在全球DRAM内存芯片市场上，三星、SK Hynix及美光三家是最大的，他们占了全球大约95%的市场份额，剩下的市场空间主要是台湾厂商，包括南亚科技Nanya、Winbong华邦、Powerchip力晶等，其中南亚科在去年Q3季度的份额约为2.8%，季度营收约为8亿美元。

南亚的DRAM内存颗粒最常见于SSD硬盘中的缓存，还有就是一些OEM市场，定位也比较低端，这也跟南亚的技术水平有关，三大厂商2017年就实现20nm DRAM芯片量产了，现在已经转向1X甚至1Ynm工艺了，而南亚目前的主要产能还是30nm水平的内存，20nm产能只是少部分，预计今年Q2季度之后20nm产能才会超越30nm产能。

但是内存芯片的降价对南亚的业绩会产生不利影响，去年12月南亚合并营收仅为48.29亿新台币，相比11月份减少了10.6%，相比去年同期大减18.9%，这也是2017年10月以来的新低。

不过正如之前所说，由于前10个月高价的累积效应，内存厂商2018年的日子并不难过，南亚去年Q4季度合并营收169.57亿新台币，环比虽然减少了30.4%，同比依然增长了1.1%，而全年营收依然高达847.22亿新台币，同比大涨54.3%。

三星即将在明年1月份发布2018年Q4季度财报，在此之前市场已经在打预防针了，因为本季度中内存芯片也开始跌价了，势必会影响三星的赚钱能力。来自韩国分析师的分析认为三星今年Q4季度的营收为63.8万亿韩元，同比下滑3.2%，而下滑的主要原因就是内存以及NAND芯片跌价，其他风险还有中美贸易战等等，不过这些因素都没有存储芯片跌价影响大。

与营收微幅下滑不同，三星Q4季度的运营利润下滑更多，预期本季运营利润只有13.9万亿韩元，约合123亿美元，与去年同期的15.1万亿韩元相比会下滑7.6%。

尽管Q4季度会因为存储芯片跌价而导致利润下滑，但是放眼全年的话，由于前三季度DRAM内存芯片价格一直维持强势，三星此前在DRAM芯片上维持了70%以上的毛利率，所以折抵下来全年盈利依然会创新高，预计今年运营利润高达62.6万亿韩元，约合557.3亿美元或者3844亿人民币，而去年全年的运营利润也不过53.6万亿韩元，约合3291亿人民币，相比之下，今年的盈利依然会大涨16.8%。

博板堂今天公布了2018年11月份大陆内存品牌SELL IN出货量排行榜TOP11，统计数据是他们自己采集的，主要来自渠道+电商，不含行业及OEM出货量，仅供参考：

以下为博板堂爆料数据：

2018年11月份内存品牌中国区SELL IN各大品牌的总出货数据，相对10月份环比增长2%左右。11月份内存价格其实相对稳定，仅有一次大调价，后期行情明显，但是全国市场需求依然不好，电商出货增长明显，各品牌出货状况情况：

金士顿11月份电商有支撑，出货相对稳定，环比10月份增长7%左右，威刚、金泰克环比分别下滑8%与增长14%左右。后面几个品牌排名变化较大，详细情况请直接参考图表排名状况。

由于DRAM颗粒继续下跌，市场需求无法好转，大行情看仍是有下跌空间的，但是马上进入元旦与春节，注意小波动行情仍可有操作机会的。

美光总裁、CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示，为了适应当前市场的状况，美光将减少DRAM内存及NAND闪存芯片的产量。根据美光的数据，2019年他们预测DRAM内存产量增加15%，低于此前预测的20%增长，而NAND闪存预计增长35%，也低于之前预计的35-40%增长率。

