传闻三星已经在两个Arm内核上进行了测试，设法更好地实践如何减少芯片的内核面积，应用BSPDN后，两个Arm内核的芯片面积分别减少了10%和19%。随着芯片面积的缩小，三星可以更有效地批量生产更小的SoC设计。早期的测试显示，引入背面供电技术还成功地提高了性能和能效，甚至超出了三星制定的指标。由于尚未商业化，只是初步的技术探索，暂时还不清楚对生产成本的影响。

除了三星以外，英特尔过去也介绍了开发中的PowerVia技术，计划在Intel 20A制程节点首次引入。这是英特尔独有的、业界首个背面供电网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。按照英特尔的说法，背面供电可以让晶体管供电的路径变得非常直接，可以减少信号串扰，降低功耗，同时解决了晶体管尺寸不断缩小带来的互连瓶颈。

HBM3E 12H DRAM采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层产品与8层产品有着相同的高度规格，满足了当前HBM封装的要求。这项技术预计会带来更多优势，特别是在更高的堆叠上，业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的裸片翘曲。三星不断降低其NCF材料的厚度，并实现了业界最小的芯片间隙（7µm），同时还消除了层间空隙。这些努力使其与HBM3 8H DRAM相比，垂直密度提高了20%以上。

三星的热压非导电薄膜技术还通过芯片间使用不同尺寸的凸块改善HBM的热性能，在芯片键合过程中，较小凸块用于信号传输区域，而较大凸块则放置在需要散热的区域，这种方法有助于提高产品的良品率。

三星表示，在人工智能应用中，采用HBM3E 12H DRAM预计比HBM3E 8H DRAM的训练平均速度提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。据了解，三星已经开始向客户提高HBM3E 12H DRAM样品，预计今年下半年开始大规模量产。

三星已宣布，Galaxy Book 4系列笔记本电脑将于今年2月26日在全球市场发售，包括法国、德国、英国、美国等部分国家。三星表示，新产品搭载了全新的智能处理器，带有更生动、更具交互性的显示屏和强大的安全系统，并结合了超便携设计、更高的性能和无限的连接性，重塑了PC体验，开启了AI PC的新时代。

预览var tableid = settableid(); document.write(''); Table().init({ title: "三星Galaxy Book 4系列规格参数对比", header: ["型号","Galaxy Book 4 360 Pro", "Galaxy Book 4 Pro", "Galaxy Book 4 Ultra"], width: '92%', columnWidth: 'MAX', //表格单元宽度，"MAX"最大内容显示，""AVG"平均，"AUTO"自动，指定[15,16,20] id: tableid, data: [ ["CPU", "最高Intel Core Ultra 7 155U (睿频最高4.8 GHz，L3缓存24MB)", "最高Intel Core Ultra 7 155U (睿频最高4.8 GHz，L3缓存24MB)", "最高Intel Core Ultra 9 185H (睿频最高5.1 GHz，L3缓存24MB)"], ["GPU","Intel Arc Graphics", "Intel Arc Graphics", "NVIDIA GeForce RTX 4070 Laptop"], ["显示屏","16” WQXGA+ AMOLED 带触控48~120Hz VRR, 400nits, 120% DCI-P3", "14/16” WQXGA+ AMOLED 带触控48~120Hz VRR, 400nits, 120% DCI-P3", "16” WQXGA+ AMOLED 带触控48~120Hz VRR, 400nits, 120% DCI-P3"], ["内存", "16/32GB LPDDR5X", "16/32GB LPDDR5X", "16/32/64GB LPDDR5X"], ["存储", "512GB/1TB, 1个NVMe插槽", "256GB/512GB/1TB, 2个NVMe插槽", "512GB/1TB/2TB, 2个NVMe插槽"], ["无线连接", "Bluetooth v5.3Wi-Fi 6E802.11 ax 2×2", "Bluetooth v5.3Wi-Fi 6E802.11 ax 2×2", "Bluetooth v5.3Wi-Fi 6E802.11 ax 2×2"], ["扩展接口", "2个USB 3.22个雷电41个HDMI 2.1MicroSD读卡器音频插孔", "2个USB 3.22个雷电41个HDMI 2.1MicroSD读卡器音频插孔", "2个USB 3.22个雷电41个HDMI 2.1MicroSD读卡器音频插孔"], ["电池", "76Wh65W USB Type-C适配器", "63/76Wh65W USB Type-C适配器", "76Wh140W USB Type-C适配器"], ["整体尺寸", "355.4 x 252.2 x 12.8 mm", "312.3 x 223.8 x 11.6 mm (14英寸)355.4 x 250.4 x 12.5 mm (16英寸)", "355.4 x 250.4 x 16.5 mm"], ["重量", "1.66kg", "1.23kg (14英寸)1.56kg (16英寸)", "1.86kg"], ] });

