早前Intel曾经炮轰过其它的厂商在半导体工艺上以命名取胜，实际情况是TSMC 20nm、16nm及三星14nm工艺的栅极距、鳍片间距、金属栅距及逻辑芯片高度等等指标，都全面落后于Intel，尤其是在晶体管密度上是其他家工艺的1.3倍。

三星的10nm工艺应该能很大程度上弥补了之前的不足，根据之前的说法是第一代10nm LPE（Low Power Early）与14nm制程相比，10nm制程制造的芯片性能提升27%，同时功耗降低达40%，并且10nm制程允许每个晶圆多制造30%的芯片。而第二代10nm LPP（Low Power Plus）工艺的量产难题已经被攻克，三星已经开始在韩国汉城的S3生产线上部署相关设备，量产在即。

不过LPE和LPP之间并不是取代关系，因为LPE用的就是低功耗技术，制造出来的芯片更适合用于移动端，而LPP追求的是高性能，更加适合用于对功耗不敏感的设备上，此外第三代10nm LPU制程的研发工作早已提上日程，而LPU更加合适用于高性能、密集型计算应用上。

GF的14nm FinFET工艺授权自三星，进度上稍微落后三星，但目前也已经开始量产。他们的14nm工艺分为LPE（low-power early）和LPP（Low Power Plus，高级低功耗工艺）两种，将由纽约州马耳他市的Fab 8晶圆厂生产。

根据官方披露的进度，他们的14nm LPE工艺今年1月份已经通过认证了，本月良率水平已经达到了大规模量产的水平。14nm LPP工艺也在进行中，预计今年Q3季度开始认证，2016年Q1季度量产。此外，GF还为14nm LPP工艺提供了更多功能，包括额外的IP核心、2.5D及3D TSV封装、高级DFM（可制造性设计）及高级EDA参考流程等。

14nm LPP工艺已经有多款芯片在流片，不仅有移动版处理器，还有一些高性能大核心产品，这一点更值得重视了。AMD下一代工艺的CPU和GPU都会选择14nm FinFET工艺，GF是他们的老朋友，这些高性能大核心处理器估计少不了AMD的份儿。

至于NVIDIA，明年他们下一代的GPU和Tegra处理器也要使用FinFET工艺了，但NVIDIA到底会选择哪家的FinFET工艺还是个迷，虽然官方表态TSMC还是他们的好伙伴，但背地里NVIDIA早就跟三星勾搭上了，只不过三星在制造高性能大核心方面还不如GF，而且GF与三星也是盟友，NVIDIA的高性能GPU由GF代工也不是不可能，NVIDIA老总黄仁勋在被问到这个问题时既没有承认但也没有否认，态度耐人寻味。