三星1cnm DRAM已获得生产许可：今年下半年量产，满足HBM4需求

此前有报道称，三星在1cnm DRAM生产测试中实现了50%至70%的良品率，相比于去年末不到30%的水平，有了大幅的提升。1cnm DRAM的进展也与三星的HBM4量产计划紧密相连，三星最快在今年末开始量产HBM4。

据TECHPOWERUP报道，有消息人士透露，1cnm DRAM生产已经在三星内部获得批量生产许可，这标志着新一代DRAM技术已开发完成。三星也遵循了之前DRAM技术升级的节奏，迭代时间约为两年。

1cnm DRAM属于第六代10nm级别工艺，电路线宽约为11-12nm，领先于现有第五代10nm级别的1bnm（电路线宽约为12-13nm）。为了提高良品率，满足量产的要求，三星在今年初还选择重新调整1cnm DRAM的设计。三星如此重视，很重要的一点是打算将新工艺引入到HBM4的生产。与SK海力士和美光在HBM4上选择1bnm DRAM不同，三星将赌注压在了1cnm DRAM上，希望利用新技术取得竞争优势。

HBM4属于第六代HBM产品，为12层垂直堆叠，三星打算选择4nm工艺用于大规模生产HBM4的基础裸片，并搭配1cnm DRAM芯片。随着英伟达下一代Rubin架构GPU的到来，加上AMD也在准备Instinct MI400系列，两者都计划采用HBM4，预计HBM4在2026年下半年将成为主流。