SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划，提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场，同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD，他们公布的产品线路图涵盖了HBM、DRAM和NAND，有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品，下面我们一起来看看他们的线路图。

在2026至2028年，SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、12层和16层堆叠的HBM4E，还有定制款的HBM4E。在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存，面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。在NAND方面，他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD，企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD，以及面向移动设备的UFS 5.0闪存，面向AI市场有专用的高密度NAND。

在2029至2031年，SK海力士计划推出HBM5、HBM5E以及其定制版本，这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部，从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。

DRAM市场方面，线路图上出现了GDDR7-Next，并不是GDDR8，所以应该是GDDR7的升级版，目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps，而标准的上限是48Gbps，还有很大潜力可以挖掘，也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内，说明目前主流PC和服务器在2029年后才会从DDR5过渡到DDR6。

NAND方面，线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD，UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND，还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。