英特尔和美光的合作开发NAND历史非常悠久，早在2005年，两家联合成立一家Intel-Micron Flash Technologies公司（IMFT），专门就是制造NAND闪存。直到2015年搞了个大新闻，研发出全新的的3D XPoint技术闪存，当初宣传的可是闪存速度及耐用性是目前NAND闪存的1000倍，容量密度则是NAND闪存的10倍。

目前双方的3D XPoint闪存主要是在美国犹他州的工厂生产，双方将继续通力合作完成第二代3D XPoint技术开发，最终将会在2019年上半年完成并开始推出市场。但之后两家就会分道扬镳，各自开发基于3D XPoint技术的第三代产品。

双方分手之后要各自组建独立的研发团队，英特尔去年9月份宣布在美国新墨西哥州奥兰珠市的工厂新增100多个岗位，主要就是3D XPoint闪存技术研发的。在此之前，英特尔已经在中国大连投资55亿美元建设了3D NAND闪存生产厂，去年9月份也正式开始量产。

对于NAND闪存及3D XPoing生产，双方此前就已经谈妥，在英特尔自己的3D XPoint工厂建成之前，IMFT公司还会继续给英特尔供应存储芯片，所以分手之后双方各自的存储业务都不会受到影响。

美光公司今天宣布行权收购IMFT公司，美光将支付给英特尔公司15亿美元的现金，同时承担IMFT公司大约10亿美元的债务，而交易完成时间要看英特尔的选择，在未来6个月到12个月内完成。

2006年英特尔与美光合资成立了IMFT公司，位于美国犹他州，当时生产的还是72nm、50nm工艺的NAND闪存，之后一路升级到34nm、25nm、20nm NAND，这时候IMFT的2D NAND闪存还是领先的，更是第一家推出20nm 128Gb核心的闪存厂，不过在3D NAND时代IMFT的速度就落后于三星、东芝等公司了，其中很大一个原因是英特尔、美光在技术上的分歧，因为3D NAND时代很多厂商转向了电荷捕获（Charge trap）技术，英特尔、美光一直是浮栅极（Floating Gate）技术的代表，不过美光最终决定转向CTP技术，英特尔不为所动，双方在技术路线上有了分歧，此事据悉是双方分手的原因。

从去年开始双方就决定分手了，后续的只是处理好双方的“财产”而已，其中合资公司IMFT将被美光获得，英特尔所持有的股份之前已经有过减持，今天美光宣布将从2019年1月1日起行权收购剩余的英特尔股份，预计6到12个月内完成交易过程，美光将出资15亿美元收购后者的股份并承担债务，交易结束后IMFT将成为美光全资子公司。

不过双方的合作关系还会继续，今年7月份美光、英特尔宣布联合开发第二代3D XPoint闪存，预计在2019财年下半年完成，预计2019年底推出3D XPoint产品，2020年产生收入。此外，根据双方的协议，美光收购IMFT之后依然会向英特尔供应3D XPoint闪存，期限一年。

英特尔推出IMFT之后，NAND闪存已经可以有中国大连的Fab 68工厂生产，英特尔公司三年前宣布将中国大连的Fab 68晶圆厂改造为NAND工厂，今年9月底正式投产，未来大连Fab 68工厂将成为英特尔最重要的NAND闪存生产基地，70%的3D NAND闪存将产自这里。

至于3D XPoint闪存，英特尔已经把研发中心转移到新墨西哥州奥兰珠市的工厂，预计会增加100多个工作岗位，不过还没有专门的3D XPoint闪存工厂，IMFT被收购之后还需要美光供应芯片。

目前双方已经宣布在今年2018年会继续第三代96层3D NAND的共同开发与生产，这一切会持续到2019年初，过了这个技术节点之后双方会独立开发3D NAND，以便为他们的自己的业务需求更好地优化技术和产品。

美光和Intel预计未来的各个节点他们各自的3D NAND技术发展节奏不会有任何变化，目前已经推出的第二代64层3D NAND和即将推出的第三代96层3D NAND也不会有变化。

其实分手的苗头在2012年就开始冒出来了，当年Intel把多数IMFT的股份卖给了美光，只保留了犹他州Lehi的设置为共同所有，从那之后Intel和美光都建立了更多自己的生产设置，只不过研发工作依然在犹他州的这一设置共同开发，此外Intel也拒绝投资16nm NAND这个项目，所有只有美光一家在负载生产16nm平面闪存，而Intel则直接跳过它进入到3D NAND时代。

