据Notebookcheck报道，明年初即将到来的Galaxy S24系列同样也有三款机型，分别是Galaxy S24、Galaxy S24+和Galaxy S24 Ultra，虽然会带来一些令人兴奋的升级，比如Galaxy S24+会配备1440P屏幕、Galaxy S24 Ultra采用钛合金框架等，但某些方面可能会让人失望，相信内存配置就是其中一项。

据了解，三星在Galaxy S24将坚持8GB内存的配置，Galaxy S24+和Galaxy S24 Ultra则是可选8GB和12GB，这一点在之前Geekbench泄露的信息里已得到证实。作为其中定位最高的一款产品，Galaxy S24 Ultra没有提供16GB版本令人费解，传闻三星曾有16GB版本的原型机，不过出于削减成本的考虑，最后被放弃了。

相信许多人都会认为，Galaxy S24系列的内存配置实在太低了，这将大大限制其在设备上执行人工智能（AI）任务的能力，毕竟这些应用程序相当消耗内存容量，而人工智能恰恰是三星在Galaxy S24系列上的营销重点。其他安卓智能手机品牌已开始在自己旗舰机型上提供24GB内存，这更不利于三星对新机型进行宣传。

据Android Authority报道，已收到三星官方的声明，否认了这种说法。

关于重新命名品牌的传言并不属实。仅供参考，上述品牌名称“Dream - ed”只是一个内部项目名称。

这意味着三星不会将Exynos系列更名为“Dream Chip”或者“Dream”，这些名称有可能是别的东西，比如其他的项目名称。至少在声明里，三星承认了存在名为“Dream”的项目。

自2011年搭载Exynos 4210的Galaxy S2发布以来，三星一直使用Exynos作为旗舰处理器的品牌。可惜的是，过去几年里Exynos系列在高端领域并没有取得三星所期望的成绩，可以说是接连受挫。现在三星寄望于即将上市的Exynos 2400可以改变现状，搭载于明年第一季度推出的Galaxy S24系列，重新将其带回到高端SoC市场。

此外，传闻Exynos 2500正在开发当中，是三星“Dream Team”设计的芯片，将配备四个Cortex-X5内核、两个Cortex-A730内核和四个Cortex-A520内核，并搭配了采用AMD技术定制的GPU，而且芯片已经在测试当中。

在科技行业里，重新打造命名体系并不是什么新鲜事，比如三星主要的竞争对手高通，之前就将高端移动SoC改成了“第x代骁龙8移动平台”，取代了以往“骁龙8xx”的命名方式。这意味着三星未来推出的SoC将被称为“Dream Chip”，而不是Exynos，或许还会加入数字。暂时也不清楚有关“Dream Chip”的具体细节，考虑到三星的决心，或许会出现许多变化。

传闻Exynos 2500正在开发当中，是三星“Dream Team”设计的芯片，将配备四个Cortex-X5内核、两个Cortex-A730内核和四个Cortex-A520内核，并搭配了采用AMD技术定制的GPU，而且芯片已经在测试当中。三星迫切需要一款标志性的高性能移动SoC，通过一场胜利，重新树立信心，也许Exynos 2500有机会成为首款“Dream Chip”产品。

三星认为，由于人工智能（AI）的蓬勃发展，汽车市场存在巨大的机遇，相关的半导体市场规模将达到500亿美元，预计未来五年内的年均增长率将达到17%，超过了移动领域的6%和高性能计算（HPC）的12%，而三星本身就是存储器市场的领导者，拥有完善且齐全的解决方案，比起其他厂商更有优势。

为了满足汽车行业对于人工智能的计算需求，三星计划推出LPDDR5X的新版本，采用FBGA-561封装，尺寸只有原来产品的一半，能效却提高了20%，升级后芯片容量从2GB至24GB，每通道速率为8.5Gbps，速度最高可达68GB/s；明年三星还会有可插拔AutoSSD，容量为512GB至4TB，速度最高可达6.5GB/s；2025年三星会带来下一代GDDR7，容量为2GB至4GB，每通道速率为32Gbps，速度最高可达128GB/s，可满足L4级别自动驾驶商业化的要求。

