◆ 东翎 Radeon HD3850显卡细节部份(一)

东翎 Radeon HD3850显卡基于最新的RV670芯片，采用55nm工艺生产，晶体管数量为6.66亿个，内置320个流处理器单元，并拥有16个纹理单元和16个Render Back-Ends。

东翎 Radeon HD3850显卡的RV670芯片，芯片是2007年第四十一周生产，封装地点台湾省。

散热器覆盖了显卡上的主要发热部分，最右边部份还用了针柱型设计，以增加散热面积，整体上的散热效能有所保证。

供电模块部份特写，用了固态钽电容、贴片式固态电容以及屏蔽式电感，并且可以看到电容上都有代表ATi原厂严格品质QC的蓝色水笔印。

　　RV670由于使用了55nm工艺，功耗比起使用65nm工艺的RV630还要低，仅为95W，功耗的下降不但能减低供电模块的压力，还无需像R600的供电模块那样使用夸张的用料去辅助。从上图可以看到东翎 Radeon HD3850的供电模块布局以及用料都和HD2600XT的非常相似。

显存方面，采用了三星的GDDR3 1.1ns显存颗粒，编号为K4J5532301-BJ11，一共8颗8Mx32bit显存颗粒组成256MB/256bit的显存规格。

　　东翎 Radeon HD3850预设的显存频率为1658MHz，而1.1ns显存的理论频率是1800MHz，预留了一定的超频空间让用户自行超频发挥。