全兼容的，所以原先的设计是可以快速过渡到N6工艺上的，上市时间更快。

与7nm工艺相比，6nm工艺主要是提升了18%逻辑密度，也就是说单位面积上的晶体管数量更多，或者说同样的晶体管数量下核心面积会更小，因此6nm工艺具备更好的成本优势，同时性能、功耗优势与7nm工艺保持相同。

台积电预计在2020年Q1季度试产6nm工艺，主要针对中高端移动芯片、AI、5G、消费级产品、GPU等等。

全球晶圆代工市场上最具实力的就是三星、TSMC了，今年这两家公司的主力工艺都是10nm，其中三星已经为高通量产了10nm工艺的骁龙835处理器，TSMC的10nm客户有联发科、苹果和海思，但是尚未有10nm芯片发布上市，最大客户苹果要到9月份才发布新iPhone，联发科的Helio X30发布了但一直没上市。

10nm之后的新一代工艺是7nm，在这个节点上三星要落后TSMC了，后者在7nm节点重新赢回了高通订单，还有一个可能的客户则是AMD。三星现在也意识到了自己在7nm工艺上的进度落后了，韩国ETnews网站报道三星半导体业务部门正在全力推进6nm工艺，虽然它是基于7nm工艺的改进版，但优势更多，核心面积更小，成本更低。

三星预计在2019年量产6nm工艺，而7nm工艺预计在2018年量产。

与此同时，TSMC也在减少10nm工艺的投资，加大未来的7nm投入，前一种工艺主要给苹果代工今年的A11处理器，7nm工艺已经获得了高通的芯片订单。

三星去年10月份宣布率先量产10nm工艺，已经确定的产品是高通的骁龙835及三星的Exynos 8895处理器，不过现在这个工艺还是低功耗的10nm LPE工艺，后面还有更新的10nm版本，比14nm时代衍生版还要多。

三星表示今年底将推出10nm LPP高性能工艺，明年则会有10nm LPU工艺，这两种工艺将帮助三星在代工领域继续保持竞争力。

10nm之后就是7nm工艺了，三星的计划是2018年量产，此前三星才宣布了70亿美元的投资计划，其中大部分投资都给了未来的7nm晶圆厂，光是买ASML公司的EUV光刻机就投入17亿美元之多——每台EUV光刻机售价2.18亿美元，三星买入了8台。

在10nm、7nm之外，三星还宣布会推出8nm、6nm工艺，这两种工艺之前从来听说过，三星官方表示它们分别基于10nm、7nm工艺改进，可以提供更好的扩展性、性能及能效。

三星将在5月24日举行的美国三星代工厂论坛会议上公布进一步消息，包括8nm、6nm工艺详情。

PS：半导体制程工艺划分本来是有业界公认标准的，但是自从TSMC、三星在14/16nm工艺上“坏了行规”之后，这两家的工艺命名越来越营销化，二者的14/16nm在栅极距等标准上与Intel 14nm工艺相比还是要差一些，10nm工艺节点同样也是如此，TSMC甚至把第四种16nm工艺改进版直接改称为12nm工艺，现在三星又折腾出了8nm、6nm工艺，这明显是10nm、7nm工艺的改良版，要知道以往升级一代工艺的线宽标准往往是缩小30-50%，比如55nm-40nm-28nm-20nm-14nm-10nm-7nm这样（原本还有半代工艺之分，比如20nm、10nm这样的节点），三星搞出个6nm工艺，但是7nm之后还有个5nm，未来还会有3nm，这命名可就乱多了。

可以预见，TSMC在命名上也不会吃亏，未来的10nm、7nm改良版势必也会如三星这样改名，而不是说使用之前那样10XX、7XX工艺命名。小超哥（微信：9501417）也非常关注制程工艺的升级，会定期在朋友圈公布一些最新进展。