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美光推出1β工艺DRAM:7200MT/s的16Gb DDR5内存
吕嘉俭 发布于2023-10-11 12:34 / 关键字: 美光, micron, DRAM
美光宣布,推出使用最新的1β(1-beta)工艺节点批量生产的16Gb DDR5内存,速率达到了7200MT/s。美光表示,新款DRAM芯片采用了high-k CMOS器件技术,相比上一代产品,性能提升了50%,每瓦性能提高了33%,现已交付给所有数据中心和PC客户。
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三星推出12nm级32Gb DDR5 DRAM:业界首款及最高容量同类产品,年底量产
吕嘉俭 发布于2023-09-01 11:18 / 关键字: 三星, Samsung, DRAM
三星宣布,推出业界首款及最高容量的12nm级32Gb DDR5 DRAM。这是继三星今年5月开始量产12nm级16Gb DDR5 DRAM以后,扩大了其12nm级DRAM产品线,在相同封装尺寸下提供了翻倍的容量。三星称,此举巩固了其在下一代DRAM技术方面的领导地位,标志着大容量存储器的新篇章。
三星电子DRAM产品与技术执行副总裁SangJoon Hwan表示:“凭借12nm级32Gb DDR5 DRAM,我们获得了一种新的解决方案,可以实现高达1TB的DRAM模块,使我们能够满足人工智能(AI)和大数据时代对高容量DRAM日益增长的需求。我们将继续通过差异化工艺和设计技术开发DRAM解决方案,突破内存技术的界限。”
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国内DRAM厂商正在开发高带宽类内存:类似于HBM,满足AI等应用需求
吕嘉俭 发布于2023-08-31 11:09 / 关键字: CXMT, 长鑫存储, HBM, DRAM
最近一段时间得益于人工智能(AI)业务的蓬勃发展,相关服务器的需求攀升,带动了HBM的出货拉升,也让在该领域下重注的SK海力士受益匪浅,业绩明显改善。据相关媒体报道,国内的DRAM厂商也在努力为人工智能和高性能计算应用开发自己的高带宽类内存,类似于HBM,而长鑫存储(CXMT)处于这一倡议的最前沿。
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3D DRAM或为提高密度铺平了道路,未来也将采用堆叠结构
吕嘉俭 发布于2023-08-30 16:25 / 关键字: DRAM, 3D DRAM
虽然先进半导体制造工艺在研发方面越来越困难,成本也越来越高,但仍然在不断前进,作为行业的龙头企业,台积电(TSMC)已推进到3nm制程节点。不过并不是每一种芯片都会有相应的扩展效果,比如DRAM,早已遇到缩放困难的问题,研究人员最快在5年后就无法继续提高密度了。
据TomsHardware报道,专门从事半导体电路设计的Lam Research最近发布了一份关于DRAM产品如何发展的建议,未来可能属于3D DRAM,将引入堆叠结构。据称,大概还需要5到8年的时间,才能设计出可制造的3D DRAM设备,从2D DRAM扩展结束到3D DRAM扩展开始之间可能有3年的时间差。
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HBM带动DRAM营收止跌回升,2023Q2环比增长20.4%
吕嘉俭 发布于2023-08-25 09:31 / 关键字: DRAM
得益于人工智能(AI)业务的蓬勃发展,相关服务器的需求攀升,带动了HBM的出货拉升,加上不少厂商在客户端DDR5的备货潮,使得三大原厂的出货量均有增长。根据研究机构TrendForce发布的最新调查报告,2023年第二季度DRAM营收约114.3亿美元,环比增长20.4%,结束了连续三个季度下滑的下跌趋势。
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美光要求政府出资,帮助其建造两处新工厂
吕嘉俭 发布于2023-08-23 16:32 / 关键字: 美光, Micron, DRAM
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美光计划2024H1量产32Gb DDR5芯片,以打造1TB内存模块
吕嘉俭 发布于2023-07-27 15:57 / 关键字: 美光, micron, DRAM
今年年初,美光推出了符合DDR5-5200和DDR5-5600标准的第二代DDR5内存模块,除了传统的8GB、16GB和32GB以外,还有24GB和48GB提供给用户选择,支持XMP 3.0和EXPO技术,使用1α工艺节点进行批量生产。这也是市场上首批24GB和48GB内存模块,从侧面证明了美光在存储领域的实力。
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厂商减产及季节性需求支撑DRAM价格,2023Q3下跌幅度预计5%以内
吕嘉俭 发布于2023-07-05 11:05 / 关键字: DRAM
TrendForce发布了新的调查报告,表示因DRAM供应商陆续启动减产,加上季节性需求的支撑,减轻了供应商的库存压力,预计今年第三季度DRAM均价跌幅将收窄,下跌的幅度在5%以内。
