日前IBM正式宣布，他们已经成功研发出制程为9nm的晶体管。这种晶体管采用了碳纳米管作为材料，而不是目前常用的硅晶体。据IBM表示，之所以采用碳纳米管打造晶体管，是因为硅存在10nm的理论极限。

　　制程工艺越小，芯片面积就越小，能耗就越低，这是目前被芯片制造行业普遍认同的“真理”。目前英特尔正在发展22nm工艺，预计在2015年就能发展到10nm工艺。不过硅打造的晶体管存在一个10nm的理论极限，继续发展下去的空间并不大。但是碳纳米管可以突破这个极限，而且在降低能耗的表现上会有出人意料的表现。

　　当然，目前碳纳米管晶体管技术仍然处于早期阶段，很多技术难题尚未解决，其中最主要的障碍是任何谈混合金属都会导致晶体管短路，因此目前技术可以生产单个晶体管，但仍然无法形成复杂的逻辑电路。但不管如何，碳纳米管晶体管技术的出现，也是一个重大的突破。