日前AMD拆分公司GlobalFoundries正式宣布其董事长Hector Ruiz（原AMD CEO）已不再担任董事长一职。

　　事实上Ruiz在前两个月就已递交了辞职信并将在1月份正式离职，GlobalFoundries并没有公布其离职的真实原因，不过据各媒体的猜测是由于Ruiz涉嫌与Galleon Group非法内幕交易有关：在AMD未拆分之前曾预先向Galleon Group透露了AMD将拆分的重要信息，便于后者提前进行相关股票交易而获利，不过目前Ruiz并未被法院正式起诉，亦并未被列入嫌疑人名单之内。

　　在GlobaFoundries选出新一任的董事长之前，Ruiz的职位将由Alan Ross暂时取代。

　　双方的合作初期主要围绕SoC处理器进行，涉及到一系列的物理、Fabric和处理器知识产权。按照合作协议，GlobalFoundries将采用最先进的28nm HKMG工艺为ARM制造Cortex-A9处理器，该工艺具有高性能和低泄漏的特点。

　　作为AMD前生产部门的GlobalFoundries正在日益壮大着，而且还受到了美国政府的重视，上周一其位于纽约州的新工厂还迎来了美国总统奥巴马的访问，当然了新工厂的建成将提供大量的工作岗位，为社会创造更多就业机会。

　　GlobalFoundries收购新加坡特许半导体为其带来了更多的客户，在收购特许半导体之前其主要客户只有AMD和意法半导体两家，而据消息透露其真正客户数量目前已经达到了150家左右。

　　在上周的IDF大会上Intel表示将会进军智能手机及MID领域，并且对SoC系统级芯片寄予了莫大的期望，而ARM与GlobalFoundries的合作势必对Intel的这一计划造成一定的威胁。

　　之前的消息称GlobalFoundries的32nm制程技术将于明年第一季度开始试产，但是最近泄露的一份roadmap表明，这一技术已经推迟到明年第三季度，这也就意味着在制程换代上AMD比Intel更落后一步。AMD的内部文档显示，旗下的32nm产品将于2011年推出，但是英特尔的32nm处理器将于明年初上市。

　　此外，GlobalFoundries的45nm和40nm低功耗制程技术均推迟了一个季度，真正的试产将于明年第三季度开始。

　　值得庆幸的是，28nm高K金属栅极技术将如期于明年第四季度进行试产，而低功耗版本将从2011年第一季度开始生产。

　　GlobalFoundries的董事长Hector Ruiz表示，“GlobalFoundries目的是在世界上领先其余竞争对手，Fab3晶圆厂将很快会进入规划阶段”。

　　GlobalFoundries的Fab 2工厂建成后将生产300mm晶圆，最初启用28nm技术节点，并在2012年进入22nm节点，而Ruiz并未透露Fab 3工厂将会采用何种节点工艺。

　　目前GlobalFoundries有三个大客户：AMD的处理器部门、AMD的ATI显卡部门以及意法半导体。预料NVIDIA及其他领先世界的芯片设计业者亦会对该公司有着浓厚的兴趣。

　　GlobalFoundries现阶段的发展路线图如下：

　　•Q1 2010——提高32纳米SOI和High-k金属栅极工艺产量； 　　•Q2 2010——开始使用45nm/40nm bulk制造工艺技术； 　　•Q4 2010——开始向合同芯片制造商提供28nm bulk工艺技术； 　　•Q1 2011——推出低功耗High-K 28nm制造工艺； 　　•2H 2012——开始在纽约新工厂生产28nm芯片； 　　•2013——开始过渡到22nm工艺技术，其纽约工厂将联合IBM首次使用22nm制造工艺。

　　“GlobalFoundries的40nm技术非常先进，产品规划也极具侵略性，到明年年底他们将拥有包括28nm在内的一系列先进制程技术。”

　　Johnson还指出了两者之间的发展重心不同，GlobalFoundries着重于开发45nm甚至更先进的工艺技术，而TSMC则以65nm技术为主。Johnson称：“GlobalFoundries对制程技术的掌控游刃有余，TSMC恐怕得小心为妙。”事实上，TSMC主席Morris Chang（张忠谋）在日前举行的分析会议上也承认“GlobalFoundries将是一个危险的竞争对手”。