据TechPowerup报道，990 PRO x FFVII Rebirth典藏版SSD的包装整体尺寸为180 mm x 180 mm x 175 mm (WxDxH)，盒子上印有《最终幻想VII：重生（Final Fantasy VII Rebirth）》人物的形象。盒内装有990 Pro 2TB M.2 NVMe SSD及其散热器，与索尼PlayStation 5系列游戏主机相兼容，预计会在2024年3月上市。

性能方面，990 PRO x FFVII Rebirth典藏版SSD与普通版没有区别，采用的是PCIe 4.0接口，搭载了三星自研的Pascal主控芯片，搭配第7代176层堆叠3D V-NAND闪存，拥有4GB LPDDR4缓存。其顺序读取速度为7450 MB/s，顺序写入速度为6900 MB/s，随机读取为1400K IOPS、随机写入为1550K IOPS，耐久度为1200TBW，是市场上性能最强的PCIe 4.0 SSD之一。

预览var tableid = settableid(); document.write(''); Table().init({ title: "三星 990 Pro系列SSD 规格参数", header:["容量","1TB","2TB","4TB"], width: '91%', columnWidth: 'AVG', //表格宽度，"AVG"平均，"AUTO"自动（默认），指定[15,16,20] id: tableid, data: [ ["主控","三星自研Pascal主控",], ["闪存","三星 V-NAND 3-bit MLC",], ["接口","PCIe 4.0 x4、NVMe 2.0",], ["外形","M.2 2280",], ["LPDDR4缓存","1GB","2GB","4GB"], ["最高连续读取","7450 MB/s"], ["最高连续写入","6900 MB/s"], ["4K随机读取","1200K IOPS","1400K IOPS","1600K IOPS"], ["4K随机读取","1550K IOPS"], ["TBW","600TB","1200TB","2400TB"], ["管理软件","三星魔术师固态硬盘管理软件（Magician）",], ["数据加密","AES 256位全磁盘加密、TCG/Opal V2.0、加密驱动器（IEEE1667）",], ["质保","五年",], ] });

三星表示，该计划建立在多年来数百万台搭载Arm CPU知识产权（IP）的数百万台设备的合作基础上，这些芯片采用了三星提供的各种工艺节点。三星确信与Arm之间的一系列公告和计划将奠定创新的基础，双方制定了大胆的计划，为下一代数据中心和基础设施定制芯片提供2nm GAA工艺，以及突破性的人工智能（AI）小芯片解决方案，将彻底改变未来生成人工智能移动计算市场。

三星在2022年6月量产了SF3E（3nm GAA），引入全新的GAA架构晶体管技术。2024年计划带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），更适合制造高性能芯片。到了2025年，三星将会开始大规模量产SF2（2nm）工艺。

GAA技术允许在之前的FinFET外进一步扩展器件，通过降低电源电压水平来提高电源效率，并通过更高的驱动电流能力增强性能，采用纳米片结构的GAA实现方法提供了最大的设计灵活性和可扩展性。

其中2500美元以上的高端市场更是创下了60.5%的销售额占比，比起2022年的48.3%提升了12.2个百分点，显示出独一无二的影响力。75英寸以上的超大屏幕电视市场也创下了33.9%的销售额占比，特别是98英寸的Neo QLED电视，让三星在90英寸以上的超大屏幕电视市场的销售份额达到了30.4%，排在了第一位。

值得一提的是，自2022年推出首款OLED电视以来，三星已售出超过100万台OLED电视，去年市场销售份额为22.7%。随着今年提供更多尺寸选择，三星预计其 OLED电视销量将实现进一步的增长。

