为了满足单服务器机架的功率和体积限制，实现最大的数据存储容量，三星还准备了256TB的SSD，搭载了最新的QLC NAND闪存，使用了集成度最高的元器件。三星称实际测试中，256TB的SSD需要消耗的电量仅为8块32TB SSD的七分之一。

此外，三星还分享了与超微（Supermicro）共同开发的最新PB级别超高容量闪存解决方案“PBSSD”，这是根据应用程序需要改变容量来提供高可扩展性的架构。三星使用了一种名为“灵活数据放置（Flexible Data Placement，FDP）”的技术，优化了数据放置的方法，可以在现实世界的超大规模工作负载中提高性能可预测性，背后的软件也是完全开源的。

虽然营业利润数据比预期要好，但整体营收下滑较为明显。三星表示，本季度客户持续调整、服务器需求依然疲软，不过库存有所减少，得益于市场对人工智能（AI）技术的强劲需求，DRAM芯片出货量超过了上个季度的预期，主要涉及DDR5和HBM类产品。

三星称存储芯片的库存在今年5月份达到了顶峰，下半年会继续削减存储芯片的产量，尤其是NAND闪存，随着库存改善，调整幅度也会相应减小。三星预计，今年下半年全球需求将逐步复苏，零部件业务带动改善盈利状况，不过持续的宏观经济风险可能对需求复苏构成挑战。

三星在去年年底成立了先进封装团队（AVP），目的是扩大芯片封装业务的收入。三星已经向英伟达建议，可以从台积电拿到制造好的芯片，然后从三星的存储器业务部门采购HBM3，并使用三星的I-Cube 2.5D封装来完成后续的工作。三星承诺，将为该项目投入大量工程师，以完成相关的配套工作。

据了解，这笔交易可能会让三星获得英伟达数据中心GPU封装业务10%左右的订单量。不过在接受订单前，三星还要通过英伟达的HBM3和2.5D封装的质量测试。三星计划在今年晚些时候量产HBM3，传闻客户的测试评价不错，预计明年开始HBM3和HBM3P芯片将为三星的营收做出贡献。

由于GDDR7使用的PAM3信号编码机制更加复杂，控制器需要更强大的功能，消耗不一定比GDDR6少。为此三星引入了具有高导热性的环氧模塑化合物（EMC），让GDDR7封装的热阻降低了70%，以确保有源组件不会过热，在高速运转时仍有稳定表现。

三星没有透露什么时候开始量产GDDR7，也没有说明采用的是哪一种工艺技术。传闻AMD下一代基于RDNA 4架构的Radeon RX 8000系列会支持GDDR7，这意味着最快也要等到明年。三星表示，GDDR7也能用于笔记本电脑等设备，可提供低工作电压选项，不过没有透露会有怎么样的性能。

今年内GDDR7将首先安装在三星主要客户的下一代系统中进行验证，预计未来的人工智能、高性能计算和汽车应用也将用到GDDR7。

在实现超高分辨率屏幕过程中，当LED芯片的尺寸缩小到20微米或10微米范围内，性能和特性会发生巨大的变化。AR和其他现实设备是近眼显示器，与现有大型设备中使用的显示器的概念完全不同。过去的平板显示器优先考虑每英寸的像素，但对于微显示器来说，重要的是每度的像素，视力为0.8到1的人需要30到40ppd，而视力为1.5到2.0的人需要50到60ppd。

此外，对于AR设备而言，为了匹配用户周围光线的亮度，把虚拟影像投射到现实世界中，需要亮度更高的微显示器。从这点来说，LEDoS也比OLEDoS更加适合AR设备的应用。

这并不是第一次出现类似的信息，此前三星曾表示，3nm工艺量产后的良品率可达到最高70%。虽然表面数字看起来有所下降，不过这可能与产量的爬升有关，具体情况相关报告里都没有提及，但无论如何，至少说明三星在良品率方面有较大的进步。要知道在去年11月，三星3nm工艺的良品率仅有20%。