美光明年的资本支出大概是95亿美元，削减了12.5亿美元，主要减少的是汽车、智能手机以及数据中心等市场上的存储芯片产能，在这些领域美光认为需求量低于预期。

对于明年存储市场的情况，普遍的预期是2019年上半年会继续跌，花旗集团分析师Peter Lee预计明年的内存及闪存芯片都会大降价，其中NAND价格会跌45%，DRAM价格会下跌30%，而且明年Q2季度之前是看不到价格底线的，也就是说明年的存储芯片降价至少会持续到Q2季度。

美光CEO Sanjay Mehrotra也认为智能手机市场的需求疲软是暂时的，预计2019年下半年市场需求就会升温。

在美光之前，三星、SK Hynix等公司也计划削减明年的资本支出以减少NAND闪存、DRAM内存产能，三星还计划增加在晶圆代工市场上的份额以弥补存储芯片降价导致的损失。

对于2019年的存储芯片市场，市场观察人士对明年存储芯片降价的看法是一致的，问题是降幅多少的，之前的预测称明年Q1季度DRAM内存芯片降价10-15%，NAND闪存也会降10-15%价格。花旗集团分析师Peter Lee日前发表报告，维持了对美光公司的中性评级，但下调了美光公司2019财年的营收及盈利预期，理由就是明年的存储芯片会大降价。

根据他的报告，由于产能过剩、库存增加，花旗预计明年的内存及闪存芯片都会大降价，其中NAND价格会跌45%，DRAM价格会下跌30%，而且明年Q2季度之前是看不到价格底线的，也就是说明年的存储芯片降价至少会持续到Q2季度。

早前WSTS世界半导体贸易统计组织就下调了2019年全球半导体产值，之前预期明年市场产值可达5020亿美元，同比增长5.2%，但是最新数据下调到了4901亿美元，同比今年只会增长2.6%左右。

明年半导体产值下降主要还是因为内存会降价，去年内存产业同比大涨了61.5%，今年的增速也有33.2%，但是2019年会下跌0.3%，所以内存行业在超级周期之后将会进入负增长阶段。

WSTS世界半导体贸易统计组织总部位于美国加利福尼亚州圣何塞，是一家非营利性工业组织，由42名成员组成，包括三星电子、SK Hynix、美光、TI德州仪器、索尼、东芝和英飞凌科技等知名半导体公司。

WSTS日前下调了2019年全球半导体产业的产值预期，今年8月份公布的明年预期产值是5020亿美元，同比增长5.2%，但是最新数据下调到了4901亿美元，同比今年只会增长2.6%左右。

明年半导体产值下降主要还是因为内存会降价，去年内存产业同比大涨了61.5%，今年的增速也有33.2%，但是2019年会下跌0.3%，所以内存行业在超级周期之后将会进入负增长阶段。

不过今年全球半导体市场依然是增长的，WSTS的预期产值还从4771亿美元调整到了4779亿美元，增速从15.7%上涨到15.9%。根据WSTS所说，今年大部分细分市场都在增长，以内存芯片为主，美洲、欧洲及亚太地区在内的每个地区都在增长，不过WSTS预测明年内存市场就会逆转。

内存市场由涨转跌，韩国是最为担心的，来自韩国Businesskorea的报道称全球半导体负增长可能会严重影响韩国出口，其主要行业如汽车、造船、钢铁也无一例外遇到困难。韩国国际贸易协会最近研究预测，由于半导体行业的单价下降，韩国今年、明年的出口增长将从30%降低到5%。目前半导体出口占到了韩国出口总额的21.2%，由于半导体出口下降，该国出口的总增长率可能从会今年的5.8%降至明年的3%。

在全球DRAM内存领域，三星、SK Hynix及美光三大巨头占据了95%以上的份额，他们之外的第四到第六大DRAM厂商分别是台湾的南亚科、Winbond华邦科技及Powerchip力晶，力晶的全球分为为0.3%。钜亨网报道称， 在TSIA年会上，力晶创始人、执行长黄崇仁也谈到了内存领域的几个热点事情，比如美光与中国晋华公司之间的专利纠纷等。