目前三星正在准备自己的先进封装解决方案，称为“SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology.）”，将与台积电的CoWoS封装竞争。从三星透露的内容来看，或许正与AMD在人工智能领域展开合作，制造某些芯片或者模块。

前一段时间有传言称，三星已经与AMD达成了协议，为即将到来的Instinct MI300系列提供HBM3和封装技术。此外，AMD可能还会在Zen 5系列架构内核上采取双供应源策略，选择台积电（TSMC）的3nm和三星的4nm工艺制造下一代芯片。

除了人工智能领域外，三星应该还收到了特斯拉的订单。传闻有可能是特斯拉下一代HW 5.0芯片，用于全自动驾驶应用。

新款的T5 EVO移动SSD采用了全新的外观设计，主体被橡胶包裹，有一定的防震作用，当然它就没有T7 Shield那么强的防护能力了，而且它更长更窄的造型，更像是个U盘，有一个挂绳环，看上去就是给大家搭配手机和笔记本日程带出门使用。

作为入门级产品，T5 EVO移动SSD里面只是搭载了SATA SSD，而且换用了176层3D V-NAND闪存，运行在QLC模式，搭配的是三星自家的S4LR069 Metis主控，带有8GB缓存，标称读写速度只有460MB/s，通过ASM235CM桥接为Type-C接口，但由于只是USB 3.2 Gen1接口，速率限制在5Gbps。不过作为一款主要用于存储大文件的移动存储设备，这样的速度也是可以接受的。

据Sammobile报道，三星打算在泰勒市新建晶圆厂旁边再建一座建筑，建筑面积约为270万平方英尺，而且工程已经开始了。三星已聘请当地一家工程公司进行施工审查和检查，根据提交的文件资料，新建部分称为“Samsung Fabrication Plant 2”。

三星已经与当地政府签订了一项开发协议，要求政府指定资源，并建立与场地开发和建筑施工活动相关的审查、批准和检查服务的快速流程。三星官方暂时还没有宣布新建筑的确切计划，有人猜测可能只是存储原材料的地方，当然也可能是扩建生产线的一部分。

此前有报道称，三星投资近2000亿美元，未来20年内在德克萨斯州新建11座半导体工厂。据了解，三星打算将其中2座放在奥斯汀市，另外9座则选在了泰勒市，两地相隔约25英里。

据The Elec报道，三星计划在2024年1月17日于美国加利福利亚州圣何塞举办Galaxy S24系列的发布会。有消息称，三星还曾考虑过旧金山（美国）和首尔（韩国），不过最终敲定了圣何塞。这与过往的情况有些许不同，三星大多会选择在2月份举办新一代旗舰Galaxy S系列的发布会，而且过去Galaxy Unpacked活动的地点一般会选在纽约。

报告称，客户可以在韩国首尔时间1月19日开始预订Galaxy S24系列，首批设备会在1月26日至1月30日发送。暂时还不清楚Galaxy S24系列的定价，预计与今年的Galaxy S23系列相当。据了解，Galaxy S24系列可能是三星首款带有人工智能（AI）功能的智能手机，配备了三星内部开发的人工智能技术。传闻三星还可能将Bixby重新命名为Galaxy AI，三星已经公布了其首个人工智能应用，通话时音频和文本翻译将实时显示在手机屏幕上，有效提升了不同语言人士之间的交流效率与流畅度。

此外，Galaxy S24系列将搭载基于Android 14的One UI 6，会带来其他一些新的功能。

S90PC搭载了一块27英寸的IPS面板，10bit色深，可视角度为178度（水平和垂直），显示比例为16:9，分辨率为5K（5120 x 2880），刷新率为60Hz，亮度典型值和最小值分别为600尼特和480尼特，静态对比度为1000:1，DCI-P3色域为99%，sRGB色域为100%。其带有防眩光设计，哑光显示可大幅减少光线反射，而智能护眼可自动优化亮度，减少蓝光。