　　GlobalFoundries已在德国德累斯顿建有Fab 1晶圆厂，而耗资42亿美元的Fab 2也已在纽约萨拉托加动工，建成后将成为全球最先进的半导体工厂。

　　该晶圆厂预计需要2年时间完工，建成后将生产300mm晶圆，2012年开始启用28nm工艺，而稍后还将提升至22nm工艺。

　　GlobalFoundries表示，“新的晶圆厂和位于德累斯顿的Fab1工厂将联合成为全球最先进的半导体代工厂，使客户的产品能够更快进入市场，同时提供更先进的技术平台”。此外，新建Fab 2晶圆厂正式启用后还将提供1400个相关岗位，并带动该地区5000个间接就业机会。

　　NVIDIA的CEO在之前也曾暗示有与GlobalFoundries合作的可能性。近日，GlobalFoundries的高层Jon Carvill在官方博客中提到：“在2009年底之前GlobalFoundries将会争取到更多的客户”。

　　我们有可能相信GlobalFoundries稍后将会有重要决议宣布，而Carvill亦提及目前正加大力度建设R&D队伍和发展32/28/22nm新工艺，并且在未来3到5年内都会加大资金的投入，最终目是尽可能多地增加客户的数量。

　　据介绍，该技术能够把HKMG（High-K metal gate）晶体管内的EOT（equivalent oxide thickness）按比例缩小而达到符合22nm工艺的要求，同时保持低渗出、低电压以及高灵活性的特点。

　　GlobalFoundries研究与开发技术部门的副总裁Gregg Bartlett表示“HKMG作为GlobalFoundries技术RoadMap中的关键部分，将为客户提高产品性能提供强有力的工具。尤其是在发展迅速的超便携式产品，例如Netbook、Smartphone等领域中，将能够大大增强电池续航能力。在与IBM的合作过程中，我们亦会运用全局知识及超前技术，让我们的客户带来处于半导体制造业中领先地位的尖端技术”。

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　　Sonderman分别介绍了45/32/28nm工艺的晶圆，其中视频中介绍的第一块为即将到来的AMD 45nm Istanbul的晶圆；而中间的则为32nm SOI测试晶圆；摆在最前面的为超低功耗的28nm bulk SRAM晶圆。据介绍，32nm及28nm工艺都将会在明年投入量产。

　　以下是Tom Sonderman介绍各工艺晶圆的视频：

消息来源：[tweaktown]

　　据称，AMD将在年底发布的首批DX11显卡将会从目前的RV7x0核心中改良而得，缓存（caches）及寄存器（registers）将会得到扩充以达到支持DX11的需求，并采用TSMC 40nm工艺。其实这批显卡都只是HD4800/4700/4400系列的DX11及40nm工艺改良版本而已。

　　不过TSMC 40nm工艺所存在的产能问题将继续困扰着NVIDIA及AMD，所以AMD打算在明年上半年把GPU生产代工厂转移到GlobalFoundries，届时GlobalFoundries亦会出台28nm Bulk工艺。藉此AMD也将再度发布“原生”的DX11显卡，而GPU核心工艺将由40nm直接跳到28nm中去。

消息来源：[BSN]

　　Sonderman表示，"Globalfoundries将会加速推出32nm及28nm工艺技术以竞争获得AMD图形芯片业务"。当然用竞争这个词是不太适当的，作为AMD的前生产部门，AMD肯定会首先考虑选择把CPU和GPU生产的相关业务交由Globalfoundries来完成。

　　Sonderman还指出，目前Globalfoundries的32nm制作工艺已经批量投放在Dresden（德累斯顿），将在今年稍晚时候接受各客户的订单，并预计会在2010年达到可观的产量。不过Sonderman并未谈论更多关于28nm工艺的细节，而且何时可正式实施28nm工艺技术也并未提及，不过这将会是未来工艺发展的一个大方向。

消息来源：[xbitlabs]