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DRAM产业2023Q1营收环比下降21.2%,已连续三个季度衰退
吕嘉俭 发布于2023-05-26 11:40 / 关键字: DRAM
TrendForce发布了新的调查报告,表示今年第一季度DRAM产业的营收约为96.6亿美元,环比下降了21.2%,已连续三个季度衰退。出货量仅美光出现上升势头,在平均销售价格(ASP)上,三大厂都出现了下跌。
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三星宣布12nm级DDR5 DRAM开始大规模生产:功耗降低23%,生产效率提高20%
吕嘉俭 发布于2023-05-18 12:29 / 关键字: 三星, Samsung, DRAM
三星宣布,其采用业界最先进12nm级别工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已经开始批量生产。三星表示,通过完成最先进的制造技术,再次证明了其在尖端DRAM技术方面的领先地位。
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市场供需仍不平衡:第二季度DRAM及NAND闪存均价跌幅或将扩大
艾文龙 发布于2023-05-10 10:56 / 关键字: DRAM, NAND, 闪存
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传DDR5服务器内存遇到PMIC匹配性问题,预计2023Q2价格跌幅收窄
吕嘉俭 发布于2023-04-25 17:52 / 关键字: DRAM
今年服务器平台有较大的变动,基于英特尔的Sapphire Rapids和AMD的Genoa构建的服务器都将大规模量产,两者都将支持DDR5 Server DRAM。不过近期市场传出DDR5 Server DRAM遇到PMIC匹配性问题,目前DRAM原厂和PMIC厂商均已着手处理。
TrendForce表示,该事件预计会产生两种影响:首先仅MPS(芯源系统)供应的PMIC没有问题,DRAM原厂短期内将提升对MPS的采购比重;其次原厂DDR5 Server DRAM在生产上仍停留在旧制程,短期内供给量多少都会受到此事的影响,预计今年第二季DDR5 Server DRAM价格跌幅将收窄,由原来预估的15%至20%,缩小到13%至18%。
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三星减产将集中在DDR4内存上:加速去库存,价格或更早地出现反弹
吕嘉俭 发布于2023-04-11 10:46 / 关键字: 三星, Samsung, DRAM, NAND
此前三星发出了2023年第一季度的“盈利指引”,显示经营持续恶化,收入同比下跌19%,利润同比下跌95.8%,这是自2008年金融风暴以来最差的业绩表现。其中存储器部门业绩恶化是导致2023年第一季度营收减少的主要原因,为此三星改变了“不减产”的说法,表示“将存储芯片产量调整至有意义的水平,已有足够的库存来应对未来需求”。
三星的减产从本周开始,这是其过去27年来首次宣布减产,一改“逆周期”的做法,不过并没有说明各类型产品的减产情况。据DigiTimes报道,有业内人士指出,三星的减产主要集中在DDR4上,以更好地去库存,这最终会影响产品的价格。无论哪种方式,DDR4的库存恢复到正常水平后,价格将会出现反弹。
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2023Q2的DRAM价格跌幅将收窄至10%到15%:仍处于下行周期,未有止跌迹象
吕嘉俭 发布于2023-03-28 17:39 / 关键字: DRAM
TrendForce发布了新的调查报告,显示因美光和SK海力士在内的部分供应商启动了DRAM减产计划,2023年第二季度DRAM价格跌幅将收窄至10%到15%,跌幅相比第一季度接近20%要小。不过2023年下半年的需求前景仍然不明朗,DRAM价格下行周期,未有止跌迹象,而且原厂库存水平仍处于高位,除非有更大规模的减产,后续合约价才有可能反转。
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三星和SK海力士加快3D DRAM商业化进程,全新结构存储芯片将打破原有模式
吕嘉俭 发布于2023-03-14 19:22 / 关键字: 三星, Samsung, SK海力士, SK hynix, DRAM, 3D DRAM, 美光, Micron
三星和SK海力士是存储器领域的领导者,位列行业前两名,传闻两家巨头都在加快3D DRAM商业化进程,以改变存储器行业的游戏规则。其实DRAM行业里排名第三的美光,自2019年以来就开始了3D DRAM的研究,获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍。
据Business Korea报道,有行业人士透露,三星和SK海力士的高管在最近的一些官方活动上,都将3D DRAM作为克服DRAM物理极限的一种方式。三星表示,3D DRAM是半导体行业未来的增长动力。SK海力士则认为,大概在明年,关于3D DRAM的电气特性细节将被公开,从而决定其发展方向。
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