VSaaS（视频监控即服务）系统现在已经越来越多地集成基于人工智能的高分辨率相机，这些高分辨率相机可以存储更多内容。美光声称其新的i300 1TB microSDXC卡可以在相机中进行7天24小时不间断的连续捕获和存储高达1TB的高质量视频。视频监控系统的用户现在可以在设备上存储大量视频素材，从而为云托管解决方案开辟了更广泛的用途。

美光的商用级microSD产品组合旨在承受部署监控系统所处的恶劣环境。Micron i300 1TB microSDXC卡在24/7，每秒30帧（FPS）的记录环境中能最大程度地减少帧丢失，在200万小时的平均故障时间下提供了两倍于硬盘驱动器的可靠性。并且该卡具有用于监视设备运行状况的智能工具。

美光嵌入式事业部细分市场高级总监阿米特·加塔尼（Amit Gattani）表示：“美光用于边缘存储的i300工业级microSD卡为不再需要本地网络录像机的服务部署提供了广泛的视频监控可能性。” “美光公司的96层3D QLC NAND在帮助我们以microSD尺寸和突破性的价格提供1TB的存储容量方面发挥了重要作用，以加速边缘存储和基于云的服务模型。”

东芝的BG系列SSD硬盘主打轻薄、小巧，使用的是单芯片封装，将主控及NAND闪存封装在一起，所以规格也比较特殊，BG4可以是M.2 1620或者可拆分的M.2 2230规格，厚度还比BG3系列减少0.2毫米。

东芝BG4硬盘的NAND闪存升级到了最新的96层堆栈3D TLC闪存，相比64层堆栈的3D TLC闪存容量更大，所以最大容量提升到了1TB，是之前的两倍。此外，BG4的主控也从之前的PCIe 3.0 x2通道提升到了PCIe 3.0 x4通道，性能更强，连续读取速度2.25GB/s，连续写入1.7GB/s，随机读取330K IOPS，随机写入190K IOPS。

除了性能跟提升，东芝还优化了BG4硬盘的功耗，读取功耗减少20%，写入功耗减少7%，还支持额外的低功耗状态，功耗可低至5mW。此外，东芝还改进了BG4硬盘的HMB（Host Memory Buffer）技术，加速了读取访问范围，优化了后台闪存管理。

东芝的BG4系列硬盘容量有128GB、256GB、512GB及1TB，目前已经向部分客户提供样品，今年晚些时候正式上市。

NAND闪存从2D进入3D时代之后，堆栈层数成了提高容量、降低成本的一个重要指标，三星、东芝、美光、SK Hynix、英特尔等公司已经先后量产了24/32层、64/72层及96层堆栈的3D NAND闪存，其中96层堆栈的3D闪存是今年推出的，2019年会是几家NAND大厂的量产主力，核心容量也提升到了1Tb-1.33Tb级别。

相比这些公司，主力搞3D闪存的长江存储今年生产的还是32层堆栈的，核心容量仅为64Gb，月产能大概是6000片晶圆/月，主要用于U盘芯片等低端产品。按照规划，长江存储2019年将会量产64层堆栈的3D闪存，Digitimes报道称长江存储CEO杨士宁表示2019年底开始生产64层堆栈的3D NAND闪存，公司的毛利率将从负的转向正的，量产之后产能可达10万片晶圆/月。

虽然64层堆栈层数明年还是会落后于三星等大厂，不过长江存储今年在FMS国际会议推出了3D Xtacking技术，只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

此外Xtacking技术可以充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。

长江存储对Xtacking技术也很自信，所以杨士宁表示他们的64层3D NAND闪存能够与现有的96层堆栈3D闪存相竞争。

在此之后，长江存储在2020年会跳过96层堆栈直接进入128层堆栈的3D NAND时代，那个时候三星等国际公司大概也是刚刚量产128层堆栈的3D闪存，至少技术层面上不会再落后太多了。

对于国内的存储芯片公司来说，即便技术差距缩短了，如何在这个市场中活下来依然是长期的难点，产能爬坡、良率等问题对没有多少经验的国内存储公司来说还需要很多时间才能解决，更别说制造出有竞争力、能赚钱的NAND芯片了。

西数的闪存源自被收购的闪迪，后者是跟东芝共同投资生产NAND闪存的，9月底双方投资的四日市Fab 6工厂启用，总投资5000亿日元，折合约45亿美元，落成后主要生产新一代3D NAND闪存，堆栈层数可达96层。此前东芝、西数也宣布了96层3D NAND闪存的出样，现在西数首发了业界第一款96层堆栈的UFS 2.1闪存iNAND MC EU321。

