光子学基于一种可以对单个光子（光的粒子/波）信息进行编码的技术，不但能大幅度降低功耗，还能提升处理速度。 由于对当前计算环境有着诸多良好的特性，近年来英特尔、AMD、台积电、英伟达和博通等半导体企业都纷纷加入到光子学的研究中。据TomsHardware报道，目前业界通过两种方法让HBM与集成光子学取得明显进展。

第一种是让光子中介层夹在基础封装层和顶层之间，顶层包含HBM和GPU等逻辑芯片，充当相互之间的通信层。这种设计需要中介层，而且使用光子I/O配置本地HBM和逻辑芯片。第二种是将HBM与芯片封装完全分离，无需处理中介层的芯片封装复杂性，通过光子学将HBM连接到逻辑芯片。这种方法可以简化HBM和逻辑芯片的制造及封装成本，还省去了复杂的电路内数字到光学的本地转换。

从表面上看，似乎第二种方法听起来更好，不过这也意味着服务器规范更深层次的重塑，HBM内存可能会安装到指定的光子接口上。假设已经制定了标准化的通信接口，那么HBM内存就变成“可升级”产品，处理方式就像现在的内存模组一样。

S49CG934游戏显示器对应型号为G93SC，拥有超薄一体化机身，采用了49英寸的曲面OLED屏幕，曲率为1800R，原生10bit色深，显示比例为32:9，分辨率为DQHD（5120 x 1440），刷新率为240Hz，响应时间为0.03ms，峰值亮度为1000尼特，DCI-P3色域为99%，得到了VESA DisplayHDR Ture Black 400认证，支持AMD FreeSync Premiun Pro技术。与之前S49CG954不同的是，S49CG934并没有搭载利用神经元多线程AI算法进一步优化画质的量子点Pro AI处理器。

该款显示器配备了三星的Tizen系统，支持Bixby语音助手，可以实现手机投屏和PBP分屏等操作，还带有游戏控制台菜单等功能。显示器提供了HDMI 2.1、DisplayPort 1.4和全功能USB-C接口，并内置立体声扬声器，备有人体工学底座，支持升降和倾斜调节。

据ZDNet Korea报道，由于英伟达H100等计算卡的需求大增，对存储器厂商的产能安排带来了很大的影响。今年本身存储半导体行情疲软，而HBM3这类高附加值产品需求激增能部分填补存储器厂商其他产品的需求减缓，这也让三星和SK海力士转移了开发重点，加大了对HBM3的投入。SK海力士已表示，2024年的HBM3订单已经排满，而同样的情况现在也出现在三星身上。

HBM（High Bandwidth Memory）属于垂直连接多个DRAM，与DRAM相比提供了更快的数据传输速度，更高的带宽和更大的容量。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中 HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本。SK海力士在今年8月宣布成功开发出HBM3E，而三星也在上个月宣布推出名为“Shinebolt”的HBM3E。

SK海力士是现阶段HBM类产品的市场领导者，占据了最大的市场份额，最近获得了英伟达和AMD的订单，并开始向客户提供样品进行性能验证。三星则打算利用其整体半导体解决方案提供商的优势，提供结合下一代HBM、先进封装技术和代工产品的定制服务，从而与SK海力士抢夺市场。

根据市场研究机构TrendForce最近的一份报告显示，三星准备在2024年中期之前逐步提高NAND闪存价格，计划每个季度涨价20%。这意味着在两个半季度内，三星可能会有三次20%的提价。据了解，本季度里三星已经将各类NAND闪存的价格提高了10%至20%。

三星的做法已经产生了连锁反应，企业SSD的价格已经上涨了5%至10%，预计今年年底前，消费类SSD的价格会上涨8%至13%。虽然相比之前存储产品的大幅度跌价，现阶段这点涨幅算不上什么，不过短时间内连续提价，可能会在不久之后看到30%至40%涨幅。