有业内人士表示，台积电在3nm制程节点上遇到的良品率问题可能与坚持采用传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）有关，甚至会持续到2nm制程节点。与台积电不同，三星的3nm制程节点启用了全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，随着生产方面越来越成熟，良品率也得以提高。此外，最近半导体市场不景气也给了三星机会，可以有更多的时间测试和改良3nm芯片的生产线。

传闻三星的努力很快会得到回报，AMD可能会在接下来的一些人工智能及数据中心芯片上选择其3nm工艺。

尽管市场需求依然疲软，但普遍认为三星的半导体业务在今年上半年已经触底，伴随着减产、库存减少、与人工智能相关的存储器需求增加等因素影响，三星的半导体业务在下半年将全面恢复。有市场机构预测，三星DS事业部在第三季度仍然会继续亏损，只不过相比前两个季度的情况会好一些，不过在第四季度应该能达到收支平衡，甚至实现季度盈利。

有分析师表示，从今年第三季度起，DDR5和HBM类等高价值存储器的出货量增加，DRAM平均价格会呈现上升趋势，而NAND闪存价格的下跌趋势也会减缓，同时高性能计算和人工智能等高端芯片的代工订单也会增加，预计三星的业绩会有所改善。

三星存储器产品企划团队副总裁Hyunduk Cho表示，最新的UFS 3.1存储器解决方案可以满足不同客户对车载信息娱乐系统广泛的需求，同时符合要求更高的ESG标准的下一代存储器趋势。三星从2015年开始进军车用存储器领域，一直保持快速的增长势头，于2017年推出了业界首款车用UFS存储器解决方案，通过一系列车用SSD、LPDDR5X和GDDR6产品，扩大了其在车用半导体市场的影响力。

这次三星带来的车用UFS 3.1存储器解决方案满足了AEC-Q100 Grade2车规认证的要求，这是一项汽车半导体质量标准，可确保在- 40°C至105°C的温度范围内保持稳定的性能。其提供了三种容量，分别为128GB、256GB和512GB。为了适应未来汽车应用的需求，三星加强了产品对电池寿命的管理，比如256GB产品，功耗较上一代产品降低了约33%，提供了700MB/s的顺序写入速度，以及2000MB/s的顺序读取速度。

预计三星会在今年年底，向全球的汽车制造商和零部件制造商供应UFS 3.1闪存产品。

Fo-WLP可以提高性能及降低功耗，着着更小的封装尺寸、更高的集成度，减少芯片的厚度，三星决定转而采用I-Cube很可能是为了降低成本。三星的I-CubeTM是一种异构集成技术，可将一个或多个逻辑管芯（Logic Chip）和多个高带宽内存芯片（HBM，High Bandwidth Memory）使用硅中介层，从而使多个芯片排列封装在一个芯片里。

据了解，Exynos 2400的CPU部分为1+2+3+4的四丛架构，包括一个超大核（Cortex-X4@3.10GHz）、两个高频大核（Cortex-A720@2.90GHz）、三个低频大核（Cortex-A720@2.60GHz）和四个小核（Cortex-A520@1.80GHz），总共配置有10个核心。有泄露的初步测试成绩显示，相比于高通的第2代骁龙8（单核1556分/多核4987分），Exynos 2400的单核性能相当且多核性能占优，有着更好的整体表现。

当三星的半导体制造工艺进入10nm及以下制程后，就遇到了一系列的问题，迟迟未能提升良品率就是其中之一，这也导致了三星主要客户先后转单到台积电。过去几年里，台积电拉大了与三星之间的差距，2022年的资本支出（CAPEX）和产能（CAPA）分别是三星的3.4倍和3.3倍，占据了90%的7nm及以下工艺市场份额。