对于美光、晋华的专利纠纷，黄崇仁表示他所了解的美光，就是要确保中国不能发展DRAM，且可确定的是，在此事件过后，中国将不会再有任何DRAM 厂能崛起，Flash（闪存）则另当别论。

至于明年的DRAM内存走势，黄崇仁认为福建晋华案之前，全球DRAM大厂怕晋华产能加入内存市场后，市场产能过剩，因此三星、SK海力士与美光三大厂，多决定不扩充产能，在明年市场没有太多新产能开出下，下半年可预期将会「很厉害」，DRAM又会开始缺货。

根据集邦科技旗下的DRAMeXchange的Q3季度全球DRAM内存市场报告，2018年第三季DRAM整体产业营收较上季成长9%，再创历史新高，不过第三季价格涨幅基本已接近持平，因此营收成长主要来自于位元出货量的持续提升。展望第四季，10月份的DRAM合约价已经正式走跌，除了宣告DRAM价格涨势告一段落，供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。预期在供给端、渠道端、采购端库存尚未完全消化前，2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。

克利夫兰研究公司分析师Chandler Converse日前也发表报告，预测Q4季度DRAM内存价格环比会降低8%到10%，明年Q1季度还会继续保持价格下滑的趋势。

根据他的报告，美光公司在11月份是最具进攻性的内存芯片公司，2018年大部分时间里美光的DRAM芯片价格都是最低的，三星公司则是匹配价格以作出反应，目的是维持该公司的市场份额，SK Hynix公司的DRAM价格则是最高的。

美光、三星及SK Hynix三家公司在DRAM内存市场采取不同的策略也跟他们的市场地位有关，三星公司是第一大DRAM公司，市场份额45.5%，SK Hynix公司则以29.1%的份额位列第二，美光公司Q3季度份额21.1%，相对前两家公司来说美光有抢市场的需要。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发布了Q3季度全球DRAM内存市场报告，2018年第三季DRAM整体产业营收较上季成长9%，再创历史新高。观察各产品类别的报价走势，除了图显内存(graphic DRAM)受到虚拟挖矿(cryptocurrency)需求骤减与基期太高的影响，出现3%左右的跌幅，以及消费性市场应用主流DDR3因需求转弱而率先走跌外，其余主流应用别的内存（包含标准型、服务器、行动式内存）仍维持0-2%的季涨幅。

DRAMeXchange指出，有别于过去两年多来营收成长主要由报价上扬所带动，由于DRAM产能已在下半年陆续开出，第三季价格涨幅基本已接近持平，因此营收成长主要来自于位元出货量的持续提升。展望第四季，10月份的DRAM合约价已经正式走跌，除了宣告DRAM价格涨势告一段落，供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。预期在供给端、渠道端、采购端库存尚未完全消化前，2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。

从营收角度观察，DRAMeXchange指出，在产业迈向反转之际，小厂受到的冲击较龙头厂来得实时且剧烈，因此大小厂商的表现在第三季开始出现分歧。产业龙头三星受惠于新增产能逐渐放量，位元出货成长显著，尽管平均销售单价未有明显变化，但营收仍较上季成长13.6%，来到127.3亿美元的新高，在三大厂中表现最为亮眼。而SK海力士在产出提升及平均销售单价小幅上扬1%的助力下，营收季增6.0%至81.5亿美元。两大韩厂营收市占分别为45.5%与29.1%，合计约74.6%。

美光集团依旧维持第三，虽然销售单价约略持平，但位元出货提升仍带动营收来到59.2亿美元，较前一季成长6.8%，市占率则约略持平在21.1%。

观察原厂获利能力，即便第三季平均销售单价的涨幅已大幅收敛，然各厂仍持续靠着转进先进制程优化成本结构，使得营业利益率仍较前一季上扬。三星的1Ynm在第三季开始出货，因新一代制程在量产初期通常良率较低，拖累部分获利表现，导致三星的营业利益率在三大原厂中成长幅度最小，由前一季的69%微幅上升至70%，但仍创下历史新高，亦显示生产DRAM的毛利已突破八成水位。

