三星表示，这次测试是一个重要的里程碑，因为这是业界首次实现FDD频段的1024 QAM。通过使用20MHz带宽，使得数据传输速度达到了485Mbps，实现了接近理论的增益。这次测试是在三星位于韩国的研发实验室进行的，利用了三星的5G vRAN软件和无线电（均支持2.1 GHz的FDD和3.5GHz的TDD频段），并配备了最新骁龙X75 5G 调制解调器射频系统的高通测试终端。

QAM是一种先进的调制技术，可以更有效地传输数据或信息。这直接关系到每次传输中可以传输多少位数据。虽然256 QAM广泛用于商业网络，但三星和高通最近完成了3GPP第17版规范中定义的最新1024 QAM，有助于运营商最大限度地利用频谱资源，并允许移动用户无缝享受各种移动服务，比如实时视频流和在线多人游戏，这些服务都需要更高的下载速度。

此外，三星还计划在传统RAN中完成正在进行的1024 QAM测试，预计今年内商用。

美国商务部称，三星是唯一一家在先进内存和先进逻辑技术方面都处于领先地位的半导体公司，预计未来几年将在德克萨斯州泰勒市奥斯汀和地区投资超过400亿美元，创造至少21500个就业机会。三星拟议的投资将分布在德克萨斯州中部两个不同地点，拥有多个项目：

德克萨斯州泰勒市 - 构建一个全面的先进制造生态系统，从前沿逻辑到先进封装再到研发，打造尖端半导体制造中心，服务于各种终端市场。该生态系统将包括两个领先的晶圆代工厂，专注于4nm和2nm工艺技术的大规模生产；一个致力于开发和研究当前生产节点之前的技术代的研发工厂；一个生产3D高带宽存储器和2.5D封装的先进封装设施。其中首座晶圆厂计划在2026年投产，第二座晶圆厂则是2027年，研发工厂也会在同年启用。

德克萨斯州奥斯汀 - 扩建近30年来的设施，以支持为美国关键行业，生产领先的全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺技术。此外，这项拟议的投资还包括与美国国防部合作的承诺。

三星表示，这些投资表明了其对美国的持续承诺，自1996年以来一直在当地制造芯片。通过继续在美国开发未来技术，三星正在采取措施，努力加强美国的经济和国家安全，并提高美国和全球半导体供应链的弹性。

《芯片法案》对三星的补贴规模仅次于英特尔（85亿美元）和台积电（66亿美元），不同的是，三星并没有获得《芯片法案》中的贷款和担保部分，而英特尔和台积电分别得到了110亿美元和55亿美元的贷款。

速率10.7Gbps的LPDDR5X采用了12nm级别的工艺技术，实现了三星现有LPDDR中最小的芯片尺寸。相比于上一代产品，这次的新款LPDDR5X在性能上提高了25%以上，容量也提升了30%以上，同时还将移动DRAM的单封装容量扩展到了32GB，成为端侧人工智能时代里高性能、大容量和低功耗内存的理想解决方案。

三星还采用了专门的节能技术，可根据工作负载频率调整和优化供电模式，以及扩展低功耗模式频段从而延长低能耗工作时长。这些改进使得速率10.7Gbps的LPDDR5X在能效上有了进一步的提升，相比上一代产品提高了25%，延长了移动设备的电池续航时间，并降低了处理服务器处理数据的能耗，最大限度地降低了总体拥有成本（TCO）。

在与设备供应商完成验证后，三星计划在今年下半年开始量产速率10.7Gbps的LPDDR5X。

根据thelec报道，三星预测今年第一季度智能手机和平板电脑的出货量为5300万台，但根据数据统计，今年第一季度三星的实际出货量为6540万台，超出预测目标22%，并且文中写道的实际出货量数据并未囊括第三方承包商闻泰科技制造的Galaxy设备。

thelec对此现象分析道，三星今年能取得如此优秀的销量成绩很大程度归功于Galaxy S24系列将人工智能作为营销重点的策略，以及在印度加强推广廉价机型。此外，报道中有提到，由于需求旺盛，为三星智能手机和平板电脑提供OLED面板的三星显示器工厂在今年的开工率在有所提高。更有消息人士称，为Galaxy A系列生产刚性OLED面板的三星显示器A2生产线目前的开工率高达80%。

