三星的V1工厂位于韩国本土，始建于2018年2月份，并已经在去年下半年开启了晶圆生产的测试，官方称该工厂将于本季度将第一批产品交付给客户。

V1工厂将会专注于使用7nm以下的制程工艺生产晶圆，目前它正在生产使用7nm和6nm节点的移动芯片，并将会逐渐进化，直到达到3nm节点。在三星的工艺路线图中，7nm节点将会逐渐演进到4nm，而3nm节点则将会使用全新的工艺技术，所以预计到时会有新的生产线接手3nm的生产。

到2020年末，三星预计将在V1工厂上累计投入约60亿美元，在大额投资的推动下，三星的7nm及以下制程产能相比2019年将扩增3倍。

目前三星共有6个半导体晶圆生产厂，覆盖了从180~7nm的不同制程工艺，其中专注于10nm以下的S3工厂将会和V1工厂一起撑起三星高端工艺产能。

目前三星可能已经接到不少使用EUV工艺的订单了，比如NVIDIA的新芯片和高通的SoC、基带等产品都有部分将交给三星使用新制程工艺进行代工，V1工厂也将是三星反击台积电的有利武器。

台积电目前在硅制作工艺上一直非常激进，在先进工艺上投入了大量的资金，现在已经达到或者超过Intel在半导体工艺上的投入了，这主要是因为目前市场对先进制作工艺的需求，而且台积电也必须保持自己的先进性才能保住这些客户不让他们跑到别的地方去。

根据DigiTimes的消息，台积电预计净在台湾南部科学园收购了30公顷的土地，准备用来建设新的晶圆厂，这个新的晶圆厂有望成为2022年末2023年年初的3nm工艺的生产工厂，台积电其实明年就会开始准备3nm的生产设施和准备，3nm节点是台积电在EUV光刻技术上的第三次尝试，是在7nm+和5nm之后的重要节点。

就像我们之前知道的那样，目前的FinFET已经不能满足于3nm节点时代的生产了，业界目前计划引入新的GAA（闸极全环 Gate-all-around）技术。但不能排除TSMC和Intel会继续使用生产更容易、成本更加低的FinFET，因为它尚有潜力可以被挖掘，而三星已经计划在3nm上面引入GAA技术了。WikiChip更加倾向于TSMC会继续在3nm节点上面使用FinFET，而会在随后的工艺节点中引入GAA技术。

而到目前为止，只有一家光刻设备生产厂能够提供EUV光刻设备，这家厂就是业内著名的ASML公司。他们在本周公布了2019年第三季度的财务报告，数据显示他们在第三季度中收到了来自不同客户的23份EUV光刻系统订单，这使得他们在上个财务季度达到了公司有史以来的最高单季预定额，总数达到51.11亿欧元，比上季度数据高出80.72%。而总收入和净收入数据也很好看，总收入达到29.87亿欧元，净收入达6.27亿欧元。三季度中ASML交付了7台EUV光刻系统，这使得今年交付的EUV光刻系统总数达到了18台。

EUV作为一项高难度工艺，目前也只有寥寥几家代工厂有能力使用它，还因为EUV设备的提供商仅有ASML一家的缘故，全球到现在不过只有约60台EUV光刻工具，远少于DUV设备的数量。除了将EUV工艺应用于高密度的处理器生产流程之外，三星和SK海力士还在考虑将EUV引入到DRAM的生产中，使1x/1y nm工艺更上一个台阶。而随着主要半导体代工厂在规划自己未来的工艺时纷纷使用EUV技术，ASML的业绩也将继续走高。

目前尚不清楚是什么导致了对16nm芯片的需求高于预期，16nm工艺节点已经相当古老了，台积电于2013年11月开始生产16nm工艺制造的芯片，距今已有6年时间，台积电有足够的时间弄清楚该如何使该节点的生产效率最大化，不过仍出现了供不应求的问题。

台积电如此强劲的势头使其有可能在2020年实现更强劲的收入增长，如今的AMD在其Ryzen和EPYC处理器以及Navi显卡中使用台积电的7nm工艺，Nvidia计划在其下一代GPU中使用台积电增强的7nm工艺，苹果的新型A13 Bionic处理器也是采用台积电增强的7nm工艺打造。

