HBM类产品前后经过了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的开发，其中HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本，而HBM4将是第六代产品。SK海力士表示，HBM3E会在2024年进入批量生产，而启动HBM4的开发工作标志着HBM产品的持续发展迈出了重要的一步。

此前有报道称，下一代HBM4设计会有重大的变化，内存堆栈将采用2048位接口。自2015年以来，每个HBM堆栈采用的都是1024位接口，将位宽翻倍是HBM内存技术推出后最大的变化。如果HBM4能保持现有的引脚速度，意味着带宽将从现在HBM3E的1.15TB/s提升至2.3TB/s，提升会相当明显。

传闻HBM4在堆栈的层数上也有所变化，除了首批的12层垂直堆叠，2027年还会带来16层垂直堆叠。同时HBM还会往更为定制化的方向发展，不仅排列在SoC主芯片旁边，部分还会转向堆栈在SoC主芯片之上。

过去一段时间里，SK海力士在DDR5的研发上投入非常大，不但引入了新的制造工艺，已经完成了现有DRAM中最为微细化的1bnm（第五代10nm级别）的技术研发，而且积极地与英特尔第四代至强可扩展处理器（代号Sapphire Rapids）进行兼容性验证。

SK海力士的努力也得到了回报，过去数月里服务器DRAM市场份额节节攀升。此外，SK海力士在HBM产品上也处于领先位置，很大程度缩小了与三星在DRAM整体市场份额之间的差距。目前三星以39.4%的市场占有率排在DRAM市场的第一名，SK海力士以35%的市场占有率紧随其后。

上个月英伟达在投资者简报中放出了产品路线图，展示了2024年至2025年数据中心的规划，下一代Blackwell架构GPU的发布时间从2024年第四季度提前到2024年第二季度末，并计划在2025年发布后续的“X100”。据Business Korea报道，英伟达已经与SK海力士签订HBM3E优先供应协议，用于新一代B100计算卡。

虽然英伟达准备实现供应链多元化，美光和三星都向英伟达提供了HBM3E的样品，完成验证测试后就会正式签约，不过有业内人士预计，SK海力士仍然会率先取得HBM3E供应合同，并从中获得最大的供应份额。凭借与英伟达的交易，SK海力士在2023财年第四财季的营收有望时隔1年零3个月再次突破10万亿韩元。

明年英伟达即将推出的产品里，新增加的H200和B100分别会采用6个和8个HBM3E模块。随着英伟达产品线逐步向下一代产品过渡，HBM3E的使用量会增加，这也有利于SK海力士提升盈利能力。目前SK海力士以2025年为目标，积极开展HBM4的开发工作，以继续保持竞争优势。

SK海力士打算将两个DRAM芯片水平排列，然后组合在一起，像一个芯片那样。由于芯片下面没有添加基板，可以让芯片变得更薄，会明显减小了安装厚度，SK海力士打算在明年公开披露使用该封装制造的芯片的研究成果。

未来HBM会往更为定制化的方向发展，不仅排列在SoC主芯片旁边，部分还会转向堆栈在SoC主芯片之上。此前有报道称，SK海力士目标是将HBM4以3D堆叠在逻辑核心上，有点类似于AMD的3D V-Cache技术，不过容量更高且更便宜，只是速度会慢一些。这不仅改变了逻辑和存储芯片的互连方式，也将改变芯片的制造方式。

有SK海力士高层人士表示，在人工智能时代，SK海力士将引领存储半导体创新，针对每个客户提供差异化的专业产品。

在NAND闪存的生产中，需要更“厚”的PR，因为更适合堆叠，比如100层的NAND芯片生产中，一层层制作成本会变得更高，而更厚的PR能让存储器制造商一次制造多个层。不过更厚的PR粘稠度更高，这会对均匀性产生负面影响，因此开发上更具有挑战性。

目前SK海力士的计划是将KrF PR用于238层NAND闪存芯片的生产，同时将JSR作为次要供应商，两种产品都会使用。目前SK海力士每月生产约5000片238层NAND闪存的晶圆，随着KrF PR的引入，预计产量将大幅度攀升。此外，SK海力士还在推动其他半导体生产所需关键材料的国产化工作。

据了解，SK海力士正在与包括英伟达在内的芯片设计公司讨论HBM4集成设计方案。SK海力士和英伟达可能从一开始就进行了合作，而且会选择在台积电生产，将使用晶圆键合技术将SK海力士的HBM4安装在逻辑芯片上。为了让存储器和逻辑半导体作为一个整体工作，这样的合作也是必须的。

