对于PCM相变存储芯片，我们之前的报道零星提过这种芯片，英特尔的3D XPoint芯片一直被传是基于PCM相变存储技术的，但是英特尔一直没有解密。江苏时代芯存公司有过PCM存储芯片的介绍：

PCM是一种非易失存储技术，它利用特殊材料在不同相间的电阻差异来存储信息。相较传统的存储技术，相变存储器耗电低、性能稳定、抗辐射、成本低、存储容量远远大于高端硬盘、运行速度快1000倍，并且耐久性多1000倍。 PCM是业界公认的第四代相变存储器的最成熟的技术，其可微缩性特点更让它被誉为21世纪的存储器统一标准。PCM未来不仅会逐渐取代现有存储器市场的大多数，而且将会大大扩展现有的存储器市场，尤其是目前尚处在市场婴儿期的大数据、物联网、可穿戴设备等等市场，前景极为可观。

至于这家公司自己，官方也有介绍：

江苏时代芯存半导体有限公司正式成立于2016年10月，公司股东有江苏时代全芯存储科技有限公司和淮安园兴投资有限公司。公司致力于开发及生产搭载最新PCM技术的存储产品。江苏淮安PCM生产项目总投资130亿元，一期投资43亿元，淮安园兴投资有限公司出资16亿元人民币占股44%。江苏时代全芯存储科技有限公司以自有的知识产权和现金出资，占股56%，其中知识产权主要包括公司的专有技术及专利。江苏时代芯存公司的控股方是江苏时代全芯存储科技有限公司，虽然他们宣布PCM技术是有完整知识产权的，号称是三星、美光之后第三家拥有存储器技术和自主知识产权的公司，不过他们的技术来源实际上是购买了IBM的专利授权。根据淮安人才网早前的报道，江苏时代全芯存储科技有限公司自2009年与IBM合作以来，所生成的275项授权自IBM的专利、92项自主知识产权专利及近1000项非专利专有技术都正式转移到了江苏淮安。

海外的半导体技术发展多年，有很多技术积累，购买技术授权其实没有什么问题，反而可以节省很多研发时间及投资，这点没必要纠结，不过让人担心的是江苏时代全芯存储科技有限公司的PCM项目实际上经历过多次波折，2014年最早在宁波就举行了开工仪式，结果到2016年的时候就没后文了，之后与淮安市合作，变成了现在的江苏时代芯存公司。

江苏时代芯存公司在淮安的PCM芯片项目总投资高达130亿元，一期投资就有43亿，工厂已经在去年底封顶，今年3月份设备进厂安装，9月份开始试产，预计明年Q1季度正式量产，而且生产规模在PCM芯片中可谓庞大，年产10万片12英寸PCM芯片晶圆，比较让人迷惑的地方是销售额，江苏时代全芯存储科技有限公司官网上表示一期项目投产后年销售额可达20亿美元，不过别的报道中提到年销售额是45亿。

江苏时代芯存公司的PCM相变存储芯片项目已经事实了，现在最关键的就是他们能否真的实现项目建设的目标，PCM芯片技术上亮点很多，但是迟迟没有大规模量产也不是没有原因的，PCM芯片除了生产难度之外还有一个关键问题就是容量太小，核心容量不过512Mb、1Gb左右，与NAND闪存的512Gb、1TB相去甚远，所以不可能替代NAND闪存，主要用于一些嵌入式产品中，但是相比NOR闪存之类的产品，PCM相变存储目前也没有明显的优势。

 江苏时代全芯存储科技有限公司对自己的PCM芯片详细规格讳莫如深，也无从得知他们的技术水平到底多高，不过从他们官网上公布的路线图来看，2019年他们会推出高密度相变芯片2D XPoint，2021年推出二期相变产品MLC、3D XPoint，还有神经网络智能存储产品。根据官方所说，时代全芯将致力于多单元内存（MLC），交叉点结构(3DX Point),制造工艺区块（Process Macro）不同架构的研究，逐步完成 20纳米以下的大容量PCM存储器(128Gb/256Gb)工艺技术与产品功能性验证。通过前期市场的认知和积累，以及时代全芯在PCM生产方面的经验和国内IDM一起进军全球128Gb/256Gb大容量存储如SCM，U盘、SSD（固态硬盘）等领域。

IBM这次研发突破是有关PCM存储芯片的，大家可以了解一点PCM存储的基础知识：

PCM：（英语：Phase-change memory，英语：Ovonic Unified Memory，英语：Chalcogenide RAM，简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又译为相变位内存，是一种非易失性存储器装置。PRAM 使用含一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成。硫族化物玻璃的特性是，经加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。这些不同状态具有相应的电阻值。因此PRAM可以用来存储不同的数值。 它是可能取代快闪存储器的技术之一。（WiKi百科）

