从2D NAND平面闪存到3D NAND闪存的升级中，三星、东芝/西数、SK Hynix及IMFT（美光/Intel）的3D NAND技术路线各不相同，堆栈层数也不一样，比如三星V-NAND闪存首发是24层堆栈，量产型是32层堆栈，今年内也会有64层堆栈的，东芝/西数的BiCS闪存首发就是48层堆栈，不过下一代也是64层堆栈，前不久西数、东芝分别宣布了64层堆栈的512Gb闪存。

Intel和美光的3D NAND闪存来的最晚，首发也是32层堆栈，年内也会升级到64层，不过这两家在3D NAND闪存上还握有3D XPoint这个王牌，Intel、美光迟早都会把重心转向这个次世代3D NAND闪存上去的。

SK Hynix去年4月份才发布了36层堆栈的128Gb 3D闪存，去年11月份又量产了48层堆栈的256Gb闪存，5个月后的今天又宣布了72层堆栈的3D NAND闪存，进度还是蛮快的，也有助于SK Hynix在3D NAND闪存上追赶三星、东芝等老朋友。

根据SK Hynix官方资料，72堆栈的3D NAND闪存相比48层堆栈的3D NAND闪存提升了30%的生产效率，内部运行速度提升了两倍，读写速度提升20%。

不过从容量这方面来看，72层堆栈的3D NAND闪存还是256Gb，而且还是TLC类型的，容量上相比目前48层堆栈的3D NAND并没有提升，SK Hynix提升的主要是效率及性能，而东芝、西数及三星都已经寻求更大容量的512Gb核心3D NAND闪存量产了。

按照SK Hynix的说法，72层堆栈的3D NAND闪存将在今年下半年开始量产，而512Gb核心容量的72层堆栈应该也会在规划中了，就看SK Hynix何时宣布了。想提前知道何时发布，可以问下小超哥weixn：9501417（长按复制），他会有个大概预估时间告诉你的，假如你对3D闪存上有什么专业问题，更可以找小超哥咨询~

3D闪存相比普通2D闪存具备很多优势，包括性能、可靠性之外，最重要的就是它可以提高闪存容量，进一步降低成本，理论上堆栈层数越多，3D闪存容量就越大，优势也越明显。之前在超能课堂(36)：3D NAND闪存是什么，引中国厂商竞折腰？一文中，我们也简单介绍了什么是3D闪存及四大豪门当前主要的3D闪存规格。

2016年上半年各NAND厂商代表性的3D闪存规格及堆栈层数

三星发展3D NAND闪存最早，目前已经推出了三代V-NAND闪存，最高堆栈层数是48层，下一代3D闪存是64层堆栈，今年底开始量产。东芝/西数则是BiCS类型的3D闪存，堆栈层数是48层，下一代也是64层堆栈，美光/Intel的3D闪存进度最晚，堆栈层数也是32层，下一代则会提升到64层堆栈，美光在新加波的10X晶圆厂年底将会量产64层堆栈闪存。

SK hynix的3D闪存发展了两代了，32层堆栈的算是实验性的，今年11月份正式量产48层堆栈的3D闪存。不过根据韩联社的消息，SK Hynix的下一代3D闪存也在路上了，2017年上半年完成芯片设计，2017年下半年正式量产，生产厂就是去年才建成的利川市M14晶圆厂。

从层数上来看，SK Hynix如果明年真的能顺利量产72层3D闪存，那么他们的堆栈能力就超过了其他三家，后者明年的3D闪存还是64层堆栈的，不过三星此前已经提到了96层堆栈的3D闪存，早已在研发中，只是尚未有确定的量产时间表。