以前曾有报道说道，因为刚上市三星Galaxy S24系列就取得不俗的销量成绩，三星提高了今年第一季度Galaxy S24的销售目标。三星原本计划在今年第一季度销售1200万台Galaxy S24系列手机，但后来将该目标提高到1300万台。目前Galaxy S24系列的总销量比Galaxy S23系列的总销量已高出8%。

三星今年的目标是出货2.53亿部智能手机，其中5100万部是Galaxy S系列和折叠屏机型，1.58亿台为A系列等中端机型，4400万台为ODM机型。

据Business Korea报道，三星和SK海力士将得益于SSD产品的价格持续上涨，NAND闪存业务有望在2024年第一季度再次实现盈利，结束连续亏损的局面。根据TrendForce上个月发布的2023年第四季度NAND闪存市场报告，显示三星是市场占有率最高的厂商，达到了36.6%，其次是SK海力士的21.6%，第三名是西部数据的14.5%。

更值得关注的是，除了SSD，现在HDD的价格也在不断上涨。虽然HDD比起SSD速度更慢、发热量更高、噪音也更大，但是在相同容量下，价格会更便宜，而且发生故障时更容易恢复数据，在部分细分市场会更受欢迎。HDD的价格上涨说明了这次存储产品的价格上涨，与整个下游产业链有密切的关系，同时人工智能（AI）的蓬勃发展影响供需关系不仅仅是与计算相关的芯片。

与DRAM业务恢复的速度相比，三星和SK海力士的NAND闪存业务反弹的速度较慢，两大巨头都希望通过提高SSD产品的价格，以尽早让整个存储器业务恢复到盈利的状态，为营收做出更大的贡献。

根据官方公布的列表，这次更新涵盖以下手机型号：

Galaxy S22 系列

Galaxy Z Fold 4

Galaxy Z Flip 4

Galaxy Tab S8 系列

Galaxy S21 系列

Galaxy Z Fold 3

Galaxy Z Flip 3

值得注意的是，其中2022年发布的Galaxy S22 系列、Fold 4/Flip 4，以及Tab S8 系列将更新除即时慢动作以外的所有AI功能，而21年发布的S21等机型则只更新即圈即搜和Magic Rewrite功能。三星官方之所以如此安排，估计与芯片性能有关，毕竟生成式AI大模型对算力资源有一定要求，旧型号芯片有可能满足不了要求。

三星Galaxy AI是三星在Galaxy S24引入的一项功能，核心特点之一“端云结合”，利用本地AI处理和云端AI的强大计算资源，为用户提供无缝的智能服务。Galaxy AI有以下主要功能：1、即时翻译，用户在通话过程中启用“通话辅助”（Call Assist）功能，即可进行即时翻译；2、智能修图建议，用户可以利用该功能消除照片中的反射、阴影、摩尔纹，以及重录照片等操作；3、即圈即搜，用户圈出想要搜索的内容（文字、图片等）即可进行搜索；4、笔记助手，对笔记进行智能排版，并生成摘要和封面；5、转录助手，将录下的会议或讲座录音转写成文本，且可以进行翻译；6、Magic Rewrite，改写输入的文本内容，并给出语法修改建议。

据相关媒体报道，三星计划下个月发布第9代V-NAND技术，层数将达到290层，高于之前所传的280层，以替代2022年发布的236层第8代V-NAND技术。目前存储行业似乎已进入“层层堆叠”的激烈竞争当中，而三星看起来领先于SK海力士和铠侠等竞争对手。此外，三星还公布了第10代V-NAND技术上，层数将达到430层，计划会在明年到来，或许会引入三堆栈架构。

传闻首款采用第9代V-NAND技术的是1Tb（128GB）QLC 3D NAND闪存芯片，存储密度达到了28.5Gb mm2，将高于目前业界最高的长江存储产品，后者的存储密度为20.62Gb mm2。同时I/O速率达到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技术的2.4 Gbps也要快得多。如果条件允许，三星可能会提供容量为16TB的M.2 SSD，或者是单面8TB的产品。