竞争对手很可能也会效仿三星的做法，提高NAND闪存的定价，那么对市场造成的影响就会更大了。

此外，营业利润为2.43万亿韩元（约合人民币131.46亿元），低于去年同期为10.85万亿韩元，相比上一个季度的0.67万亿韩元增加了不少；毛利润为20.79万亿韩元（约合人民币1124.74亿元），低于去年同期的28.71万亿，不过高于上一个季度的18.36万亿韩元；净利润为5.84万亿韩元（约合人民币315.94亿元），高于上一季度的1.72万亿韩元，但低于去年同期的9.39万亿韩元。

三星表示，2023年第三季度业绩相比上一季度有所改善，主要得益于旗舰智能手机延续了销售的强势，同时半导体业务的亏损幅度也在减小，从第二季度的亏损4.36万亿韩元减少至本季度的3.75万亿韩元（约合人民币202.88亿元）。总体而言，DRAM和NAND的平均售价（ASP）与上一季度相比均出现不错的增长。

目前市场对人工智能（AI）技术的需求依旧强劲，三星计划继续扩大采用先进工艺的DDR5、LPDDR5X、UFS 4.0、以及HBM类高端技术产品的销售。尽管宏观经济环境仍然存在不确定性，不过随着年终促销、主要客户推出新款智能手机，消费端设备需求增加，三星认为存储芯片市场有望迎来复苏。

增加每个晶体管的纳米片数量可以增强驱动电流，提高性能。更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，增强其开关能力和操作速度。此外，更多的纳米片可以更好地控制电流，这有助于减少泄漏电流，从而降低功耗。此外，改进的电流控制也意味着晶体管产生更少的热量，从而提高了功率效率。

三星在去年6月量产了SF3E（3nm GAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。明年计划带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），更适合制造高性能芯片。到了2025年，三星将会开始大规模量产SF2（2nm）工艺。

台积电计划在2025年量产N2（2nm）工艺，而英特尔则争取在2024年量产Intel 20A工艺，这两款工艺都将引入GAA架构晶体管设计。

事实上自2021年推出Gaming Hub后，三星就逐渐停止对Steam Link应用程序的维护工作，在过去这两年里，不少用户反映Steam Link应用程序不断出现问题，比如串流分辨率超过1080P的游戏时，应用程序就会卡死。据Sammobile报道，Steam Link应用程序将会在2023年11月30日以后停止在三星电视上提供服务，Valve也确认了这一消息。

玩家仍然可以在Apple TV和Android设备上使用Steam Link应用程序，其中也包括NVIDIA SHIELD或Amazon Fire TV等设备。目前三星正在扩大Game Hub的使用范围，除了智能电视还在部分显示器上提供，玩家可以用来访问Xbox Game Pass，另外还有Amazon Luna、Antstream Arcade、Blacknut、NVIDIA GeForce Now和Utomik等流媒体服务。

有玩家表示，既然Valve选择利用Steam Deck重新进入硬件领域，应该考虑推出一个新款Steam Link串流盒子，让玩家可以使用官方设备在显示器和电视上串流Steam游戏库，不必依赖于不可靠的应用程序。

Galaxy Tab A9+有着简约时尚的设计和光滑的金属机身，山岩灰、星系银和海浪蓝都是三星经典的配色，每种色调都彰显出轻松惬意的魅力。其整体尺寸为168.7mm x 257.1mm x 6.9mm，重量为480g；搭载了11英寸的LCD屏幕，分辨率为1920 x 1200，刷新率为90Hz；搭载高通骁龙695平台，采用6nm工艺制造，为2+6二丛架构，Cortex A78大核+Cortex A55小核，主频为2.2 GHz；后置800万像素镜头，支持自动对焦，前置500万像素镜头；支持最高1TB的microSD存储卡；配备了7040mAh电池，提供了约13小时的续航时间；配有四扬声器，支持杜比全景声。