从成本上来说，这样的设计是可行的，能简化芯片设计并降低成本，不过需要面对热量的挑战。现在一块计算中心计算卡的功耗可能是几百瓦，即便只是HBM部分也相当耗电，要做好散热可能需要非常复杂的方式。

选择这种集成方法也将改变芯片的设计和制造方式，存储器与逻辑芯片将采用相同的工艺技术，而且会在同一间晶圆厂生产，确保最终的性能。如果仅考虑DRAM的成本，那么确实会有较大幅度的增长，所以各方都还没有真正认真考虑这一方案。

有半导体行业的人士表示，在未来10年内，半导体的“游戏规则”可能会发生变化，存储器和逻辑半导体之间的区别可能会变得更小。

LPDDR5T的16GB容量套装产品可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压1.01至1.12V标准范围下运行，同时集成了HKMG工艺，并采用了1αnm工艺制造，以实现最佳的性能。相比于之前的LPDDR5X内存，LPDDR5T的速度提高了13%。其数据处理速度为77GB/s，相当于1秒内可处理15部全高清（Full-HD，FHD）级别的电影。

自今年1月推出LPDDR5T以来，SK海力士就开始与全球各地的移动应用处理器（AP）制造商展开性能及兼容性的验证工作，以便让LPDDR5T在不同平台都能发挥出最好的性能，推进商业化进程。SK海力士在今年8月和10月，分别在联发科天玑9300和高通第三代骁龙8移动平台上完成了性能及兼容性的验证。近期SK海力士正式向vivo交付了16GB容量套装的LPDDR5T产品，用于X100和X100 Pro最新款智能手机。

SK海力士表示，LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机，还能扩展到人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及增强/虚拟现实（AR/VR），未来将继续开发高性能DRAM，将端侧AI技术引入智能手机。

据ZDNet Korea报道，由于英伟达H100等计算卡的需求大增，对存储器厂商的产能安排带来了很大的影响。今年本身存储半导体行情疲软，而HBM3这类高附加值产品需求激增能部分填补存储器厂商其他产品的需求减缓，这也让三星和SK海力士转移了开发重点，加大了对HBM3的投入。SK海力士已表示，2024年的HBM3订单已经排满，而同样的情况现在也出现在三星身上。

HBM（High Bandwidth Memory）属于垂直连接多个DRAM，与DRAM相比提供了更快的数据传输速度，更高的带宽和更大的容量。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中 HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本。SK海力士在今年8月宣布成功开发出HBM3E，而三星也在上个月宣布推出名为“Shinebolt”的HBM3E。

SK海力士是现阶段HBM类产品的市场领导者，占据了最大的市场份额，最近获得了英伟达和AMD的订单，并开始向客户提供样品进行性能验证。三星则打算利用其整体半导体解决方案提供商的优势，提供结合下一代HBM、先进封装技术和代工产品的定制服务，从而与SK海力士抢夺市场。

业界普遍认为，西部数据和铠侠如果能整合自身的优势资源，提高竞争力及盈利能力，将挑战三星在市场的主导地位。根据TrendForce的数据，2023年第二季度里，铠侠占据19.6%的市场份额，而西部数据为14.7%，三星和SK海力士分别是31.1%和17.8%。也就是说，铠侠和西部数据如果成功合并，市场份额将达到了34.3%，超越三星成为最大的NAND闪存供应商。

SK海力士本身就是全球第三大NAND闪存制造商，而西部数据和铠侠的业务合并将对其主营业务构成威胁。东芝在2018年决定剥离NAND闪存业务，最后决定将其出售给贝恩资本牵头的投资者集团，其中包括了苹果、SK海力士、戴尔电脑和希捷。

虽然西部数据和铠侠已终止了业务合并的谈判，但是双方将继续共同运营晶圆厂，并开发NAND闪存和下一代工艺节点。

财报显示，SK海力士在2023财年第三财季的收入为9.0662万亿韩元（约合66.78亿美元/人民币488.6682亿元），同比减少17%，环比增长24%；营业亏损为1.7920万亿韩元（约合13.2亿美元/人民币96.59亿元），相比去年同期是由盈转亏，不过环比增长38%；净亏损为2.1847万亿韩元（约合16.09亿美元/人民币117.76亿元），相比去年同期是由盈转亏，环比增长27%。同时营业损失率为20%，净损失率为24%。

从产品来看，DRAM得益于人工智能等面向服务器的高性能产品良好的销售势头，与第二季度相比出货量增长了约20%，与此同时产品的平均售价（ASP）也提高了约10%， NAND闪存在高容量移动端产品和固态硬盘的出货量有所增加。SK海力士强调，今年第一季度由盈转亏的DRAM仅在两个季度后扭亏为盈，其具有重要意义。