除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。

2022年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出了长期愿景：到2030年会将层数提高至1000层。不过有着相同目标的NAND闪存制造商不止三星一家，此前有报道称，铠侠首席技术官Hidefumi Miyajima在近期的一次会议上表示，计划到2031年开始批量生产超过1000层的3D NAND闪存芯片。

I-Cube属于三星自己开发的2.5D封装，是一种异构集成技术，可将一个或多个逻辑管芯（Logic Chip）和多个高带宽内存芯片（HBM，High Bandwidth Memory）使用硅中介层，从而使多个芯片排列封装在一个芯片里。三星表示，从高性能计算（HPC）到人工智能、5G、云和大型数据中心等各种应用场景使用的芯片，都可以选择I-Cube封装，可带来更高的效率。

三星在去年年底成立了先进封装团队，目的就是要扩大芯片封装业务的收入。三星去年开启谈判后，曾向英伟达建议，可以从台积电拿到制造好的芯片，然后从三星的存储器业务部门采购HBM3，并使用三星的I-Cube封装来完成后续的工作。对三星来说稍微有点遗憾的是，这次并没有同时拿到英伟达的HBM3订单。

据Wccftech报道，三星今年将带来Galaxy Z Flip FE和Galaxy Z Fold FE。这个消息并不令人感到奇怪，毕竟今年初就传出了Galaxy Z Fold FE的消息，属于Galaxy Z Fold 6系列的入门款，计划在今年下半年发布。

据了解，Galaxy Z Fold FE折叠后的尺寸为155.1 x 67.1 x 14.2 mm，Galaxy Z Flip FE展开后的尺寸为165.2 x 71.9 x 6.9 mm。其中前者将提供第二代骁龙8和Exynos 2200两个版本，而Galaxy Z Flip FE则只提供第二代骁龙7一个版本。显然，三星希望能进一步降低两款可折叠产品的成本。

这是三星首次考虑入门级可折叠机型，目标是提高可折叠智能手机的市场渗透率，特别是扩大中国可折叠智能手机市场的份额。目前除了苹果以外，大部分主要的智能手机厂商都推出了可折叠机型。此前有调查数据显示，2024年大约会有27款可折叠手机发售。

据相关媒体报道，三星计划大幅度增加泰勒市新建晶圆厂的半导体投资，提高至440亿美元，接近翻倍。尽管三星在美国的半导体计划面临通货膨胀、劳动力和材料成本上涨等挑战，但似乎并没有减慢推进的速度。

三星很可能在原项目基础上另外再兴建一座采用先进工艺的晶圆厂，同时还包含一座先进封装设施，并扩大在该地区的研发业务，打造全新的半导体中心，预计会耗费掉约200亿美元。据了解，三星的新计划除了芯片生产外，还将重点放在了与人工智能（AI）相关的部件上，比如HBM，这也是其投资先进封装设施的原因之一，其中包括了2.5D和3D封装技术

目前三星官方还没有确认新计划，有知情人士透露，三星将于2024年4月15日举行一场仪式，宣布新增的投资计划。

过去几年里，高通的SoC有着优异的表现，无论CPU还是GPU部分的性能都全面压制了Exynos系列SoC，毫无疑问是Android旗舰机型的最佳拍档。传闻三星正在对Exynos 2500进行测试，有着不错的性能表现，CPU和GPU都能轻松战胜高通第三代骁龙8。不过高通今年的第四代骁龙8将引入融合了NUVIA技术的定制Oryon内核，性能将会有进一步提升，大概率仍然会领先于Exynos 2500。

有业内人士认为，三星之所以花这么大力气为Galaxy S25系列准备双平台，一方面是为自家的SoC争取更多赶上竞争对手的机会，另一方面是考虑到成本问题。去年高通的高管就曾暗示，第四代骁龙8的定价会更高，传言称高于第三代骁龙8的200美元。如果仅依靠一款SoC，三星将很难维合适的持利润率，今年在Galaxy S24系列加入Exynos 2400版本也是出于同样考虑。