也就是说PCM芯片是通过材料热变化来存储信息的，相比传统闪存或者内存芯片，PCM具备多个优点，比如写入次数可达1000万次，远高于NAND闪存（TLC闪存写入寿命不足1000，MLC多为3000-5000，SLC多为5000-10万），速度更快，是NAND闪存的50倍之多。

不过PCM存储从1960年代就开始研发了，直到现在也没有商业化，因为它虽然理论上优点多多，但制造可用的大容量存储还面临很多难题，其中一个关键就是PCM芯片每单元只能存储1位数据，也就是1BPC（bit per cell），你可以把它理解成SLC闪存那样，也是每单元存储1bit数据。

IBM这次的突破就在于他们首次制造出了3BPC芯片，换句话说这就相当于制造出了TLC类型的NAND闪存，有助于提高PCM存储容量，降低成本，这是PCM实用化必经之路。

日前在巴黎举行的IEEE国际存储工作组会议上，IBM苏黎世研究中心的科学家公布了这次研究成果，他们在64K单元阵列上首次实现每单元3bit数据存储，而且在极高温度及100万次可靠性循环之后依然能保持数据。

有兴趣的还可以看看IBM公布的这个视频（需要爬墙），里面采访了论文作者之一的Dr.Haris Pozidis，介绍了PCM的相关知识和进展。

不过写完这篇新闻之后，搜索了一下以前的旧闻，发现2011年我们就报道过IBM在多位存储PCM上的进展了，当时也是说IBM成功研发出多位存储PCM芯片了，只是没公布具体的数据。这么算的话，PCM存储离商业化应用还真的是非常遥远....

目前在闪存、内存领域堪称革命化同时能量产的只有Intel、美光研发的3D XPoint闪存，它的性能、可靠性指标虽然没有PCM这么强大，但性能、可靠性也达到了NAND闪存的1000倍，以及10倍容量密度，而且在2016年就能上市，进度是PCM比不了的。

PCM相变储存技术

　　因此我们很快就会面临后NAND闪存时代，新一代闪存技术的储存密度会更高，读写速度更快，甚至可以达到RAM级别，按bit寻址而非目前的block寻址，还会拥有更高的可靠性，实现这些要求是对闪存业界的一次大考。

　　PCM闪存是一个潜在的可能，三星、美光、IBM、SK Hynix等公司都在积极开发PCM储存技术，虽然他们还在研发其他类型的非易失性闪存技术，但是储存专家EMC还是倾向于PCM技术。

　　EMC高管扎西德·侯赛因对2013年的闪存市场做了分析预测，首先他表示闪存技术已经是目前所有储存体系的基础，几乎无所不在，这一点是没有疑问的。第二，2013年我们会看到PCM闪存带来的骚动，储存业界会加大相关产品的供应，这将为现有存储体系带来低延迟、高速度的新选择，PCM闪存的速度甚至可以接近RAM。

　　EMC目前正在跟美光合作开发自有的VFCache PCI卡以及代号Thunder Box的VFCache卡，由于美光是PCM技术的支持者，或许EMC的专家此番说法是得到了美光的某些内幕消息。

　　EMC看起来非常期待PCM存储技术，侯赛因表示明年的PCM业界就会迎来更多投资。

　　MaximumPC报道称，美光使用45nm工艺成功量产1Gb PCM闪存，工作电压为标准的1.8V，实际上这个内存是由1Gb容量的PCM闪存和512Mb的低功耗DDR2闪存组成，二者使用相同的传输界面。

　　美光公司希望初期的产品用于功能手机中，因为目前制造出的PCM容量还比较低，未来的PCM产品有望用于智能手机和平板中。

　　PCM闪存是以bit为单位进行单元擦除，这与NAND闪存以block区块为单位擦除有明显不同，因此擦除速度更快，这意味着其写入性能更高，美光的F&Q页面上表示PCM随机读取速度有400MB/s，这还只是第一代产品的性能。此外，美光表示PCM闪存的启动速度更快。

　　与NAND闪存一样，PCM也存在写入次数限制，不过PCM的特性就是每个cell单元都可以存储多位bit，因此PCM的可靠性理论上高于NAND，美光生产的PCM闪存写入次数高达10万次，堪比SLC闪存。

　　而最近IBM的研究团队成功研发了多位存储的PCM芯片，虽然采用的是90nm的CMOS工艺制造，不过这枚PCM芯片拥有者远高于普通NAND芯片的读写速度和循环寿命，例如写入延迟仅10微秒，写入寿命达1000万次等，这些都是NAND芯片“望尘莫及”的。

　　不过，IBM的研究团队并没有透露该PCM芯片的更多信息，例如每个存储单元可以储存多少数据等，而且从目前来看，多位PCM相变存储芯片距离量产还有很长的距离。