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闪存芯片在日常生活中的应用越来越广泛，我们使用的电子数码设备，如数码相机，手机和笔记本电脑等都有使用闪存芯片作为存储介质。
据悉，三星（Samsung）近日发布消息：已经研发出业界首个用于SD存储卡的20nm工艺32Gb NAND闪存芯片。这距离上一代工艺，仅仅使用了一年的时间。
三星称，32Gb的闪存芯片将应用于4GB到64GB的存储设备。和30nm工艺的MLC NAND闪存芯片相比，采用20nm NAND工艺闪存芯片的SD卡写入速度提高30%至10MB/s（即Class 10），读取速度20MB/s。除了性能上的提升，新工艺还让成本降低，加速大容量闪存设备的普及。
三星表示，希望能在年内全面转向20nm工艺闪存芯片的生产。
消息来源：[dailytech]