此外，三星计划未来几年通过降低售价及推出更小尺寸的产品，让Micro LED电视更容易被消费者接受。

Preferred Networks Inc.成立于2014年，主要进行人工智能深度学习开发，并吸引了包括丰田、NTT和发那科在内的各领域大公司的大量投资。据了解，三星之所以被选中，是因为其同时具备存储器和代工服务，有着较强的综合能力和技术积累，可以提供高带宽存储器（HBM）设计到生产和先进2.5D封装的全套解决方案。过去Preferred Networks Inc.也曾与台积电合作，这次转向三星，一定程度上也是从供应链方面考虑，并减少对台积电的依赖。

三星在2022年6月量产了SF3E（3nm GAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。根据之前公布的计划，三星今年将带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），更适合制造高性能芯片。到了2025年，三星将会开始大规模量产SF2（2nm）工艺。

990 EVO面向中端市场，为2280 M.2规格，重量约为9g，最大连续读写速度分为5000MB/s和4200MB/s，最大随机读写则分别为700K IOPS和800K IOPS，最大TBW为1200。其采用了三星的V-NAND TLC，搭载了自研主控芯片，MTBF为1,500,000小时，带有智能散热解决方案，支持三星魔术师固态硬盘管理软件。

990 EVO可以说是一款PCIe 5.0 SSD，不过只有2个通道，理论上带宽与PCIe 4.0的4个通道是一样的。按照一般的SSD，如果接口是PCIe 5.0 x2，那么插入到PCIe 4.0 x4规格的M.2插槽，同样也是2个通道，那么速度就会减半。不过990 EVO不一样，这时候能换成PCIe 4.0 x4去使用，不会出现降速。暂时还没有其他品牌的SSD采用这种设计，而三星或许是出于SSD在PCIe 5.0标准下功耗及散热的考虑。

Exynos 2400采用了三星4LPP+工艺制造，近日有网友透露，其良品率为60%，相比于台积电（TSMC）N4P的70%要低一些，但是考虑到三星大约12到18个月前的良品率仅为25%，已经是一个巨大的进步了。

虽然4LPP+不如N4P，Exynos 2400的性能也不及高通第三代骁龙8，但差距已经大大缩小。接下来三星很可能会提高产量，即便良品率保持在60%。传闻谷歌今年晚些时候的Tensor G4也可能采用4LPP+工艺制造，而且设计与Exynos 2400有相似之处，不知道届时良品率是否会继续提升。

Exynos 2400的CPU部分为1+2+3+4的四丛架构，包括1个超大核（Cortex-X4@3.20GHz）、2个高频大核（Cortex-A720@2.90GHz）、3个低频大核（Cortex-A720@2.60GHz）和4个小核（Cortex-A520@2.00GHz），总共配置有10个核心。此外，Exynos 2400搭载了名为“17K MAC”的NPU。集成的5G基带能够提供12.1Gbps的下行速率和3.67Gbps的上行速率，支持Sub-6GHz，下行/上行速率达到9.64/2.55Gbps。

虽然三星和台积电都在海外建造芯片生产设施，不过或多或少都面临一些问题，包括人才短缺和当地政府补贴。三星自2021年起，就在美国德克萨斯州建造一座4nm工厂，但是计划已经被推迟了，从2024年延后至2025年。台积电在美国亚利桑那州也有两座在建的工厂，同样选择了4nm工艺，投产时间从2025年推迟到2026年。这些工厂投入运营时，都比三星和台积电在本土建造的工厂所使用的半导体制造技术落后两代左右。

全球其他地区都有各种针对半导体设施建造的补贴，可是三星和台积电并没有选择进行太大规模的投资，也没有完全拒绝这些补贴。有分析人士称，海外建厂都面临相同的问题，或多或少与成本有关，比如台积电在美国建造的设施，建厂成本要比在中国台湾高出40%。

财报显示，三星2023年第四季度的营收为67.78万亿韩元（约合人民币3646.56亿元），低于去年同期为70.46万亿韩元，同比下降3.81%，略高于上一个季度的67.40万亿韩元；营业利润为2.82万亿韩元（约合人民币151.72亿元），低于去年同期为4.3万亿韩元，同比下降34.4%，相比上一个季度的2.43万亿韩元略有增加；毛利润为21.66万亿韩元（约合人民币1165.31亿元），略低于去年同期的21.84万亿，稍微高于上一个季度的20.79万亿韩元；净利润为6.34万亿韩元（约合人民币341.09亿元），高于上一季度的5.84万亿韩元，但低于去年同期的9.31万亿韩元。