台积电增强的7nm工艺即其领先业界的EUV微影技术之7nm+制程，前不久台积电官方发文称，导入EUV微影技术的7nm+制程奠基于台积电成功的7nm制程之上，并且为6nm以及更先进的制程奠定了良好的基础。7nm+的量产速度为史上量产速度最快的制程之一，它与2019年第二季度开始量产，在7nm制程已经量产超过一年时间的情况下，7nm+的良品率已经达到和7nm相当接近的程度。

7nm+制程还提供了整体效能的提升，7nm+制程的逻辑密度比7nm提高了15%到20%，并同时降低了功耗，使其成为业界下一波产品中更受欢迎的制程选择。台积电亦快速部建产能以满足多个客户对于7nm+的需求。

台积电昨日宣布，导入EUV微影技术的7nm+制程奠基于台积电成功的7nm制程之上，并且为6nm以及更先进的制程奠定了良好的基础。7nm+的量产速度为史上量产速度最快的制程之一，它与2019年第二季度开始量产，在7nm制程已经量产超过一年时间的情况下，7nm+的良品率已经达到和7nm相当接近的程度。

7nm+制程还提供了整体效能的提升，7nm+制程的逻辑密度比7nm提高了15%到20%，并同时降低了功耗，使其成为业界下一波产品中更受欢迎的制程选择。台积电亦快速部建产能以满足多个客户对于7nm+的需求。

EUV微影技术使台积电能够持续推动晶片微缩，因为EUV的较短波长能够更完美的解析先进制程的设计。台积电的EUV设备已经达到成熟生产的实力，EUV设备机台也已经达到大量生产的目标。

台积电业务开发副总经理张晓强表示：“AI和5G的应用为晶片设计开启了更多的可能，使其得以许多新的方式改善人类生活，我们的客户充满了创新及领先的设计理念，需要台积电的技术和制造能力使其实现，我们在EUV微影技术上的成功，是台积电能够具体落实客户领先设计的绝佳证明。”

7nm+的成功经验是未来先进制程技术的基石。台积电的6nm制程技术将于2020年第一季度进入试产，并于年底前进入量产。随着EUV微影技术的进一步应用，6nm的逻辑密度将比7nm提高18%，而6nm凭借着与7nm完全相容的设计法则，也将大幅缩短客户产品上市的时间。

Exynos 9825的CPU部分仍为两个三星自研的核心加上两个A75核心和四个A55核心，GPU为Mali-G76 MP12，集成了NPU核心，内存支持LPDDR4x，存储支持UFS 3.0和UFS 2.1，基带支持LTE Cat.20 8CA 2Gbps下行，Cat.20 3CA 316Mbps上行，ISP支持后置2200万像素，前置2200万像素，以及双1600万像素双摄，视频最高支持8K30和4K150的解码和编码，支持H.265/HEVC、H.264、VP9编码标准。

从参数上来看，Exynos 9825和9820几乎是同一个模子里印出来的，毕竟后者是今年初刚发布的，架构上还没来得及改动。对比三星给出的参数图，跟9820的不同之处就是CPU项目里多了两个加号，然后就是制程变为了7nm EUV，可以说算一次Die Shrink。因此这次的重点是在降低功耗，三星之前宣称新的工艺相比8nm能够降低30%~50%的功耗，说实话数字上是挺夸张的，实际如何还要等实测。而性能方面三星宣称新工艺能提升20%~30%，不过就本次的Exynos 9825而言提升应该非常有限，具体的提升幅度还要看CPU和GPU的频率提升了多少。

台积电的7nm EUV实际上也已经量产了，苹果的A13和海思麒麟985会是其第一批客户，两家的制程之战仍将继续。

在报道中称台积电目前N3工艺（N3就是台积电对3nm工艺）的技术开发进展顺利，而且已经与早期客户也已经参与到技术定义方面的工作中，同时台积电首席执行官魏哲家也希望3nm工艺能保持台积电在未来的领先。

这也是除了路线图之外台积电再次谈及3nm工艺相关的问题，但是也需要清楚的是，目前3nm工艺依旧在开发中，未来离我们更近的是5nm工艺。虽然在7nm工艺中台积电是出于领先状态的，但在7nm EUV节点上三星也已经赶上，而且也规划了将在2021年推出3nm GAA工艺，这也意味着台积电与三星在EUV工艺节点上再次处于几乎相同的起跑线上。