西数官方公告中没有提到iNAND MC EU321是TLC闪存还是QLC闪存，考虑到最大容量才256GB以及QLC闪存的进度，iNAND MC EU321使用TLC类型的可能性还是最高的。

iNAND MC EU321容量涵盖32GB、64GB、128GB及256GB，UFS 2.1 HS-G3标准，封装尺寸为11.5x13x1.0mm。性能方面，连续读取可达800MB/s，连续写入550MB/s，随机写入52K IOPS，随机读取50K IOPS，写入性能号称比前代提升10%。

今年5月底西数公司就已经宣布出货96层堆栈的BiCS 4闪存，当时主要是3D TLC闪存，但是QLC闪存才是新一代闪存的重点，不到两个月西数的96层堆栈QLC闪存也开始出样了，预计今年内正式量产出货。

西数的BiCS 4闪存是跟东芝一起研发的，生产工厂位于日本四日市，如今西数的96层QLC闪存已经出样，那么东芝的96层QLC闪存也快了，预计最近也会宣布出样、出货了。

很多玩家都在担心QLC闪存的可靠性，一如多年前担心TLC闪存不耐操一样，不过站在厂商的角度来看他们是没可能放弃QLC闪存的，因为容量密度的诱惑太大了——西数这次出样的QLC闪存核心容量1.33Tb，要比之前美光/英特尔发布的QLC闪存的1Tb密度还要高33%，号称是业界最高容量。

1.33Tb的核心容量是什么概念？目前3D MLC闪存的主流核心容量还是256Gb，3D TLC也是256Gb核心为主，部分是512Gb，美光/英特尔可以做到768Gb，他们的QLC闪存可以做到1Tb，但是西数的是1.33Tb，换算一下就是166GB，这还是一颗核心的，一片闪存中通常是4-8颗核心，而2.5寸SSD硬盘的PCB中至少可以放4片闪存，这意味着2.5寸SSD硬盘随便玩玩就能实现3-5TB的容量，如果多堆点核心，10TB的SSD也是小菜一碟。

美光发布的QLC硬盘是7.6TB的，此前英特尔就被曝准备推20TB容量的SSD硬盘，不过厚度就要高一点，达到了15mm。

当然，上来就搞这么大容量也不现实，倒不是技术做不到，而是要考虑消费者承受的成本，无论如何未来普通人要想用上TB级的低价SSD硬盘，只能等QLC闪存硬盘了。

与美光/英特尔不同，西数的QLC闪存硬盘将首发于闪迪旗下的消费级硬盘中，现在就看到时候的价格了。

3D NAND闪存将在2017年超越2D NAND闪存成为主流，四大NAND厂商也都量产了32层、48层堆栈的闪存，64层堆栈的NAND闪存也有三星、东芝、西数、IMFT在下半年量产，SK Hynix的则是72层堆栈。再下一代就要轮到96层堆栈了，不过这次首发的并不是预期中的三星，而是西数。

西数公司今天宣布推出96层堆栈的3D NAND闪存，相比目前64层堆栈的闪存使用的BiCS 3技术，96层3D NAND闪存使用的是BiCS 4技术，预计在2017年下半年出样给客户，2018年开始量产。

堆栈的层数越多，3D NAND闪存容量就越大，成本越低，不过西数目前的96层堆栈闪存核心容量为256Gb（官方未公布是MLC还是TLC），尚且不及64层堆栈的512Gb（TLC）核心容量。

BiCS 4技术最大的意义不只是堆栈层数更多，西数提到96层3D NAND闪存不仅会有TLC类型的，还会支持QLC，也就是4bit MLC闪存。早前我们也多次提到了QLC闪存的优缺点，但是从今年台北电脑展上得到的消息来看，QLC闪存已经是势不可挡了，明年就会开始进入市场。

如今西数第一个表态会支持QLC闪存，三星、东芝、美光、Intel、SK Hynix等厂商的QLC闪存也不会太远了。尽管QLC闪存的可靠性、寿命要比TLC更差一些，不过从实际测试来看，随着容量的增加、技术的改善，TLC闪存并没有想象中那么容易写死，现在TLC闪存已经是市场上的主流了，MLC闪存已经少见了。

QLC闪存未来也要经过多次考验，大家接受这种闪存可能有个过程，大家对QLC闪存有什么想要了解的，可以加小超哥（id:9501417）咨询。