三星为Galaxy Tab A9+提供了多任务分屏功能，最多同时打开三个窗口，以完成多项任务。用户还能将重要数据存储在安全文件夹中，并在隐私仪表板上监控设备的整体安全状态。另外可以使用S互传功能，轻松快捷地分享照片、视频和文件。

HBM3E每引脚速度为9.8GB/s，意味着总带宽超过了1.2TB/s。为了实现更高堆叠层数和改善热特性，三星优化了非导电膜（NCF）技术，以消除芯片层之间的间隙，最大限度地提高导热性。目前采用8层和12层堆叠方案的HBM3已经开始批量生产，HBM3E的样品也正在向客户发货。三星还打算利用其整体半导体解决方案提供商的优势，提供结合下一代HBM、先进封装技术和代工产品的定制服务。

除了HBM3E外，本次发布会的其他重点产品还包括了业界最高容量的32Gb DDR5 DRAM、业界首款32Gbps GDDR7、以及能显著提升服务器应用存储能力的PB级别PBSSD。另外还展示了7.5Gbps的LPDDR5X CAMM21、9.6Gbps的LPDDR5X DRAM、专门用于设备上人工智能的LLW2 DRAM、下一代UFS、以及用于个人电脑的QLC SSD BM9C1。

所谓双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈，三星在2020年首次引入该技术。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。此前SK海力士展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司，不知道三星可以做到多少层。

除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升。三星表示，正在致力于开发下一代创造价值的新技术，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。

据了解，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量，并增加每个3D NAND晶圆的成本。去年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出的长期愿景是，到2030年会将层数提高至1000层。

三星决定升级西安工厂主要有两个原因。第一是NAND闪存市场没有出现复苏迹象，即便今年4月开始采取减产措施也没有明显改变，为了保持其在该领域的领导地位，选择升级工艺可以确保产品的竞争力和价格，毕竟比起第6代V-NAND技术，第8代新技术的晶圆投入减少了30%左右，更能平衡市场供需。三星西安工厂作为采用第6代V-NAND技术的128层闪存产品的主要生产基地，开工率自然也大幅度下降。

美国的无限期豁免是另外一个原因，促使三星尽快升级生产设备。三星在西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储半导体生产基地，第一工厂投资了108.7亿美元，于2014年5月开始投产，并在2017年开始建造第二工厂，先后投资了150亿美元，于2022年3月全面投产。这是全球产能最高的NAND闪存工厂，占三星NAND闪存总产量的40%以上，占全球NAND闪存总产量的10%以上。

争夺CXL市场的核心自然就是DRAM，三星和SK海力士是全球第一和第二大存储器厂商，当然不会错过CXL这片“新蓝海”，目前都在积极开发CXL技术，以提高服务器DRAM销量。CXL内存模块理论上在服务器中可以实现“无限”的DRAM扩展，而且还能统一不同信息处理设备直接的通信协议，简化了数据处理、减少了数据瓶颈、提高了能源效率，解决了现有计算机标准里DRAM的物理可扩展性问题。

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，三星和SK海力士都认为，CXL是继HBM之后引领存储器市场的新技术，都打算加大投入，加速CXL技术开发，以抢占先机。

目前三星已经量产了HBM2E和HBM3，并开发了速率为9.8 Gbps的HBM3E，将很快向客户提供样品，以丰富高性能计算（HPC）和人工智能（AI）生态系统。三星还对新的HBM-PIM (processing-in-memory) 寄予厚望，通过加入计算功能，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作，不但改善了内存带宽的瓶颈，而且在语音识别等特定工作负载中实现了高达12倍的性能提升和4倍的能效提升。

三星在去年年底成立了先进封装团队（AVP），提供了包括2.5D/3D的先进封装解决方案，以扩大芯片封装业务的收入。同时借此机会，最大限度地发挥各业务部门之间的协同效应，为芯片制造业务争取更多订单。有报道称，三星曾向英伟达建议，可以从台积电拿到制造好的芯片，然后采购三星的HBM3，并使用三星的I-Cube 2.5D封装来完成后续的工作。