2017年中国进口了896亿美元的存储芯片，几乎100%依赖进口，因此存储芯片也是目前国内优先发展的半导体产业。国内目前有三大存储芯片基地，紫光主导的长江存储以武汉为基地，主要生产3D NAND闪存，预计明年正式投产32层堆栈的64Gb闪存，选择DRAM内存芯片作为重点的有两大阵营，福建晋华集团联合台联电在晋江建设DRAM晶圆厂，此前与美光发生专利纠纷导致美光芯片被福州法院禁售的就是与联电、晋江投资集团有关。

另一个DRAM基地是合肥长鑫，这个项目最初报道说是跟前日本尔必达董事长成立的公司合作，不过后者现在几乎淡出，合肥长鑫现在的合作方是兆易创新，去年10月份兆易创新宣布斥资180亿元进军DRAM市场，与合肥市产业投资控股有限公司合作，目标是研发19nm工艺的DRAM内存，预计在2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于10%。

合肥长鑫的DRAM项目投资超过72亿美元（495亿人民币），项目建设三期工程，目前建设的是一期工程12英寸晶圆厂，建成后月产能为12.5万片晶圆，安徽商报表示这个产能将占到全球DRAM内存产能的8%。

来自半导体行业观察的爆料称，合肥兆鑫已经正式投片，生产的规格为8Gb LPDDR4，这是国产DRAM产业的一个里程碑。

此外，合肥兆鑫CEO王宁国今年四月在出席合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”上表示，合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nn的研发。

从这次投产的时间来看，兆易创新/合肥长鑫的内存研发、生产正在按部就班进行，推出8Gb LPDDR4只是计划中的进度而已，不过从技术突破来看这应该是国内公司首次投产LPDDR4内存，此前紫光国芯计划提供的也只是DDR4颗粒。

不过话说回来，不论是DDR4还是LPDDR 4颗粒，国内公司投片生产虽然可喜可贺，但是从试产到大规模上市再到形成竞争力依然有很长的路要走，明年底的产能也不过2万片晶圆/月，即便不考虑明年国际主流是LPDDR4的技术差距问题，2万片晶圆/月的产能对全球每月上百万片晶圆的产能来说依然不会有什么重大影响。

与NAND闪存今年开始大降价不同，DRAM内存芯片在Q1、Q2季度依然在上涨，尽管涨幅与去年相比已经收窄，合约价涨幅在5%左右，而业界预期今年内存价格就会到顶，也就是说明年又会进入内存降价的周期，而降价对上游厂商来说肯定不是好消息。

在这样的时期，前几天传出三星18nm工艺的服务器芯片出现了良率问题，美国及中国的供应商已经要求韩国内存供应商暂停出货，直到他们解决了18nm DRAM芯片的良率问题。消息人士称这个过程可能需要1-2个月甚至更长时间才能提高产量。

三星的18nm芯片量产已经快2年时间了，现在还在传良率有问题，再加上最近中国调查内存涨价等敏感事件，这时候说三星要减产1-2个月甚至更长时间，实在有点微妙。

瑞银分析师Timothy Arcuri前几天还下调了美光的股票评级，但是现在他改变了看法，将美光股票从“售出”升至“中立”，目标股价从42美元提升到60美元，而促使他改变看法的就是认为内存芯片今年两年的降价幅度要比预期中的低。

此前他估计内存从高峰到低谷的降价幅度超过50%，比2014到2016年见的降价更惨，但是现在他认为未来6个季度内存高峰到低估的降价幅度不超过45%。

针对近期爆出的三星18nm芯片良率导致减产问题，Timothy Arcuri认为评估三星的行为有多方面猜测，三星可能是遇到了技术问题，也可能只是暂停生产以控制产品供应量。

他指出三星在内存价格下跌之前就延迟增产，这个举动不寻常，他认为三星此举是贯彻了过去几年中该公司“利润第一”的管理方式。