市场需求处于低谷期，一定程度上是三星提高收益的机会，较低的开工率使其能够集中更多资源在先进工艺上。除了4nm工艺外，三星的3nm工艺在良品率方面也提升至60%以上，让三星更有信心夺回之前流向台积电的订单。由于台积电不断提高晶圆代工的价格，使得许多芯片设计公司重新考虑生产外包的多样化问题，也给了三星更多的机会。

平均值3.6%意味着三星的营业利润率低于制造业的平均水平，统计数据显示，在2018年至2022年制造业的平均营业利润率在4%至8%之间。极端点说，三星这一营业利润率甚至不如食品行业。虽然多种原因导致三星营业利润率下降，但外界普遍认为，三星面临的最大问题是收益急剧下滑。

按照三星的预期营业利润率反推，三星在2023年的营收大概会减少11.9%，营业利润按年减少大概78.1%。分析师预计，三星2023年的全年营收大概在266.15万亿韩元，全年营业利润在9.49万亿韩元左右，也是自2008年以来首次跌入10万亿韩元以内。

三星近期的诸多举措似乎也说明了经营的危机隐现，比如突然更换多位晶圆代工及存储器技术开发的负责人。一般来说，过去三星的人事调动都选择在年底进行，不过三星已连续两年突然更换高级管理人员，从侧面判断三星现阶段面临的形势相当严峻。

根据统计，半导体市场2023年第一季度的收入为1205亿美元，相比2022年第四季度下降了9%。 半导体市场是有周期性的，比如在2020年第四季度至2021年第四季度期间，随着全球处于疫情阶段，市场需求增加，经过了多个季度连续上涨。

内存和MPU是重灾区，直接影响了整个半导体市场的收入。2023年第一季度MPU市场的收入为131亿美元，规模仅为2022年第一季度（200亿美元）的65%。内存市场情况更糟糕，2023年第一季度的收入为193亿美元，规模仅为2022年第一季度（436亿美元）的44%。在2023年第一季度里，内存和MPU两个细分市场的收入合计下降了19%，拖累整个半导体市场环比下降9%。

过去三个季度里，存储器市场遭遇动荡也让市场份额排名出现了变化。 一年前，按收入计算的前五家半导体公司中有三家来自内存领域，分别是三星、SK海力士和美光，现在只有三星仍排在前十名。 上一次SK海力士和美光没有进入前十名是在2008年，这说明了以内存产品为重点的半导体公司现今所面临的困境。

据TechPowerup报道，为了巩固自身代工服务的竞争力，同时也是其业务战略的一部分，三星宣布了以下内容：

扩大了2nm工艺和特种工艺的应用

扩展平泽3号线（P3）的产能

为下一代封装技术推出新的“多芯片集成（MDI）联盟”

与三星先进代工生态系统（SAFE）合作伙伴一起在代工生态系统中继续取得进展

三星计划从2025年开始量产2nm工艺用于移动领域，并于2026年和2027年分别扩展到高性能计算（HPC）和汽车领域。其2nm工艺（SF2）与3nm工艺（SF3）相比，性能提高了12%，能效提高了25%，面积减少了5%。按照三星的计划，1.4mm工艺（SF1.4）也将在2027年进入大规模生产。

从2025年起，三星将开始为8英寸氮化镓（GaN）功率半导体提供代工服务，目标是消费产品、数据中心和汽车应用。同时5nm射频（RF）芯片也在开发中，计划在2025年上半年推出，比起之前的14nm会有40%能效提升，面积也会减少50%。此外，三星还打算将8nm和14nm射频芯片中增加汽车应用。

三星从今年下半年开始，在平泽3号线批量生产手机等专用代工产品。其位于美国德克萨斯州泰勒市的新建晶圆厂正在按计划推进，预计今年年底完工，2024年下半年开始运营。三星还将与合作伙伴及内存、基板封装和测试领域的主要公司共同推出MDI联盟，形成2.5D和3D异构集成封装技术生态系统，引领堆叠技术创新。