至于SK海力士，本季1Xnm的良率显著提升，带动营业利益率从63%成长至66%，表现最为亮眼。美光受惠1Xnm的比重持续提升，拉抬营业利益率从60%升至62%。三大原厂营业利益率持续刷新纪录，但在第四季DRAM价格已正式反转向下且跌幅显著的情况下，成本优化可能已无法抵销报价下滑的冲击，因此原厂获利的高点恐已结束。

由技术面观察，三星今年除了维持1Xnm制程高产出比重外，部分Line 17增加的投片以及平泽厂二楼的DRAM产能，将往下一代1Ynm制程转进。随着平泽厂产能于今年下半年陆续开出，1X+1Ynm产出比重在年底合计将达70%，并于2019年持续提升1Ynm占比。SK海力士经过两个季度的调整与改良，1Xnm良率在第三季显著提升，而中国无锡的第二座12英寸厂仍照进度将于年底前完工，并于2019上半年开始贡献产出，但受到中美贸易摩擦的影响，无锡厂扩增投片的脚步不会太积极。而美光方面，台湾美光存储器(原瑞晶)已全数以1Xnm生产，下一步将直接转往1Znm，但实际贡献将落在2020年；台湾美光晶圆科技(原华亚科)已于第二季进行20nm往1Xnm的转换，年底前将开始转往1Ynm，并于明年逐步提升比重。

台系厂商部分，南亚科第三季出货量小幅下滑，使营收表现较前一季衰退3.7%。不过在20nm的成本效益带动下，营业利益率仍旧由上一季的46.8%大幅提升至51.0%。然而，受到DRAM报价反转向下影响，加上南科扩厂的折旧费用要开始摊提，获利能力要再攀升恐有一定压力。

力晶科技方面，由于第三季转移较多产能至获利较好的SLC NAND与非DRAM代工产品，因此本身DRAM营收较上季下滑13.3%；华邦DRAM营收则约略持平，出货量和平均销售单价皆呈现稳定。

Digitimes日前报道了创见Transcend公司董事长Peter Shu对全球内存及闪存行业的一些看法。据他所说，DRAM内存及NAND闪存行业都出现了供过于求的局面，未来一年甚至更长时间内DRAM内存价格仍有一定的下降空间。

与NAND闪存领域相比，DRAM领域的供应商数量较少，因此DRAM内存价格相比NAND闪存芯片会呈现出更温和的降价趋势。

Peter Shu称NAND闪存厂商已经大大提升了3D NAND闪存的工艺良率，进一步导致了NAND闪存芯片价格下行的压力，不过NAND价格下跌有助于加速PC产品中采用SSD硬盘的速度。

由于3D TLC闪存的产量大增，Peter Shu表示512GB的固态硬盘的价格更接近主流硬盘驱动器的价格，预计一年后进一步降至45到50美元之间，他认为SSD固态硬盘正在取代HDD硬盘成为PC中的主流存储设备。

Peter Shu还谈到了中国大陆公司进军内存及闪存市场的影响，他认为国内的DRAM初创公司在未来两三年内都不太可能在全球DRAM市场上占有一席之地，不过在NAND领域里，总部在中国的初创公司在2019到2020年间将成为行业的一部分。

在谈到中美贸易战的影响时，Peter Shu表示他们已经将所有主要的生产线转移回台湾地区，过去两年中该公司一直在优化台湾地区的生产，并用新的生产设备取代原有产线。

对于创见公司的未来，Peter Shu表示他们的重点将放在工业及其他利基市场而非大众消费市场，预计2019年创见公司的的主要增长动力会来自嵌入式设备领域。

8Gb DDR4-3200内存颗粒本身并不新鲜，三星/SK Hynix/美光两年前就有类似的产品了，不过这次的8Gb DDR4内存芯片是1Ynm工艺，这是1Xnm工艺之后第二代10nm级DRAM工艺，三星、美光之前已经宣布过类似的产品，现在是SK Hynix试产新工艺了。

