谁是最佳Socket939平台，nf4 VS RD480 VS RD580

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2006-04-18 14:12:29 | 查看评论

来源：本站关键字：DFI,Lanparty,RD580,CFX3200,Crossfire

Inman

CFX3200-DR主板丰富有致的BIOS选项

DFI Lanparty UT CFX3200-DR主板的BIOS功能继续增强，下表来自主板的Genie BIOS Setting整理而成。

Frequency & Ratio Control	选项说明	可选项	测试设定 (默认状态)
FSB Bus Frequency	设定CPU FSB超频的频率	200MHz*/200MHz~500MHz线性超频	200MHz
LDT/FSB Frequency Ratio	设定内存和CPU传输率的倍频	Auto*/1～5	Auto
CPU/FSB Frequency Ratio	设定CPU的倍频	Auto*/4.0X起跳,每隔0.5X	Auto
RD580 HT PLL High Speed	设定HT的传输率(超频时需开启)	Auto*/High Speed/Low Speed	Auto
HT Bus NMOS Drive Strength	unknown	05*/01～31线性设置	05
HT Bus PMOS Drive Strength	unknown	05*/01～31线性设置	05
HT Bus Reciever Impedance	unknown	05*/01～31线性设置	05
CPU HT Bus Drive Strength	unknown	Normal*/Strong	Normal
K8 Cool'n'Quite Support	Athlon64特有的节能工具,超频时常关闭此项功能	Enable/Disable	Disable
Cool'n'Quite MAX FID	超频时开启CNQ功能,注意设定与CPU倍频相同	Auto/8.0~13.0X,每隔0.5	Auto
Voltage Control
CPU VID Control	设定CPU工作电压,超频时适度调升	Auto*/0.80~1.550V	Auto
CPU VID Special Control	设定CPU工作电压,以上一选项电压比例乘算	Auto/Above VID102.4%~136.0%	Auto
DRAM Voltage Control	设定内存工作电压,超频时适度调升	2.67V*/2.06V~4.15V	2.67(V)
SB PCIE Voltage	北桥PCIE电压控制	1.8V*/1.8V～1.95V	1.8(V)
NB Analog Voltage	南桥类比电压控制	1.2V*/1.2V～1.60V	1.2(V)
LDT Voltage Control	设定LDT Bus工作电压,超频时适度调升	1.2V*/1.2V～1.60V	1.2(V)
NB Core Voltage	南桥芯片工作电压,超频时适度调升	1.2V*/1.2V～1.60V	1.2(V)
Run Memory Test		Disable*/Memtest	Disable
*号注明为默认设置

CFX3200主板增加了四个HT的选项，据说对超频的结果颇有影响，但组合可能性太多，推荐用户一般以默认设置运行。另外，主板BIOS也和nf4系列一样集成了Memtest测试软件，这方便用户在未安装操作系统前对系统稳定性进行测试。另一方面，由于RD580 PCIE lanes数量的支持，双卡模式不需要独立选项启动，直接将显卡插上即可，调整PCIE速率的时代已经过去了，^_^。

DRAM Timing Paremeters	选项说明	可选项	测试设定
DRAM Frequency Set(MHz)	设定内存与CPU频率问题,根据内存品质调度	By SPD*/100/120/133/ 140/150/166/180/200/ 216/233/250	200= RAM/FSB :1/01
Command Pre Clock(CPC)	设定内存运行在1T timing或2T timing,前者性能较好	Auto*/Enable/Disable	Enable
CAS latency Control(Tcl)	设定值越大,超频越容易,性能越差,反之亦然	Auto*/1.0~4.5每隔0.5	2
RAS# to CAS# delay(Trcd)	设定值越大,超频越容易,性能越差,反之亦然	Auto*/00~07 Bus Clock,每隔01	5
Min RAS# Active Time(Tras)	设定值越大,超频越容易,性能越差,反之亦然最佳效能：Tras=Tcl+Trcd+2	Auto*/00~15 Bus Clock,每隔01	2
Row Precharge time(Trp)	设定值越大,超频越容易,性能越差,反之亦然	Auto*/00~07 Bus Clock,每隔01	2
Row Cycle time(Trc)	设定值越大,超频越容易,性能越差,反之亦然最佳效能：Trc=Tras+Trp	Auto*/07~22 Bus Clock,每隔01	7
Row refresh cycle time(Trfc)	设定值越大,超频越容易,性能越差,反之亦然最佳效能：比Trc高2~4时脉	Auto*/09~24 Bus Clock,每隔01	14
Row to Row delay(Trrd)	设定值越大,超频越容易,性能越差4产生最好稳定性	Auto*/00~07 Bus Clock,每隔01	2
Write recovery time(Twr)	2产生较好性能,3产生较好稳定性	Auto*/02/03 Bus Clock	2
Write to Read delay(Twtr)	1产生较好性能,2产生较好稳定性	Auto*/01/02 Bus Clock	1
Read to Write delay(Trwt)	1产生较好性能,4产生较好稳定性	Auto*/00~08 Bus Clock,每隔01	2
Refresh period(Tref)	确定3120为性能和稳定性最佳平衡点	Auto*等	3120
DRAM Bank Interleaving	无论什么时候,都推荐你打开(Enable)这项功能	Enable/Disable	Enable
*号注明为默认设置

这次测试的所有主板统一按照DDR400 2-5-2-2的选项进行，设置如上表所示。

DRAM Configuration Parameters	选项说明	可选项	测试设定
DQS Skew Control	为性能"调高",为稳定性"调低"	Auto/Increase/Decrease	Auto
DQS Skew Value	对于频宽和稳定性有轻微的影响. DFI建议值：非敏感计时,试验50~255	0~255,线形调度	0
DRAM Driver Strength	DRAM驱动器等级	Auto*/Level1~15,每隔1	Auto
DRAM Data Driver Strength	DRAM资料驱动器等级(较高＝更快)	Auto*/4/3/2/1	Auto
DIMM 1/3 Clock Timing Skew	unknown	Auto*/Advance 150～900PS Delay 150～900PS，每隔150PS	Auto
DIMM 2/4 Clock Timing Skew	unknown	Auto*/Advance 150～900PS Delay 150～900PS，每隔150PS	Auto
MAX Async Latency	设定内存非同步读取最大容许时间,值越大,超频越容易,性能越差	Auto*/0.0～15.0ns,每隔1.0	Auto
Read Preamble Time	5.0ns是预设值,推荐在4.0~7.0ns之间调试,值越大,超频越容易,性能越差	Auto*/2.0~9.5ns,每隔0.5	Auto
Idlecycle Limit	设定容许Mem Clocks填写资料错误而关闭的次数,值越大越容易超频	0/4/8/16/32/64/128/256* Cycle	16
Dynamic Counter	动态闲置循环计数器,开启增强性能,关闭增加稳定性	Enable/Disable*	Enable
R/W Queue Bypass	在资料存取前设定安全的读写等待处理资料的中断次数.设定值大,效能高；值小,稳定性高	Auto*/2X/4X/8X/16X	16X
Bypass MAX	在资料存取前设定安全的存取次数,值越大,超频越容易,性能越差,反之亦然	Auto*/0~7X	7X
Burst length		8/4*/2 Bursts	4
*号注明为默认设置