该款显示器可根据用户需求，巧妙调整颜色。通过智能校准和智能手机，可轻松定制显示器，获得个性化体验。无需其他额外工具或复杂程序，就能选择DCI-P 3模式或sRGB色域模式，并自定义色温、亮度和伽马值。同时配备了三星的Tizen系统和4K磁吸纤薄摄像头，内置智慧应用程序，支持Wi-Fi 5和蓝牙4.2，可切换至娱乐平台，享受各项智能服务。

S90PC配备了一个mini DisplayPort接口，以及一个Thunderbolt 4接口（兼容DisplayPort Alt-Mode，PD 90W反向供电），让用户可以方便地连接Windows或Mac设备，另外还带有USB集线器功能，配置了三个USB接口。搭配的可调节支架采用了纤薄金属和人体工学设计，具有120mm±5.0mm升降高度、-2°至15°前后俯仰、以及-92°至92°垂直旋转，并支持100 x 100 mm壁挂VESA支架。此外，该款显示器还内置5W x2扬声器，满足用户多媒体办公和娱乐的需求。

据Business Korea报道，三星已终止与京东方中长期的合作关系，不会再从后者采购面板，并重新调整了供应链。近期三星和京东方之间有关显示技术侵权的法律纷争有愈演愈烈的趋势，加上其他额外的因素，在不确定性增加的情况下，三星做出了这个决定。

今年上半年，京东方占据了三星电视面板大概10%的采购量，在供应商中排名第三，不过到了第三季度，已跌出了前三名。三星在第三季度的报告中，已经将京东方排除在显示器及电视面板的主要供应商名单之外，这是自2015年第四季度以来首次出现的情况。

目前三星已经向美国国际贸易委员会提起诉讼，称京东方侵犯了其OLED面板及模块技术相关的商业机密。有业内人士预计，由于与京东方之间的冲入，三星会加强与其他供应商的合作，LG最近提高了位于广州面板工厂的开工率，预计出货量也从今年900万块提高到明年的1600万块。

除了酷睿Ultra第1代处理器，这些笔记本电脑还会有酷睿第1代处理器，也就是Raptor Lake-U Refresh。英特尔在今年6月宣布酷睿品牌将迎来重大升级，启用了全新的命名方式，导致这些配置看起来会不太习惯。三星Galaxy Book 4系列笔记本电脑具体规格如下：

预览var tableid = settableid(); document.write(''); Table().init({ title: "三星Galaxy Book 4系列规格参数对比", header: ["型号", "Galaxy Book 4", "Galaxy Book 4 360", "Galaxy Book 4 360 Pro", "Galaxy Book 4 Pro", "Galaxy Book 4 Ultra"], width: '92%', columnWidth: 'MAX', //表格单元宽度，"MAX"最大内容显示，""AVG"平均，"AUTO"自动，指定[15,16,20] id: tableid, data: [ ["CPU", "Intel Core 5 120U (睿频最高5.0 GHz，L3缓存12MB)", "Intel Core 5 120U (睿频最高5.0 GHz，L3缓存12MB)", "Intel Core Ultra 7 155U (睿频最高4.8 GHz，L3缓存24MB)", "Intel Core Ultra 7 155U (睿频最高4.8 GHz，L3缓存24MB)", "Intel Core Ultra 9 185H (睿频最高5.1 GHz，L3缓存24MB)"], ["GPU", "Intel Graphics", "Intel Graphics", "Intel Arc Graphics", "Intel Arc Graphics", "NVIDIA GeForce RTX 4070 Laptop"], ["显示屏", "15.6” FHD LED 防眩光", "15.6” FHD AMOLED 带触控", "16” WQXGA AMOLED 带触控", "14” WQXGA AMOLED 带触控并支持手写笔", "16” WQXGA AMOLED 带触控"], ["内存", "8GB LPDDR4x", "8GB LPDDR5", "16GB LPDDR5X", "16GB LPDDR5X", "32GB LPDDR5X"], ["存储", "512GB，2个NVMe插槽", "256GB，2个NVMe插槽", "1TB，1个NVMe插槽", "512GB，2个NVMe插槽", "1TB，2个NVMe插槽"], ["无线连接", "Bluetooth v5.1Wi-Fi 6802.11 ax 2×2", "Bluetooth v5.3Wi-Fi 6E802.11 ax 2×2", "Bluetooth v5.3Wi-Fi 6E802.11 ax 2×2", "Bluetooth v5.3Wi-Fi 6E802.11 ax 2×2", "Bluetooth v5.3Wi-Fi 6E802.11 ax 2×2"], ["扩展接口", "2个USB 3.22个USB Type-C1个HDMIMicroSD读卡器音频插孔", "2个USB 3.22个雷电41个HDMIMicroSD读卡器音频插孔", "2个USB 3.22个雷电41个HDMIMicroSD读卡器音频插孔", "2个USB 3.22个雷电41个HDMIMicroSD读卡器音频插孔", "2个USB 3.22个雷电41个HDMIMicroSD读卡器音频插孔"], ["电池", "54Wh45W USB Type-C适配器", "68Wh65W USB Type-C适配器", "76Wh65W USB Type-C适配器", "68Wh65W USB Type-C适配器", "76Wh140W USB Type-C适配器"], ["整体尺寸", "365 x 229 x 15.4 mm", "355 x 228 x 13.7 mm", "355 x 252 x 12.8 mm", "312 x 223 x 11 mm", "355 x 250 x 16 mm"], ["重量", "1.57kg", "1.46kg", "1.66kg", "1.26kg", "1.86kg"], ] });预计新产品会在12月中旬上市，暂时还不清楚具体的定价。

