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在今年4月份，有英特尔和美光联手打造的闪存厂商IMFT（Intel Micron Flash Technologies）正式宣布推出20nm制程的NAND闪存芯片。其首款产品是64Gb MLC NAND闪存芯片，芯片面积为118mm²，尺寸比同容量的25nm制程产品减少约三分之一但性能与寿命方面则基本保持一致。
日前，第二款由IMFT打造的20nm NAND闪存芯片亦正式出炉了。该款产品容量为128Gb（即16GB），内部连接界面采用了最新的ONFi 3.0标准，传输带宽达333MT/s，可有效提升闪存的持续读取速度。另外新产品的Page Size也发生了变化，从现在常用的4KB提升到16KB。实际上，即使是早前的64Gb产品，其Page Size亦已经提升至8KB，不过内部连接界面使用的仍然是ONFi 2.x标准。
IMFT表示，由于目前大多数固态硬盘的主控芯片仅支持Page Size为4KB的闪存芯片，因此他们发布的两款20nm工艺闪存在短期内都不会出现应用在固态硬盘产品上。考虑到研发新主控和新固件所需要的时间，他们预计采用20nm工艺闪存的固态硬盘将会在2013年上市，届时固态硬盘将真正迈入TB级时代。
消息来源：[DailyTech]