SK海力士预计，扭亏为盈的DRAM得益于人工智能热潮影响，市况有望持续向好，而连续亏损的NAND闪存也出现了逐渐好转迹象。随着减产规模的扩大，产品价格也趋于稳定。SK海力士决定加大对HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等高附加值主力产品的投资，进行以第四代10nm级（1a）和第五代10nm级（1b）DRAM为中心的生产线转换，同时扩大对HBM TSV技术的投资。

SK海力士表示，自今年1月推出LPDDR5T以来，SK海力士就与高通展开了兼容性的验证工作，让LPDDR5T和第三代骁龙8平台都能发挥出最好的性能。随着验证工作的完成，今后移动设备中LPDDR5T的布局将迅速扩大。SK海力士计划提供容量为16GB的套装产品，数据处理速度为77GB/s，相当于1秒内可处理15部全高清（Full-HD，FHD）级别的电影。

LPDDR5T兼具了高速度和低功耗的特性，在JEDEC设定的1.01V至1.12V超低电压范围内运行，同样集成了HKMG工艺，并采用了1αnm工艺制造，以实现最佳的性能。相比于之前的LPDDR5X内存，LPDDR5T的速度提高了13%。为了强调其高速特性，所以命名的时候在规格名称最后加上了“T”作为后缀。

SK海力士相信在下一代LPDDR6问世之前，大幅度拉开技术差距的LPDDR5T内存可以主导市场，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存储器的需求增长。LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机，还能扩展到人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及增强/虚拟现实（AR/VR）。

争夺CXL市场的核心自然就是DRAM，三星和SK海力士是全球第一和第二大存储器厂商，当然不会错过CXL这片“新蓝海”，目前都在积极开发CXL技术，以提高服务器DRAM销量。CXL内存模块理论上在服务器中可以实现“无限”的DRAM扩展，而且还能统一不同信息处理设备直接的通信协议，简化了数据处理、减少了数据瓶颈、提高了能源效率，解决了现有计算机标准里DRAM的物理可扩展性问题。

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，三星和SK海力士都认为，CXL是继HBM之后引领存储器市场的新技术，都打算加大投入，加速CXL技术开发，以抢占先机。

三星在一份声明中写道，通过与相关政府的密切协调，与其在华半导体生产线运营有关的不确定性已大大消除。SK海力士也在声明中称，欢迎决定延长出口管制规定的豁免，相信这一决定将有助于稳定全球半导体供应链。

由于三星和SK海力士在华的半导体投资规模相当大，这些工厂的生产比重超过了40%，同时在中国大陆地区的销售也很高，受限后对其运营和销售有很大的影响。未来几年内，这些工厂将面临生产设备升级的问题，而去年美国商务部给予为期一年的许可证显然无法满足这些企业的需求。目前三星和SK海力士在华工厂已被纳入“经过验证的最终用户（VEU）”，无需为每种情况单独获得许可证，也就是说今后将不受其他许可程序或期限限制。

根据统计数据，三星约40%的NAND闪存芯片产于西安的工厂，而SK海力士也有约40%的DRAM芯片在无锡的工厂生产，同时还有约20%的NAND闪存芯片产自大连的工厂。此外，三星在苏州还有封装设施，SK海力士的封装厂则位于重庆。

近日在AI Hardware & Edge AI Summit 2023上，SK海力士展示了基于内存计算功能技术打造的AiMX加速卡原型产品，里面搭载了GDDR6-AiM，专门用于生成式人工智能（AI），比如ChatGPT。SK海力士还在配备了AiMX加速卡的服务器系统上演示了Meta的opt13b模型，与采用普通的GPU系统相比，数据处理时间缩短了10倍以上，而功耗仅为五分之一。

SK海力士表示，AiMX是一种比传统GPU更低成本、更低功耗、性能更高的解决方案，未来将继续开发引领人工智能时代的存储技术。作为一种能够处理大量数据的低功耗高速存储器解决方案，SK海力士认为AiMX将在数据密集型生成式人工智能系统的发展中发挥关键作用。由于生成式人工智能的性能会随着对更多数据的训练而提高，更加凸显了对应用于该系统的高性能产品的需求。

除了SK海力士以外，三星也有着相同的看法，在内存上集成的AI处理器，使其可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作，未来还会将这项称为PIM (processing-in-memory) 的技术扩展到DDR4、DDR5、LPDDR5X、GDDR6和HBM3内存上。三星在今年的Hot Chips 2023上还公布了HBM-PIM和LPDDR-PIM的最新研究成果，在AMD Instinct MI100上配备了HBM-PIM内存，并将其应用于生成式人工智能。