Bixby是三星设备的智能语音助手，于2017年与三星的Galaxy S8一起推出，Bixby几乎实装在该品牌的所有设备，因此三星将其视为用户在家中控制设备的关键工具。虽然该软件提供了包括现场翻译、餐厅推荐等多种功能，但对比竞品的语音助手Bixby在当代似乎显得不太健谈，因为它需要依赖用户提出问题方可给出答案，缺乏主动提供服务的工作形式。

目前，随着OpenAI的ChatGPT及其他大语言模型面世，聊天机器人已能够处理越来越复杂的问题。这些新时代的聊天机器人可以做到当用户提出问题后并以文本、图片甚至视频的形式进行回复，或许这就是Bixby想要达到的目标。

崔元俊上个月在接受CNBC采访时表示：“Bixby一直是三星的关键语音助手，它不仅适用于移动设备，也适用于隶属于三星生态中的电视或其他数字设备。因此到目前为止，它一直是三星生态中非常重要的语音助手。随着生成式人工智能和LLM(大型语言模型)技术的出现，我们必须重新定义Bixby的功能，使Bixby配备生成式人工智能技术，并在未来变得更加智能。”

但是崔元俊并没有透露Bixby何时才能实装生成式人工智能技术，他仅说道三星正在朝这个方向努力，以尽快实现Bixby的生成式人工智能功能。

据Galaxy Club消息称，他们可以确认三星正在开发一款型号为SM-F958的手机产品，而目前已知Galaxy Z Fold 6的产品型号则为SM-F956，根据三星的产品型号命名规律来看，“8”后缀一般为Ultra系列（例如：Galaxy S24 Ultra是SM-S928），也就是说，三星正在着手Galaxy Z Fold 6 Ultra的开发，继续丰富Galaxy Z折叠系列机型的产品。不过，Galaxy Z Fold 6 Ultra目前似乎只有SM-F958N的一个细分型号，因此该机型可能只在部分地区售卖。

同时，他们还表示，目前还无法确认更便宜的 Z Fold 6机型是否正在开发中。我们此前报道过，三星正在考虑今年推出更便宜的Galaxy Z Fold机型，属于Galaxy Z Fold 6系列的入门款，计划在今年下半年发布。这是三星首次考虑入门级可折叠机型，目标是提高可折叠智能手机的市场渗透率，特别是扩大中国可折叠智能手机市场的份额。而试水定位更高端的Galaxy Z Fold 6 Ultra，不失为是三星为巩固自身折叠屏手机市场地位的又一好策略。

可以看出，随着国产折叠屏手机的兴起，提出了越来越多的轻薄概念设计，一定程度上会让三星感到紧张，而且Galaxy Z Fold 5/Flip 5因相对保守的设计受到了不少批评，在产品厚度和电池容量方面没有实现较大的突破。此外，国产手机厂商还制定了更为积极的策略，有意将折叠屏机型分布到更多的价位段，这将对三星造成更大的压力。

不过，近日有网友表示，他的Galaxy S23 Ultra在更新One UI 6.1后，手机的充电速度出现了明显下降。后来他通过软件检测发现，手机的充电功率被限制在15W左右，而他使用的是25W的快充充电头。但是，在另一个社交平台上有使用Galaxy S23系列手机的网友则发现问题的最终所在：在亮屏的时候才会对充电功率进行限制，而在手机熄屏后，手机的充电功率就能够恢复正常，这应该更多是系统软件调度策略的问题。

此前，我们报道过初代版本的三星One UI 6忘记添加“屏幕元素偏移”功能导致搭载OLED屏幕的设备容易出现烧屏现象的问题，三星在得知该问题后迅速作出回应并加紧修复，相信本次出现的充电问题也会在不久后等到快速的解决。

目前，这个问题似乎暂时只出现在部分Galaxy S23系列机型中，而首批推送One UI 6.1的三星机型包括有：

Galaxy Z Flip5

Galaxy Z Fold5

Galaxy S23

Galaxy S23+

Galaxy S23 Ultra

Galaxy S23 FE

Galaxy Tab S9

Galaxy Tab S9+

Galaxy Tab S9 Ultra