虽然未来5G、高性能计算等方面需要更先进的制程工艺，但先进工艺生产线及芯片设计成本也在飞速提升。此前有报道称三星在7nm EUV工艺中已获得了多家厂商的订单，在这个工艺节点中三星已逐渐赶上，所以从此次台积电称已有客户参与也是提早准备，确保在未来不会出现如目前7nm EUV工艺出现的客户流失的问题。

据DRAMeXchange报道，DRAM市场供给过剩导致价格不断下跌，DRAM厂虽然尽量减产但仍然无法让价格明显止跌，维持获利的唯一方法就是微缩制程来降低单位生产成本。不过，DRAM制程向1z纳米或1α纳米制程推进的难度愈来愈高，随着EUV量产技术获得突破，或可有效降低DRAM成本。

据悉，三星预期在今年11月开始量产采用EUV技术的1z纳米DRAM，量产初期将与三星晶圆代工共享EUV设备，初期使用量虽不大，但却等于宣示DRAM光罩微影技术会朝EUV方向发展。至于SK海力士及美光也已表明开始评估采用EUV技术，业界预期将可能在1α纳米或1β纳米世代开始导入。

三星的1z纳米属于第三代10nm级工艺，10nm级工艺并不是10nm工艺，由于20nm节点之后DRAM的工艺升级变得困难，所以DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确，于是有了1xnm、1ynm及1znm之分，简单来说1xnm工艺相当于16-19nm，1ynm工艺相当于14-16nm，1znm工艺大概是12-14nm级别，而在这之后还有1α及1β工艺。由于先进制程采用EUV微影技术已是趋势，在台积电第二季EUV技术7+纳米进入量产阶段并获华为海思订单后，三星晶圆代工也采用EUV量产7纳米制程，英特尔预期2021年7纳米会首度导入EUV技术。而随着制程持续推进至5纳米或3纳米后，EUV光罩层会明显增加2～3倍以上，对EUV光罩盒需求亦会出现倍数成长。

这是台积电首个采用EUV光刻技术的工艺节点，台积电表示，其已将7nm+（N7+）工艺的良品率提升至与其7nm工艺相当的水平，并补充称其整体7nm芯片产量今年将大幅增长。

台积电预测，2019年其总产能可将1200万片12英寸晶圆加工成成片，7nm工艺技术产能将同比增长150％。

并且，台积电也有望在2020年第一季度将更新的5nm工艺节点投入批量生产。台积电在其5nm技术中将广泛采用EUV光刻技术。

台积电并没有提到第一款采用7nm+工艺的的产品是什么，根据此前的传闻，很有可能是苹果的A13芯片。苹果A13芯片将会出现在iPhone XR，iPhone XS和iPhone XS Max的继任者们身上。他们说，新的高端机型代号为D43和D44，而iPhone XR的继任者在内部称为N104。苹果计划在A13芯片中加入新组件，包括用于拨打电话和连接互联网的蜂窝调制解调器，以及基于最近与Dialog Semiconductor Plc达成协议的电源组件。

另外，AMD已经确定使用7nm+工艺生产明年的Zen 3架构处理器了，7nm+工艺可以让晶体管密度提升20%性能提升10%。

根据ASML的财报，Q1季度该公司营收22.89亿欧元，其中服务费用5.4亿欧元，设备净销售额16.89亿欧元，EUV光刻机营收占了22%，当季出货4台EUV光刻机，而2018年Q4季度出货了5台EUV光刻机，毕竟Q1季度是淡季，而且各大厂商今年也放缓了半导体投资步伐。

目前ASML出货的EUV光刻机为NXE：3400B型号，每小时处理器的晶圆数不低于125片（125 wph），而今年下半年他们将会推出NXE：3400C光刻机，每小时处理器的晶圆数不低于170片（170 wph）。我们之前介绍过，光刻处理是半导体芯片制造工艺中最复杂的一步，耗时最多、同时也是成本最高的一个过程，占了整个芯片制造成本的1/3左右，所以光刻处理的效率极大地影响着半导体芯片的产能及成本。

从125 wph到170 wph，产能将会提升36%，也就是说一下子就提升了三分之一的产能，这对今年内量产7nm EUV工艺的台积电、三星来说是个重大利好。