至于这两家公司分手的原因，应该是两家公司的闪存产品面向的市场有很大的不同，Intel自己就是一个很大的SSD供应商，自己的产品需要消耗大量的NAND闪存，而美光则是想把闪存卖给更多的客户，除了各个SSD厂商之外还想卖给手机厂商。

这两家公司即使在3D NAND业务上分手后也会继续在犹他州Lehi的合资工厂继续开发和制造3D XPoint，这次分手并不会影响3D XPoint的共同开发和制造。临近过年了，估计很多人想买新一波装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信9501417），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~

Intel自从1985年退出DRAM内存市场之后就不再自己生产存储芯片了，2006年Intel跟美光成立IMFT合资公司，美光占股51%，Intel占股49%，双方抱团合作生产NAND闪存，多年来双方的工艺已经从74nm升级到了现在的20nm，也推动了整个NAND业界的发展。

但是双方也不是没有分歧，20nm之后双方的选择已经不同了，美光推出了16nm的NAND闪存，但Intel跳过了16nm直接杀向3D NAND闪存，但是这也导致了Intel的闪存短缺，某些产品上不得不使用其他厂商的闪存，比如之前我们报道过的Pro 2500固态硬盘。

在Intel与美光联合宣布3D NAND闪存的消息中，Intel提到保留生产3D NAND闪存的权利，再联系现在的情况，这不得不让人猜测Intel、美光在2017年之后是否还会继续扩展IMFT的合作关系。

对于Intel投资大连的消息，Tomshardware网站针对此举对Intel及美光的影响做了分析，该文对IMFT的前景比较悲观，认为Intel自己建厂生产3D NAND闪存之后IMFT公司的未来堪忧。当然，Intel官方表示他们与美光的合作关系还会继续。

　　目前东芝在3D NAND闪存上的研究处于领先地位，去年底他们宣布使用p-BiCS（pipe-shaped Bit Cost Scalable）技术在一个50nm宽的垂直通道上集成了16层NAND单元，今年开始出样，2015年量产，东芝的p-BiCS技术将晶体管以U形排列。

　　目前3D堆栈NAND还不够成熟，而且现有的2D NAND还未到极限，目前的主流是20nm，预计还有15nm、10nm的制程工艺可供升级，3D堆栈工艺可能在15nm节点出现。

　　此外，Esfarjani表示目前16层的3D NAND在成本上还不能显示出成本优势，需要64层堆栈，至少也要达到32层的水平才行。

　　IMFT在20nm工艺节点使用了浮栅高K金属栅极Cell结构（floating-gate high-K metal gate）取代了34nm及25nm工艺使用的环绕式Cell结构（wrap-around），2012年时IMFT就展示过了128Gbit容量的NAND闪存，美光的M500 SSD固态硬盘使用的就是128Gbit的NAND。

　　据美光首席财政官Ronald Foster称，得益于用在CPU与GPU上的HKMG技术，20nm工艺闪存芯片在长期读写的测试中一直正常，使用寿命基本与现有25nm产品维持一致，因此无论是厂商还是用户都完全不需要担心产品寿命问题。

　　早前美光和英特尔联手合资的闪存厂商IMFT推出了第二款采用20nm工艺打造的128Gb（即16GB）容量NAND闪存芯片。该产品采用了最新的ONFi 3.0标准，Page size由常用的4KB提升到16KB，预计在2013年全面进驻固态硬盘产品。

　　消息来源：[Xbit Labs]

　　日前，第二款由IMFT打造的20nm NAND闪存芯片亦正式出炉了。该款产品容量为128Gb（即16GB），内部连接界面采用了最新的ONFi 3.0标准，传输带宽达333MT/s，可有效提升闪存的持续读取速度。另外新产品的Page Size也发生了变化，从现在常用的4KB提升到16KB。实际上，即使是早前的64Gb产品，其Page Size亦已经提升至8KB，不过内部连接界面使用的仍然是ONFi 2.x标准。

　　IMFT表示，由于目前大多数固态硬盘的主控芯片仅支持Page Size为4KB的闪存芯片，因此他们发布的两款20nm工艺闪存在短期内都不会出现应用在固态硬盘产品上。考虑到研发新主控和新固件所需要的时间，他们预计采用20nm工艺闪存的固态硬盘将会在2013年上市，届时固态硬盘将真正迈入TB级时代。

消息来源：[DailyTech]