早前映众曝光了旗下采用DirectFET MosFET的GeForce GTX 560 Ti显卡,并表示将陆续推出采用DirectFET MosFET的显卡产品。近日,其再次曝光了一款新产品,就是采用DirectFET MosFET的GeForce GTX 580显卡。
映众表示,目前这款显卡仍然处于工程样板阶段,具体的规格和频率参数仍未确定。不过可以肯定的是,这款显卡将采用映众的“钛合力”供电技术,配置DirectFET MosFET、铁素体电感和全固态电容,供电能力相当强悍。
据曝光的照片显示,这款GeForce GTX 580显卡将采用非公版设计,供电相数不少于8相,每相供电均配置了一上一下设计的DirectFET MosFET、铁素体电感和固态电容。据称,DirectFET MosFET拥有体积小、转换效率较高、封装感抗\阻抗与发热较低的特色,更适合中高端显卡使用。
除了采用“钛合力”供电外,该款显卡还配置了2个DVI接口和2个HDMI接口,支持组建4屏输出系统。目前该款GeForce GTX 580显卡仍然处于工程样板阶段,我们将对其保持关注,更多信息可留意我们的后续报道。
超能网友教授 2011-10-08 22:24 | 加入黑名单
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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游客 2011-10-07 21:46
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游客 2011-10-07 20:54
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超能网友编辑 2011-10-07 20:23 | 加入黑名单
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游客 2011-10-07 19:36
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游客 2011-10-07 18:49
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超能网友研究生 2011-10-07 16:40 | 加入黑名单
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