据Business Korea报道，三星和SK海力士将得益于SSD产品的价格持续上涨，NAND闪存业务有望在2024年第一季度再次实现盈利，结束连续亏损的局面。根据TrendForce上个月发布的2023年第四季度NAND闪存市场报告，显示三星是市场占有率最高的厂商，达到了36.6%，其次是SK海力士的21.6%，第三名是西部数据的14.5%。

更值得关注的是，除了SSD，现在HDD的价格也在不断上涨。虽然HDD比起SSD速度更慢、发热量更高、噪音也更大，但是在相同容量下，价格会更便宜，而且发生故障时更容易恢复数据，在部分细分市场会更受欢迎。HDD的价格上涨说明了这次存储产品的价格上涨，与整个下游产业链有密切的关系，同时人工智能（AI）的蓬勃发展影响供需关系不仅仅是与计算相关的芯片。

与DRAM业务恢复的速度相比，三星和SK海力士的NAND闪存业务反弹的速度较慢，两大巨头都希望通过提高SSD产品的价格，以尽早让整个存储器业务恢复到盈利的状态，为营收做出更大的贡献。

据Business Korea报道，有业内人士透露，SK海力士正在准备第六代10nm级别的1cnm工艺的产品，已经制定了对应的客户认证及生产计划，打算在2024年第三季度量产，这将领先于竞争对手三星。相比于现在的1βnm工艺产品，1cnm工艺在同样采用EUV光刻技术的情况下，每片晶圆可生产更多数量的芯片，并实现更高的功率效率。

SK海力士将加快英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证步伐，以便1cnm DDR5 DRAM量产后能够迅速进入市场，第一时间供应给亚马逊和微软等主要客户。SK海力士去年正是把握了1βnm DDR5 DRAM抢先通过验证及上市的机会，获得了相当部分的数据中心DDR5内存产品的市场份额，一定程度上弥补了存储器市场低迷造成的损失。

三星上个月在美国硅谷举行的“Memcon 2024”全球半导体大会上表示，计划今年底量产1cnm DRAM产品，12月前获得客户验证。

自去年人工智能市场快速发展后，HBM等超高性能存储器的需求剧增，半导体先进封装也变得更加重要。作为HBM市场上掌握主动权的厂商，SK海力士为了加强技术领导力，考虑到大量美国科技客户的需求，决定在当地投资先进后端工艺领域，并寻找最合适的地点，并积极推进先进后端工艺方面的技术研究。

经过评估多处候选地点，SK海力士最终选择在美国印第安纳州为投资地。一方面是当地政府积极地招商引资政策，另一方面该地区拥有丰富的半导体生产所需的制造基础设施，还有着以半导体等先进研究而闻名的普渡大学等科研学术单位。

此外，SK海力士还将推动在韩国的投资项目，以120万亿韩元建设的龙仁半导体集群目前正在进行用地在建工程，计划明年3月开工建造首座工厂，并于2027年初完工。SK海力士还打算建造“迷你工厂”，这是为了验证半导体材料、零部件、设备等，具备300毫米晶圆工艺设备的研究设施，以加强半导体生态系统建设。

据相关媒体报道，SK海力士计划在美国印第安纳州西拉斐特市投资40亿美元，建造一座芯片封装厂。预计新工厂将在2028年开始运营，并创造多达1000个工作岗位，此举也将得到当地州政府以及联邦政府的税收减免支持。

SK海力士是英伟达HBM产品的主要供应商之一，包括HBM3和HBM3E等芯片，是AI GPU供应链中的关键组成部分。据了解，SK海力士在报告中提及政府可能提供的税收优惠政策，认为这些支持对该项投资至关重要。SK海力士向媒体透露，该投资项目正在审查当中，尚未做出最终决定。

由于台积电（TSMC）在亚利桑那州正在兴建两座晶圆厂，加上SK海力士的新设施，那么英伟达面向人工智能应用的各类产品就能在本土完成更多的生产和封装流程。

据ComputerBase报道，SK海力士耗资至少120万亿韩元（约合907亿美元），在位于韩国京畿道中部的龙仁市建设新的半导体生产园区，其中包括四座独立的晶圆厂，目前正在做开工前的准备工作，已完成了三分之一。

SK海力士早在2019年就宣布了建造全球最大芯片生产设施的计划，不过因各方面的原因延误了，最终在2022年与韩国中央及地方政府达成协议，让项目有了新的进展。SK海力士打算在2025年3月正式开工，首座晶圆厂将在2027年完工，整个园区预计在2046年完工。暂时还不清楚首座晶圆厂到底是生产DRAM还是NAND闪存芯片，考虑到目前人工智能市场对于HBM产品的巨大需求，SK海力士产能吃紧，这很可能是选择的方向。

据了解，四座晶圆厂将占据一半的园区，SK海力士还会在园区建造大量的配套支持设施，比如废水处理厂。除了SK海力士外，三星也选择了在附近建造类似的半导体生产园区，其中还有研发中心。