据The Korean Economic Daily报道，三星正在准备自己的先进封装解决方案，称为“SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology.）”，将与台积电的CoWoS封装竞争。三星将提供三种封装技术，包括：

SAINT S - 用于垂直堆叠SRAM存储器芯片和CPU

SAINT D - 用于CPU、GPU、DRAM等核心IP的垂直封装

SAINT L - 用于堆叠应用处理器（AP）

目前三星已经通过了验证测试，计划与客户进一步测试后，明年晚些时候扩大服务范围。毫无疑问，半导体市场将受益于先进封装领域的新参与者，台积电目前为英伟达和AMD等客户提供CoWoS封装服务，获得了巨大的收益。随着不少企业逐渐从单芯片设计转向小芯片设计，先进封装成为了新的前进方向，这也促使了台积电不断提高CoWoS封装的产能，以满足市场的需求。

三星希望“SAINT”先进封装解决方案能够从竞争对手那里抢夺市场份额，不过像英伟达这样的大客户是否满意三星提供的技术还有待观察。此前有报道称，三星的目标不仅仅是封装订单，还想借机拿下部分HBM3订单，传闻已经与AMD达成了协议，为即将到来的Instinct MI300系列提供HBM3和封装技术。

光子学基于一种可以对单个光子（光的粒子/波）信息进行编码的技术，不但能大幅度降低功耗，还能提升处理速度。 由于对当前计算环境有着诸多良好的特性，近年来英特尔、AMD、台积电、英伟达和博通等半导体企业都纷纷加入到光子学的研究中。据TomsHardware报道，目前业界通过两种方法让HBM与集成光子学取得明显进展。

第一种是让光子中介层夹在基础封装层和顶层之间，顶层包含HBM和GPU等逻辑芯片，充当相互之间的通信层。这种设计需要中介层，而且使用光子I/O配置本地HBM和逻辑芯片。第二种是将HBM与芯片封装完全分离，无需处理中介层的芯片封装复杂性，通过光子学将HBM连接到逻辑芯片。这种方法可以简化HBM和逻辑芯片的制造及封装成本，还省去了复杂的电路内数字到光学的本地转换。

从表面上看，似乎第二种方法听起来更好，不过这也意味着服务器规范更深层次的重塑，HBM内存可能会安装到指定的光子接口上。假设已经制定了标准化的通信接口，那么HBM内存就变成“可升级”产品，处理方式就像现在的内存模组一样。