小米去年推出了旗下首款桌面PC，也就是小米迷你主机，其中就使用了长江存储专为OEM打造的PC300系列SSD，不过采用的是基于晶栈2.0架构的第三代NAND闪存芯片。由于长江存储已进入小米供应链，双方进一步扩大合作范围也不会让人感到奇怪。

目前长江存储至少有两种232层3D NAND闪存芯片，除了X3-9070这款1Tb 3D TLC NAND闪存芯片以外，还有新款消费级SSD产品致态TiPro600上使用的1Tb 3D QLC NAND闪存芯片，两者均基于晶栈3.0架构打造，I/O传输速率达到了2400 MT/s。

据长江存储介绍，X3-9070的I/O传输速率达到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0规范，相比上一代产品提高了50%的性能；得益于晶栈3.0架构，X3-9070成为了长江存储有史以来存储密度最高的闪存颗粒，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb（128GB）的存储容量；采用6-plane设计，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同时功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。

作为存储大厂，今年美光、SK海力士和三星先后推出了200+层的3D NAND闪存解决方案。其中最早的是美光，在5月就宣布推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存，称准备在2022年末开始生产，其采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，初始容量为1Tb（128GB）。到了8月，SK海力士宣布已成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并已经向合作伙伴发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品。三星在上个月宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层。

据长江存储介绍，X3-9070的I/O传输速率达到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0规范，相比上一代产品提高了50%的性能；得益于晶栈3.0架构，X3-9070成为了长江存储有史以来存储密度最高的闪存颗粒，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb（128GB）的存储容量；采用6-plane设计，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同时功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。

长江存储执行副总裁陈轶表示：

“X3-9070闪存颗粒是长江存储近年来在三维闪存领域的匠心之作，它拥有出色的性能表现和极高的存储密度，能够快速高效地应用于主流商用场景之中。面对蓬勃发展的5G、云计算、物联网、自动驾驶、人工智能等新技术带来的全新需求和挑战，长江存储将始终以晶栈®为基点，不断开发更多高品质闪存产品，协同上下游存储合作伙伴，用晶栈®为存储产业赋能，践行‘成为存储技术的领先者，全球半导体产业的核心价值贡献者’的使命和责任。”

目前晶栈架构已经历了1.0到3.0的迭代发展，并基于相关技术打造了多款产品，提供了SATA III、PCIe 3.0和PCIe 4.0 SSD，并带来了用于移动通信和其他嵌入式应用的eMMC和UFS等存储产品。同时长江存储在三维异构集成领域也积累了丰富的经验，研发上逐渐赶上业界巨头。

在PCI-SIG认证数据库中出现了两款长江存储的SSD主控，其中PE310在去年12月就出现了，现在5月11日又多了一款名为PE320的主控，这两款主控均支持PCI-E 4.0 x4，数据传输率16GT/s，从型号上来看，这两款很可能是高低搭配，一个面向高端市场，一款明显主流市场，两者的NAND闪存通道可能不一样。

长江存储的Xtacking架构闪存的一大优势就是闪存接口速度比其他竞品要快，该技术允许在两个不同的晶圆上制作3D NAND存储阵列和NAND逻辑电路，然后再把它们堆叠在一起，Xtacking架构闪存可以实现3GT/s的接口速度，而目前其他竞争对手的3D NAND接口速度大概未1.6~2.0GT/s。

所以长江存储打造自家的SSD主控估计是想让自家的闪存能发挥出他们原本的实力，其他厂商制造自己的主控也多少有出于这方面的考虑，毕竟第三方的主控要考虑各家闪存的兼容性，并不一定能发挥出闪存的所有实力。

官方解释称，致是格物“致”知，是精诚所“致”，更是宁静“致”远。钛，指的是Titanium，原子序数22，这是一种稀有金属，重量轻，强度高，寓意是定义闪存科技新“钛”度。

在今年早些时候，长江存储宣布他们128层堆叠的3D闪存研发成功，有X2-6070这款拥有目前业界已知最大单位面积存储密度、最高I/O传输速度以及最高单颗NAND存储芯片容量的3D QLC，以及128层堆叠的3D TLC X2-9060。

在2018年的闪存峰会上长江存储正式推出了Xtacking架构3D闪存，当时还是32层堆叠的，去年则对外公布他们已经可以量产64层堆叠的闪存，而现在已经进步到了业界最先进的128层堆叠，仅仅用了三年的时间。