SK海力士表示，“PCB01”已从全球主要客户处完成了对该产品性能和稳定性的验证，计划于上半年内完成开发，并在今年内面向大型客户和普通消费者推出。其代号“Alistar”的主控芯片为SK海力士自研，搭配的是238层3D TLC NAND闪存，连续读取速度可达到14GB/s，连续写入速度为12GB/s，是目前行业最高速度的产品之一。

PCB01专为AI PC端优化设计，相较于上一代产品，速度提升了2倍，可在1秒内实现加载需要用于人工智能学习和推理的大型语言模型（LLM）。同时PCB01的功耗效率比起上一代产品提升了30%，可有效管理大规模AI计算的功耗需求。此外，SK海力士的技术团队还应用了SLC缓存技术，使部分NAND闪存存储单元能够以高速的SLC模式运行，仅迅速读取和使用必要数据，以提高读写速度。

不过根据SK海力士提供的资料，Platinum P51的读写速度分别为13.5GB/s和11.5GB/s，比起PCB01略慢一些。Platinum P51将提供500GB、1TB和2TB产品，SK海力士暂时没有给出具体上市时间以及定价的信息。

最近负责SK海力士研发工作的副总裁Lee Kang-Wook接受了媒体的采访，表示SK海力士正在加大在先进芯片封装方面的支出，打算在韩国投资10亿美元建造先进封装设施，以进一步扩大先进封装产能，希望能够抓住市场对高带宽存储器日益增长的需求带来的机遇，同时巩固SK海力士目前在HBM市场的领导地位。

Lee Kang-Wook认为，半导体行业前50年的重点一直在前端，也就是芯片的设计和制造，而接下来的50年的重心将移到后端，即封装部分。虽然SK海力士每月公布今年的资本支出预算，但行业分析师做了评估，预计金额约为14万亿韩元（约合106.88亿美元/人民币768.6亿元），其中大概十分之一用于先进封装技术，比重并不算小。

Lee Kang-Wook曾在HBM2E上采用了开创性的封装方法，是SK海力士在2019年底赢得英伟达订单的关键。

HBM需要在基础晶圆上通过硅通孔（TSV）连接多层DRAM，首批HBM3E产品均采用8层堆叠，容量为24GB，美光、SK海力士和三星分别在去年7月、8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称，英伟达已经向SK海力士和美光分别支付了约合5.4亿至7.7亿美元的预付款，供应下一代HBM3E。

美光、SK海力士和三星都在推进12层堆叠HBM3E的开发，容量也将提升到36GB，其中需要解决一些器件特性和可靠性验证问题。上个月三星宣布，已开发出业界首款12层堆叠HBM3E，提供了高达1280GB/s的带宽，预计今年下半年开始大规模量产。不过目前看来SK海力士的进度也很快，传闻还应用了新的工艺。

有业内人士称，SK海力士提供的样品属于早期版本，主要是为了建立新产品的标准和特性，SK海力士称其为“UTV（Universal Test Vehicle）”，预计这次产品验证测试不会花太多的时间。随着人工智能芯片市场的快速增长，HBM产品的竞争也变得更加激烈。

据相关媒体报道，铠侠已经向SK海力士提出了一项交易，可以使用其位于日本的晶圆厂为对方生产NAND闪存，希望后者能够改变对西部数据和铠侠NAND闪存生产业务合并计划的看法。

从SK海力士的角度出发，如果西部数据和铠侠NAND闪存生产业务合并成功，将出现一个比自己体量更大的直接竞争对手，所以提出反对是很合理的。铠侠这次的提议对SK海力士来说也有一定的吸引力，意味着不需要投资扩大生产线或建造新的晶圆厂，就拥有更多的NAND闪存产能。在经济利益方面来看似乎也不错，但暂时还不清楚SK海力士是否感兴趣。

其实西部数据和铠侠的NAND闪存生产业务合并还面临其他的问题，比如之前铠侠的主要股东贝恩资本对于合并条款就存在分歧，导致交易的细节部分一直未能达成一致，最终让谈判陷入了僵局。此外，这笔交易的财务条款也是完全未知的状态。

HBM类产品前后经过了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的开发，其中目前最为先进的HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本，而HBM4将是第六代产品。HBM4堆栈将改变自2015年以来1024位接口的设计，采用2048位接口，而位宽翻倍也是是HBM内存技术推出后最大的变化。由于2048位接口需要在集成电路上进行非常复杂的布线，可能需要台积电更为先进的封装技术来验证HBM4芯片。

有消息称，HBM4芯片将用于Blackwell架构GPU第二次迭代升级中。

HBM类产品前后经过了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的开发，其中HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本，而HBM4将是第六代产品。HBM4堆栈将改变自2015年以来1024位接口的设计，采用2048位接口，而位宽翻倍也是是HBM内存技术推出后最大的变化。