在20nm节点之后，DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确，所以有了1Xnm、1Ynm及1Znm之分，简单来说1Xnm工艺相当于16-19nm，1Y工艺相当于14-16nm，1Znm工艺大概是12-14nm级别，现在三星、美光及SK Hynix是进行到了第二代10nm级工艺，不过三家量产的产品不同，三星、美光都是选择LPDDR4X内存首发1Ynm工艺，SK Hynix选择的是1Ynm工艺的DDR4-3200内存。

除了工艺升级，SK Hynix还表示他们的1Ynm工艺8Gb DDR4芯片在生产效率上提升了20%，性能也是目前最快的。此外，通过Sense Amp.Control技术，1Ynm工艺的DDR4芯片能耗降低了15%，

根据SK Hynix的规划，1Ynm工艺的DDR4内存预计会从明年Q1季度开始出货，首先面向服务器及PC产品，接下来还会有针对移动设备等产品的1Ynm工艺内存芯片。

联电本月初发布的声明强调会严肃对待美方指控，全力应对这场诉讼。日前发布的第二份官方声明则更像是一个科普，因为联电要让不了解情况的外界明白一件事——外界存在错误的印象，认为联电没有DRAM技术，而美光是全球知名的DRAM技术公司，所以爆出专利侵权诉讼时很多人一边倒地相信没有DRAM技术的联电盗窃美光技术是成立的，而联电这个声明的目的就是向外界说明自己是有DRAM技术开发经验的。

联电公司详细声明如下：

联华电子是国际公认、台湾起家的半导体公司。38年来，在全球的供应链上，已经成为不可或缺的一员，先进量产技术达14奈米。对比之下，美光公司争执所涉及的DRAM技术，是32奈米，在联华电子的计画启动当时，已经是落后几个世代的技术。

社会上有一个错误的印象，认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验，这不是事实，而且是极端的不实。从1996年到2010年，联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上，联华电子内部DRAM团队人数，超过150人。联华电子是一个有组织的企业机构，藉由坚实而稳定的团队，掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。举个例子来说，现任联华电子共同总经理之一的简山杰，是1996年时开发DRAM产品的RAM制程开发经理。另一个实例则是: Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一，该公司是一家总部位于美国的DRAM晶片设计公司，藉由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外，2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术，这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。

联华电子同意与晋华公司联合开发DRAM制程，这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目，在做成决策当时，只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易，已经向台湾政府正式提出申请，主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。值得一提的是，那时还未听说有中美贸易战。

自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术，履行合约义务，联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个专案的研发团队成员接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司工作过。

相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象，联华电子的DRAM技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计。简而言之，联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元，这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。

另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25奈米的DRAM技术。事实是，美光公司在2010年初，购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25奈米DRAM技术。

联华电子不要「在报刊上」进行这场诉讼，但联华电子要向我们的客户和投资人保证，联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。

美光表示其12Gb LPPDR4X颗粒是目前业界容量最高的，速度也是最快的——速度快倒是真的，不过美光的12Gb LPDDR4X内存并不是容量最大的了，三星早在4月份就宣布了16Gb核心容量的LPDDR4X内存了，频率同样是4266Mbps。

12Gb颗粒意味着单核心就有1.5GB容量，4核心就有6GB内存容量，8核心则是12GB内存了，明年差不多就会有12GB内存的高端智能手机了。

除了频率高达4266Mbps之外，美光表示其LPDDR4X内存还有能耗上的优势，功耗降低了10%。

美光的12Gb LPDDR4X内存使用了1Y nm工艺，官方表示是10nm级别的，这种说法经常会误导一些媒体同行，以为是10nm工艺的，它其实是1X nm之后第二代10nm级工艺，1X nm大概是16-19nm，1Y应该是14-16nm工艺，之所以这么模糊是因为20nm节点之后DRAM工艺也面临各种困难，线宽指标没有明确的数值了，所以用XYZ代替，在这之后还有1α及1β工艺。