在长江存储128层堆叠产品中，Xtacking架构已经全面升级至2.0，进一步释放3D闪存的潜能，X2-6070是128层堆叠的1.33Tb 3D QLC，而X2-9060则是是128层堆叠的512Gb 3D TLC，都是基于电荷俘获型（Charge-Trap）存储技术，它们均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率。

Xtacking可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，而存储单元则在另一片晶圆上被独立加工，也就是说长江存储打算在用不同的工艺在两块晶圆上生产NAND的阵列电路与NAND的逻辑电路，这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

在传统3D NAND中，外围电路会占据芯片面积的20~30%，这样降低了芯片的存储密度，堆叠层数的增加。到128层或者更高时，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上，长江存储的Xtacking技术将外围电路和存储单元安置在不同的晶圆不同的层上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。

此外Xtacking技术可以充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。此外，这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。

长江存储CEO杨士宁博士表示Xtacking技术有望把闪存的I/O速度到3.0Gbps，与DDR4的I/O速度相当，而目前世界上最快的3D NAND I/O速度也不过1.4Gbps，实际上大多数都只能达到1Gbps甚至更低，Xtacking技术对NAND行业来说是颠覆性的。

长江存储已经把Xtacking技术应用到第二代3D NAND产品的开发上，预计2019年可以进入量产阶段。

刁石京原本是国家工信部电子信息司司长，今年5月份转任紫光集团联席总裁，负责紫光集团旗下的芯片业务，除了长江存储等芯片制造业务之外，还有紫光展锐等半导体芯片设计等业务。上周末他在武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司表态称今年Q4季度紫光将量产32层堆栈的3D NAND闪存。

根据紫光公司之前的资料，长江存储的32层堆栈3D NAND闪存是该公司集合了1000多名员工、耗资10亿美元、历时2年研发成功的，这是国内存储芯片中水平最接近世界一流水平的了。但是从之前的公开资料来看，紫光的32层3D NAND闪存核心容量还是64Gb的，这跟目前256-512Gb核心容量的水平还有点距离，另外QLC闪存的核心容量已经走向1Tb以上了。

此外，刁石京还提到紫光目前正在研发64层堆栈的3D NAND闪存，预计明年量产。

对国内的存储芯片公司来说，技术积累还需要长期投入，前不久长江存储宣布了新型3D堆栈结构Xtacking，号称I/O接口速度达到了DDR4内存的水平，同时具有业界领先的存储密度，该技术将在今年8月7日的国际闪存会议FMS上公开。

我们也从长江存储方面了解到，这个Xtacking堆栈技术主要用于长江存储64层3D NAND闪存上面，不过具体的I/O接口速度做到多少将取决于市场需求。

根据长江存储发布的公告，他们研发的Xtacking结构3D NAND闪存，将具有前所未有的I/O速度，从而能够将UFS、SSD硬盘及企业级SSD等产品的性能提升到前所未有的程度。

除了高速度，Xtacking堆栈还实现了NAND与外围电路的并行处理，这种闪存开发和制造工艺的模块化将缩短新一代3D NAND闪存的上市时间，并为NAND闪存产品定制化提供了可能。

目前Xstacking闪存的具体信息还没有公布，一切还要等杨士宁在8月7日的FMS会议上发表主题演讲才能确定。

不过长江存储所说的I/O接口是指NAND闪存的接口，目前NAND闪存使用的主流接口有Toggle、ONFi，最新的Toggle 3.0接口速度可达800 MT/s，ONFi 4.0也能达到800MT/s，不过这两个接口标准在三星、美光、英特尔的3D NAND闪存上已经少有提及。

长江存储所说的Xtacking能达到DDR4内存的速度指的就是I/O接口，不过DDR4公认的初始频率就有2133MT/s，这个速度确实比ONFi、Toggle接口快得多，只不过现在这些都还是猜测，具体还要等长江存储公开。

Xtacking闪存应该是长江存储预研的新技术，目前还在申请专利，对新入NAND市场的公司来说积累技术是个艰苦但又不得不做的阶段，而长江存储目前及未来量产的3D NAND闪存似乎并没有这么先进，此前公开展示的还是32层堆栈的64Gb核心闪存，之前接到过1万片晶圆的NAND订单，但主要是用来制造8GB存储卡的，并不高端。

不过也有消息称2019年长江存储真正量产的时候，生产的3D NAND闪存将是64层堆栈的，这样一来技术水平跟三星、美光、东芝等公司将缩短到2-3年时间。