目前单个HBM3E堆栈的数据传输速率为9.6GT/s，理论峰值带宽为1.2TB/s，而由六个堆栈组成的内存子系统的带宽则高达7.2TB/s。出于于可靠性和功耗方面的考虑，一般速度不会达到最高的理论带宽，像H200的峰值带宽为4.8TB/s。按照美光之前的说法，单个HBM3E堆栈的峰值带宽将提高到1.5TB/s。由于2048位接口需要在集成电路上进行非常复杂的布线，预计成本也会高于HBM3和HBM3E。

HBM4在堆栈的层数上也有所变化，除了首批的12层垂直堆叠，预计2027年存储器厂商还会带来16层垂直堆叠。此外，HBM还会往更为定制化的方向发展，不仅排列在SoC主芯片旁边，部分还会转向堆栈在SoC主芯片之上。

据相关媒体报道，SK海力士透露，考虑在美国印第安纳州兴建晶圆厂及封装设施，投资金额大概为150亿美元，将生产和封装HBM产品。此外，SK海力士还将亚利桑那州作为备选地点。

由于台积电（TSMC）在亚利桑那州正在兴建两座晶圆厂，加上SK海力士的新设施，那么英伟达面向人工智能（AI）的计算卡就能在本土完成芯片的生产和封装。近期有报道称，英伟达已经将英特尔作为其高级封装服务的提供商，后者最早会在今年第二季度开始向英伟达提供先进封装，月产能为5000片晶圆。如果SK海力士未来在美国生产HBM4，那么英伟达也不会缺乏先进封装的选择。

据称，SK海力士的美国工厂计划还在考虑当中，尚未做出最终决定。

财报显示，随着半导体存储器市况迎来反弹，SK海力士在2023财年第四财季用于AI服务器和移动端的产品需求增长，平均售价（ASP）上升。其收入为11.3055万亿韩元（约合84.7亿美元/人民币607.11亿元），同比/环比增长47/25%，营业利润为0.3460万亿韩元（约合2.59亿美元/人民币18.55亿元），时隔1年实现季度扭亏为盈，净亏损为1.3795万亿韩元（约合10.34亿美元/人民币73.94亿元）。同时营业利润率为3%，净损失率为12%。

SK海力士2023财年全年的收入为32.7657万亿韩元（约合245.48亿美元/人民币1756.24亿元），相比去年减少了27%，营业利润为7.7303万亿韩元（约合57.9亿美元/人民币414.34亿元），净利润为9.1375万亿韩元（约合68.44亿美元/人民币489.77亿元），实现了扭亏为盈。2023财年的营业利润率为24%，净利润率为28%。

SK海力士表示，将顺应高性能DRAM需求的增长趋势，HBM3E的量产和HBM4的研发工作进展顺利，同时还会将DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量产品及时供应于服务器和移动端市场。为了应对持续增长的AI服务器需求和端侧AI的应用普及，SK海力士将为准备高容量服务器模组MCRDIMM1和移动端模组LPCAMM2，由此持续保持技术领先优势。在NAND闪存方面，SK海力士将通过扩大高端产品销售，改善盈利并加强内部管理。

在这次CES 2024上，SK海力士将重点突出“以存储器为中心（Memory Centric1）”的未来发展蓝图。向全世界展示，AI时代技术发展所带来的半导体存储器重要性，与此同时展现SK海力士在该领域的全球市场领先竞争力量。其中在以“SK Wonderland（仙境）”为题的展馆里，展示HBM3E等AI存储器主力产品。

HBM3E是目前最高性能的存储器，SK海力士已于2023年8月完成了开发，并计划从今年上半年开始进入量产阶段，供应给AI领域的大型科技公司。在主题为“游乐园”的区域里，SK海力士将展示应用了基于HBM3E产品的生成式AI技术“AI Fortune Teller（算命先生）”，参观者可以体验获得AI制作而成的自身人脸转漫画图片和新年运势组成的卡片。

此外，SK海力士还准备了“SK ICT家族体验空间”，展现AI技术能力。其中包括了基于CXL运算功能整合而成的存储器解决方案CMS（Computational Memory Solution）试制品、基于PIM（Processing-In-Memory）半导体的低成本、高效率生成型AI加速器卡AiMX等。

SK海力士计划今年下半年将基于DDR5的96GB和128GB CXL 2.0内存解决方案产品商用化，并提供给AI领域的客户。

HBM类产品前后经过了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的开发，其中HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本，而HBM4将是第六代产品。SK海力士表示，HBM3E会在2024年进入批量生产，而启动HBM4的开发工作标志着HBM产品的持续发展迈出了重要的一步。

此前有报道称，下一代HBM4设计会有重大的变化，内存堆栈将采用2048位接口。自2015年以来，每个HBM堆栈采用的都是1024位接口，将位宽翻倍是HBM内存技术推出后最大的变化。如果HBM4能保持现有的引脚速度，意味着带宽将从现在HBM3E的1.15TB/s提升至2.3TB/s，提升会相当明显。

传闻HBM4在堆栈的层数上也有所变化，除了首批的12层垂直堆叠，2027年还会带来16层垂直堆叠。同时HBM还会往更为定制化的方向发展，不仅排列在SoC主芯片旁边，部分还会转向堆栈在SoC主芯片之上。