南韩内存厂商Hynix今天宣布，54纳米的1Gb DDR2 DRAM已经通过了Intel的验证。由于这种新技术的成功应用，Hynix的这款内存颗粒将比以前的60纳米内存颗粒体积小40%，同时生产成本和电力的要求也降低了。

　　Hynix表示，这种54纳米技术将使用在DDR2和DDR3的DRAM颗粒上，批量生产将在08年的下半年全面展开。