三星2023年全年营收为258.94万亿韩元（约合人民币13930.97亿元），相比2023年的302.23万亿韩元下降了14.3%；营业利润为6.57万亿韩元（约合人民币353.47亿元），远低于去年的43.34万亿韩元，大幅度下降了84.86%，自2008年以来首次跌破10万亿韩元；净利润为15.49万亿韩元（约合人民币833.36亿元），也远低于去年同期的55.65万亿韩元，下降了72.17%。

作为全球最大的芯片制造商之一，过往半导体业务一直是三星摇钱树。不过去年全球存储芯片陷入了前所未有的低迷，让三星损失惨重，创纪录地亏损了14.9万亿韩元（约合人民币801.62亿元），要知道前一年还盈利23.8万亿韩元。在2023年第四季度，三星的业绩表现有所改善，不过即便连续三个季度营业利润增长，也仍然低于市场最初预期的3万亿韩元目标。

三星表示，预计2024年上半年的营收会持续改善，下半年会有较为明显的改变。

据TomsHardware报道，三星正在准备发布第9代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）QLC 3D NAND闪存芯片，达到了280层，相比第8代V-NAND技术的236层有了进一步的提高。其存储密度达到了28.5Gb mm2，将高于目前业界最高的长江存储产品，后者的存储密度为20.62Gb mm2。同时I/O速率达到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技术的2.4 Gbps也要快得多。

作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。去年三星曾表示，2024年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。不过当时三星称层数将超过300层，比现在的280层还要更高一些。如果条件允许，三星可能会提供容量为16TB的M.2 SSD，或者是单面8TB的产品。

据了解，三星在ISSCC 2024上将展示这款280层QLC 3D NAND闪存。此外，三星还打算展示新一代DDR5芯片，频率达到了8000 MHz，为32Gbit模块，采用了三星第五代10nm级工艺技术制造。

与现有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。由于GDDR7使用的PAM3信号编码机制更加复杂，控制器需要更强大的功能，消耗不一定比GDDR6少。

为此三星引入了具有高导热性的环氧模塑化合物（EMC），让GDDR7封装的热阻降低了70%，以确保有源组件不会过热，在高速运转时仍有稳定表现。三星在去年末表示，在过去的一年里不断改善GDDR7的动态功耗，且通过额外的时钟控制，已经将待机功耗降低至GDDR6的一半水平。

据The Elec报道，三星正在考虑今年推出更便宜的Galaxy Z Fold机型，属于Galaxy Z Fold 6系列的入门款，计划在今年下半年发布。这是三星首次考虑入门级可折叠机型，目标是提高可折叠智能手机的市场渗透率，特别是扩大中国可折叠智能手机市场的份额。

不过三星也有顾虑，考虑到自身的经营形势并不是很好，以及全球经济不景气，最好的策略还是集中资源在高端产品的开发和销售上，入门级可折叠机型可能会影响其盈利能力。目前除了苹果以外，大部分主要的智能手机厂商都推出了可折叠机型。

有业内人士称，随着华为的回归，其提出的轻薄概念可折叠设计让三星感到有些紧张，而且Galaxy Z Fold 5/Flip 5因相对保守的设计受到了不少批评。华为Mate X5厚度为11.1mm，而三星的Galaxy Z Fold 5是对方厚度的1.3倍，虽然前者更薄，但是电池容量却更大。传闻华为制定了积极的策略，有意推出入门款，降低可折叠机型的售价，这将对三星造成更大的压力。

有消息称，三星计划将SF3首先用于一款可穿戴设备所使用的芯片上，或许是Galaxy Watch 7所搭载的芯片。此外，三星还计划在明年Galaxy S25系列智能手机所采用的Exynos 2500上，采用SF3制造。在三星看来，新的SF3可以使用不同宽度的MBCFET器件，从而提供了更大的设计灵活性。

目前三星还在改进其4nm工艺，除了投产的SF4P（4LPP+），还计划推出用于高性能CPU和GPU的SF4X（4HPC），不过届时台积电也会带来名为N3P的增强型3nm工艺。